耗盡型MOSFET開關(guān),一度不那么受歡迎,且常被視為典型的增強(qiáng)型FET的同屬,卻在最近幾年中越來越受歡迎。安森美半導(dǎo)體投入該技術(shù),開發(fā)出越來越多的耗盡型模擬開關(guān)系列。這些開關(guān)越來越多地用于很好地
意法半導(dǎo)體64通道高壓模擬開關(guān)芯片的集成度達(dá)到前所未有的水平,適用于先進(jìn)的超聲系統(tǒng)、超聲探頭、壓電驅(qū)動器、自動化測試設(shè)備、工業(yè)自動化和工業(yè)制造過程控制系統(tǒng)。
耗盡型MOSFET開關(guān),一度不那么受歡迎,且常被視為典型的增強(qiáng)型FET的同屬,卻在最近幾年中越來越受歡迎。安森美半導(dǎo)體投入該技術(shù),開發(fā)出越來越多的耗盡型模擬開關(guān)系列。這些開關(guān)越來越多地用于很好地解決工程問題。此博客將使讀者更好地了解這些實(shí)用的器件的能力,并介紹方案示例。
在便攜式產(chǎn)品設(shè)計(jì)中,模擬開關(guān)一直以來都主要是作為音頻信號切換器來使用。隨著雙卡雙模手機(jī)的普及,模擬開關(guān)成了雙卡切換必備的選擇;最新的數(shù)字電視DVB,CMMB等在一定的條件下也需要使用模擬開關(guān)。那么選擇這些開關(guān)時需要注意哪些設(shè)計(jì)問題呢?
請注意模擬開關(guān)和多路復(fù)用器,它們是信號通道的關(guān)鍵元件。設(shè)計(jì)人員應(yīng)當(dāng)了解這些重要模擬部件的應(yīng)用和規(guī)格。 要 點(diǎn) 模擬開關(guān)的主要規(guī)格是電壓、導(dǎo)通電阻、電容、電荷
在信號處理過程中,輸入信號通常是夾雜噪聲和干擾的微弱信號,而且信號強(qiáng)度、噪聲和干擾的頻率也是變化的,為了得到高信噪比的輸出信號,就要求信號處理電路具有放大和濾波
隨著市場對功能豐富的手機(jī)需求越來越強(qiáng)勁,具有特殊應(yīng)用性能的模擬開關(guān)得到了最終設(shè)計(jì)的持續(xù)青睞。此舉不僅能降低材料成本(BOM),還有助于提升設(shè)計(jì)性能并滿足對產(chǎn)品上市時
為了解決一般數(shù)字電壓表自動轉(zhuǎn)換量程、被測電壓極性判斷、幅度變換、超量程顯示及報(bào)警信號等智能化問題,采用數(shù)字電路芯片,通過數(shù)字邏輯控制關(guān)系實(shí)現(xiàn)電壓表使用功能的智能
開關(guān)信號是電子系統(tǒng)的重要組成部分,其作用是提供靈活性并讓系統(tǒng)可以支持更多通道。應(yīng)用有很多不同類型,每種應(yīng)用有不同的開關(guān)切換要求。因此,大量需要開關(guān)切換的應(yīng)用有時可能難以找到合適的開關(guān)來準(zhǔn)確滿足需要的功能。
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新的通過AEC-Q100(Grade 1)認(rèn)證的雙路DPDT/四路SPDT模擬開關(guān)---DGQ2788A,開關(guān)在2.7V下電阻為0.37Ω,帶寬338MHz,采用小尺寸2.6mm x 1.8mm x 0.55mm miniQFN16封裝。Vishay SiliconixDGQ2788A非常適合空間有限的汽車應(yīng)用中的模擬和數(shù)字信號開關(guān),具有非常平的電阻和寄生電容曲線,可提高信號完整性,提供更高的帶寬。
本設(shè)計(jì)實(shí)例,使用一個單刀瞬時接觸開關(guān),通過滾動三個輸出態(tài)選擇三個信號源中的一個。附圖中的電路包括常用的CD4000 CM0s邏輯系列器件,以及一只通用NPN晶體管。所有元件的總成本不超過1美元。在任何一個時點(diǎn)上.電路
