晶圓廠

關(guān)注人關(guān)注

我要報(bào)錯(cuò)

ST宣布les晶圓廠即將投產(chǎn)28納米FD-SOI

12月13日，意法半導(dǎo)體宣布其在28納米 FD-SOI 技術(shù)平臺(tái)的研發(fā)上又向前邁出一大步，即將在位于法國(guó)Crolles的12寸(300mm)晶圓廠投產(chǎn)該制程技術(shù)，這證明了意法半導(dǎo)體以28納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)提供平面全耗盡技術(shù)的能力。在實(shí)現(xiàn)極

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2012-12-16

ST 晶圓廠意法半導(dǎo)體器件
美邀臺(tái)積電設(shè)廠張董婉拒

美國(guó)官方積極爭(zhēng)取臺(tái)積電赴美設(shè)廠，傳出日前國(guó)會(huì)議員二度拜訪臺(tái)積電，希望臺(tái)積電能繼蘋(píng)果等指標(biāo)廠之后，在美國(guó)興建晶圓廠，但遭臺(tái)積電婉拒。臺(tái)積電昨（13）日不愿對(duì)此置評(píng)。半導(dǎo)體業(yè)者認(rèn)為，臺(tái)積電目前在竹科、中科及

模擬
2012-12-14

蘋(píng)果先進(jìn)制程臺(tái)積電晶圓廠
ST宣布位于法國(guó)Crolles晶圓廠即將投產(chǎn)28納米FD-SOI制程技術(shù)

12月13日，意法半導(dǎo)體宣布其在28納米FD-SOI技術(shù)平臺(tái)的研發(fā)上又向前邁出一大步，即將在位于法國(guó)Crolles的12寸（300mm）晶圓廠投產(chǎn)該制程技術(shù)，這證明了意法半導(dǎo)體以28納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)提供平面全耗盡技術(shù)的能力。在實(shí)現(xiàn)極

模擬
2012-12-14

制程技術(shù) ST 晶圓廠意法半導(dǎo)體
IC Insights：IDM加快IC制造外包

據(jù)ICInsights最新報(bào)告，20世紀(jì)90年代末，輕晶圓廠/輕資產(chǎn)運(yùn)營(yíng)模式開(kāi)始成型，當(dāng)時(shí)美國(guó)幾家IDM（整合元件制造商）推出計(jì)劃，通過(guò)更多使用第三方代工來(lái)降低制造成本。比如，1998年，摩托羅拉的半導(dǎo)體產(chǎn)品部成為首個(gè)采用

消費(fèi)電子
2012-12-14

DM IC制造 INSIGHT 晶圓廠
ST法國(guó)Crolles晶圓廠28納米FD-SOI制程將投產(chǎn)

12月13日，意法半導(dǎo)體宣布其在28納米 FD-SOI 技術(shù)平臺(tái)的研發(fā)上又向前邁出一大步，即將在位于法國(guó)Crolles的12寸（300mm）晶圓廠投產(chǎn)該制程技術(shù)，這證明了意法半導(dǎo)體以28納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)提供平面全耗盡技術(shù)的能力。在實(shí)現(xiàn)

消費(fèi)電子
2012-12-14

ST 晶圓廠意法半導(dǎo)體器件
意法宣布晶圓廠即將投產(chǎn)28納米FD-SOI制程技術(shù)

橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)宣布其在28納米 FD-SOI技術(shù)平臺(tái)的研發(fā)上又向前邁出一大步，即將在位于法國(guó)Crolles的12寸(300mm)晶

消費(fèi)電子
2012-12-14

制程技術(shù) 晶圓廠意法半導(dǎo)體器件
美邀臺(tái)積電設(shè)廠張董婉拒

美國(guó)官方積極爭(zhēng)取臺(tái)積電赴美設(shè)廠，傳出日前國(guó)會(huì)議員二度拜訪臺(tái)積電，希望臺(tái)積電能繼蘋(píng)果等指標(biāo)廠之后，在美國(guó)興建晶圓廠，但遭臺(tái)積電婉拒。臺(tái)積電昨（13）日不愿對(duì)此置評(píng)。半導(dǎo)體業(yè)者認(rèn)為，臺(tái)積電目前在竹科、中科

模擬
2012-12-14

蘋(píng)果先進(jìn)制程臺(tái)積電晶圓廠
世界競(jìng)標(biāo)茂德12寸晶圓廠

半導(dǎo)體大廠世界先進(jìn)（5347）將展開(kāi)茂德12寸晶圓廠議價(jià)！據(jù)相關(guān)人士指出，昨日世界先進(jìn)出手競(jìng)標(biāo)茂德位于中科的12寸晶圓廠，并已取得優(yōu)先議價(jià)權(quán)，不過(guò)由于世界先進(jìn)的出價(jià)，與茂德重整人團(tuán)所訂定的195億元底價(jià)，尚有相當(dāng)