采樣信號保持電路如圖所示。模擬信號Uin從運(yùn)算放大器A1的同相輸人端輸入。當(dāng)模擬開關(guān)⒊的控制端為高電平時,模擬開關(guān)S1導(dǎo)通,電容C被充電到Uin,這個過程叫做輸人信號的采樣。當(dāng)采樣結(jié)束時,使模擬開關(guān)S1的控制端為低電平
設(shè)計(jì)一個要求高通道密度的系統(tǒng)時,例如在測試儀器儀表中,電路板上通常需要包括大量開關(guān)。當(dāng)使用并行接口控制的開關(guān)時,控制開關(guān)所需的邏輯線路以及用于生成GPIO控制信號的串行轉(zhuǎn)并行轉(zhuǎn)換器會占用很大比例的板空間。本文討論旨在解決這種設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)的ADI公司新一代SPI控制開關(guān)及其架構(gòu),以及相對于并行控制開關(guān),它在提高通道密度上有何優(yōu)勢。ADI公司創(chuàng)新的多芯片封裝工藝使得新型SPI轉(zhuǎn)并行轉(zhuǎn)換器芯片可以與現(xiàn)有高性能模擬開關(guān)芯片結(jié)合在同一封裝中。這樣既可節(jié)省空間,又不會影響精密開關(guān)性能。
模擬開關(guān)密碼鎖電路如圖所示。電路主要由兩塊CD4066四雙向模擬開關(guān)集成電路組成。模擬開關(guān)sW1、sW2組成雙穩(wěn)態(tài)電路,在電路被啟動后,SW2為導(dǎo)通狀態(tài),因此,在使用密碼時,必須先按動“開關(guān),方可輸人其他密碼。由于模
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,將多個Vishay Siliconix模擬開關(guān)產(chǎn)品升級到了新工藝,大幅提升了器件性能和壽命。這種新工藝能夠替代漸趨過時的硅技術(shù),全面提高器件的性能參數(shù),并且
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出厚度為0.35mm的超薄1.4mm x 1.8mm miniQFN10封裝的音頻接孔探測器DG2592和低壓雙路SPDT模擬開關(guān)DG2750,用來替代便攜式應(yīng)用中常用的尺寸較大的min
數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中,前端模擬通道的各個部件——傳感器、信號調(diào)理電路和模/數(shù)轉(zhuǎn)換系統(tǒng)等都會在不同程度上給測量結(jié)果帶來誤差,而且該誤差會隨著溫度、時間而漂移。傳感器和信號調(diào)理電路的誤差及其漂移問題受到了廣泛的重視,并發(fā)展了多種技術(shù)對其進(jìn)行校準(zhǔn)和補(bǔ)償。例如壓力傳感器經(jīng)過補(bǔ)償后的輸出精度可達(dá)0.1%或更高。但是
當(dāng)前VLSI 技術(shù)不斷向深亞微米及納米級發(fā)展,模擬開關(guān)是模擬電路中的一個十分重要的原件,由于其較低的導(dǎo)通電阻,極佳的開關(guān)特性以及微小封裝的特性,受到人們的廣泛關(guān)注。模
當(dāng)前VLSI 技術(shù)不斷向深亞微米及納米級發(fā)展,模擬開關(guān)是模擬電路中的一個十分重要的原件,由于其較低的導(dǎo)通電阻,極佳的開關(guān)特性以及微小封裝的特性,受到人們的廣泛關(guān)注。模
D類升壓放大器驅(qū)動揚(yáng)聲器的電壓高于供電電壓,由于可以用單節(jié)鋰離子(Li+)電池供電就能實(shí)現(xiàn)較高性能的音頻,這類放大器應(yīng)用廣泛。然而,大多數(shù)D類升壓放大器并不為用戶提供內(nèi)部升壓后的電壓,這就使復(fù)用揚(yáng)聲器難以利