模擬
2012-12-13

半導(dǎo)體晶圓代工格羅方德晶圓廠
意法宣布晶圓廠即將投產(chǎn)28納米FD-SOI制程技術(shù)

橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)宣布其在28納米 FD-SOI技術(shù)平臺(tái)的研發(fā)上又向前邁出一大步，即將在位于法國(guó)Crolles的12寸(300mm)晶圓廠

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2012-12-13

制程技術(shù) 晶圓廠意法半導(dǎo)體器件
2012年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)達(dá)382億美元

日前有市場(chǎng)分析機(jī)構(gòu)公布半導(dǎo)體設(shè)備資本支出的年終預(yù)測(cè)報(bào)告，預(yù)估2012年全球半導(dǎo)體設(shè)備營(yíng)收將達(dá)382億美元，預(yù)估未來(lái)半導(dǎo)體設(shè)備資本支出成長(zhǎng)將放緩，但可望在2014年恢復(fù)動(dòng)能，出現(xiàn)兩位數(shù)成長(zhǎng)。報(bào)告指出，相較2010年

顯示光電
2012-12-10

先進(jìn)制程晶圓制造半導(dǎo)體設(shè)備晶圓廠
歐洲欲建3座試產(chǎn)晶圓廠

一個(gè)由歐洲官方與私人攜手成立、旨在進(jìn)行納米電子技術(shù)研發(fā)的聯(lián)盟機(jī)構(gòu)(joint undertaking) ENIAC ，打算在歐洲建立3座試產(chǎn)晶圓廠。ENIAC執(zhí)行總監(jiān)Andreas Wild表示，該聯(lián)盟估計(jì) 2012年投資金額超過(guò)8億歐元(約10億美元)

消費(fèi)電子
2012-12-07

AC AN 晶圓廠
AMD股價(jià)大漲19% 中東富豪要出手？

這一兩年來(lái)資本主義國(guó)家的經(jīng)濟(jì)環(huán)境不像我們這樣一片大好，大環(huán)境的不景氣也影響了AMD的發(fā)展，最近一段時(shí)間股票下跌的厲害，相比去年的股價(jià)已經(jīng)減少了56%之多，目前徘徊在2.2美元左右，情況比國(guó)內(nèi)的A股還慘。不過(guò)昨天

智能硬件
2012-12-06

AMD IC IMAGE 晶圓廠
沖刺18寸晶圓英特爾跑贏臺(tái)積電

英特爾技術(shù)長(zhǎng)瑞特納（JustinRattner）4日指出，英特爾14納米制程將于明年量產(chǎn)，18寸晶圓大約4、5年后開(kāi)始生產(chǎn)。瑞特納釋出的藍(lán)圖，代表英特爾的18寸晶圓廠生產(chǎn)時(shí)間點(diǎn)落在2016年至2017年，較臺(tái)積電的2017年底略快。英

消費(fèi)電子
2012-12-06

英特爾晶圓臺(tái)積電晶圓廠
沖刺18寸晶圓英特爾跑贏臺(tái)積電

英特爾技術(shù)長(zhǎng)瑞特納（JustinRattner）昨（4）日指出，英特爾14納米制程將于明年量產(chǎn)，18寸晶圓大約4、5年后開(kāi)始生產(chǎn)。瑞特納釋出的藍(lán)圖，代表英特爾的18寸晶圓廠生產(chǎn)時(shí)間點(diǎn)落在2016年至2017年，較臺(tái)積電的2017年底略

模擬
2012-12-05

英特爾晶圓臺(tái)積電晶圓廠
歐洲欲建3座試產(chǎn)晶圓廠，維持芯片生產(chǎn)領(lǐng)導(dǎo)地位

一個(gè)由歐洲官方與私人攜手成立、旨在進(jìn)行納米電子技術(shù)研發(fā)的聯(lián)盟機(jī)構(gòu)(joint undertaking) ENIAC ，打算在歐洲建立3座試產(chǎn)晶圓廠，其中包括1座 18寸(450mm)晶圓廠。ENIAC執(zhí)行總監(jiān)Andreas Wild表示，該聯(lián)盟估計(jì) 2012年

消費(fèi)電子
2012-12-05

芯片生產(chǎn) AC AN 晶圓廠
波士頓半導(dǎo)體收購(gòu)日本半導(dǎo)體廠設(shè)備

2012 年 12月 4 日—波士頓半導(dǎo)體設(shè)配公司 (Boston Semi Equipment, LLC)（BSE 集團(tuán)）宣布整入全套 200mm CMOS 制造晶圓廠設(shè)備。此套晶圓廠設(shè)備內(nèi)含超過(guò) 500 項(xiàng)目前還在日本用于生產(chǎn)線中的設(shè)備。此套設(shè)備目前用于 0.

消費(fèi)電子
2012-12-05

半導(dǎo)體收購(gòu) SEMI EQUIPMENT 晶圓廠
沖刺18寸晶圓英特爾跑贏臺(tái)積電

英特爾技術(shù)長(zhǎng)瑞特納（Justin Rattner）昨（4）日指出，英特爾14納米制程將于明年量產(chǎn)，18寸晶圓大約4、5年后開(kāi)始生產(chǎn)。瑞特納釋出的藍(lán)圖，代表英特爾的18寸晶圓廠生產(chǎn)時(shí)間點(diǎn)落在2016年至2017年，較臺(tái)積電的2017年底略

模擬
2012-12-05

英特爾晶圓臺(tái)積電晶圓廠
LG拚晶片設(shè)計(jì) 臺(tái)積電將進(jìn)補(bǔ)

南韓樂(lè)金電子（LG Electronics）正致力轉(zhuǎn)型，藉由召募更多合格晶片設(shè)計(jì)高手，并向相關(guān)部門(mén)下放職權(quán)，以成為一家一流的「無(wú)晶圓廠」半導(dǎo)體公司。由于樂(lè)金自己沒(méi)有晶片制造設(shè)備，臺(tái)灣晶圓代工廠臺(tái)積電將采28奈米制

模擬
2012-12-05

晶片臺(tái)積電 LG 晶圓廠
波士頓半導(dǎo)體收購(gòu)日本半導(dǎo)體廠設(shè)備

波士頓半導(dǎo)體設(shè)配公司 (Boston Semi Equipment, LLC)宣布整入全套 200mm CMOS 制造晶圓廠設(shè)備。此套晶圓廠設(shè)備內(nèi)含超過(guò) 500 項(xiàng)目前還在日本用于生產(chǎn)線中的設(shè)備。此套設(shè)備目前用于 0.25 微米制程，實(shí)際上具有 0.18 微

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2012-12-04

半導(dǎo)體收購(gòu) SEMI EQUIPMENT 晶圓廠
臺(tái)積電擴(kuò)廠設(shè)備廠雨露均霑

【楊喻斐╱臺(tái)北報(bào)導(dǎo)】客戶需求強(qiáng)勁帶動(dòng)下，全球晶圓代工龍頭臺(tái)積電（2330）擴(kuò)廠毫不手軟，除了日前董事會(huì)一口氣通過(guò)874.71億元的資本支出之外，南科14廠也如火如荼展開(kāi)，相關(guān)設(shè)備廠對(duì)于明年的接單將可望雨露均霑。

模擬
2012-12-01

臺(tái)積電組件 ASML 晶圓廠

首頁(yè) 上一頁(yè) 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 下一頁(yè) 尾頁(yè)

晶圓廠

ST宣布les晶圓廠即將投產(chǎn)28納米FD-SOI

美邀臺(tái)積電設(shè)廠張董婉拒

ST宣布位于法國(guó)Crolles晶圓廠即將投產(chǎn)28納米FD-SOI制程技術(shù)

IC Insights：IDM加快IC制造外包

ST法國(guó)Crolles晶圓廠28納米FD-SOI制程將投產(chǎn)

意法宣布晶圓廠即將投產(chǎn)28納米FD-SOI制程技術(shù)

美邀臺(tái)積電設(shè)廠張董婉拒

世界競(jìng)標(biāo)茂德12寸晶圓廠

意法宣布晶圓廠即將投產(chǎn)28納米FD-SOI制程技術(shù)

2012年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)達(dá)382億美元

歐洲欲建3座試產(chǎn)晶圓廠

AMD股價(jià)大漲19% 中東富豪要出手？

沖刺18寸晶圓英特爾跑贏臺(tái)積電

沖刺18寸晶圓英特爾跑贏臺(tái)積電

歐洲欲建3座試產(chǎn)晶圓廠，維持芯片生產(chǎn)領(lǐng)導(dǎo)地位

波士頓半導(dǎo)體收購(gòu)日本半導(dǎo)體廠設(shè)備

沖刺18寸晶圓英特爾跑贏臺(tái)積電

LG拚晶片設(shè)計(jì) 臺(tái)積電將進(jìn)補(bǔ)

波士頓半導(dǎo)體收購(gòu)日本半導(dǎo)體廠設(shè)備

臺(tái)積電擴(kuò)廠設(shè)備廠雨露均霑

相關(guān)標(biāo)簽

關(guān)注此標(biāo)簽的用戶(人)

熱門(mén)活動(dòng)

課程視頻