為增進大家對醫(yī)療電源的認識,本文將對醫(yī)療電源的電容選擇予以介紹。
為增進大家對醫(yī)療電源的認識,本文將對醫(yī)療電源以及醫(yī)療電源的選擇標準予以介紹。
預計到 2025 年將有超過 175 ZB 的數據。隨著 5G 的到來,數據中心的建設和部署以及現有老舊數據中心的升級工作正在蓬勃發(fā)展,從 2020 年日本奧運會開始( 6G 已經在討論未來的發(fā)展)以及人工智能 (AI) 和機器學習 (ML) 的發(fā)展。
在我擔任電路設計工程師的 40 年中,我學到的關鍵知識之一是,并非所有電路架構都是一樣的。一種架構可能完全適合特定設計,而另一種不同的架構可能更適合不同的場景。對以下解決方案保持開放的態(tài)度;您的特定項目將對電源管理有特定需求,因為沒有“千篇一律”的電源設計。尤其要注意您的客戶“關心”,然后利用您的電源設計專業(yè)知識來指導和建議最終客戶采用您認為最好的設計。在為任何項目選擇最佳電源解決方案時,溝通和討論必不可少。
意法半導體的數據中心電源架構戰(zhàn)略和產品給我留下了深刻的印象。首先,他們是Power Stamp Alliance的一員。我喜歡這樣一個事實,即在開發(fā)云數據中心電源的公司中,設計人員和采購人員都可以選擇擁有來自多個電源供應商的外形和功能的多源電源解決方案。數據中心人員也對此感到滿意。
我與 Vicor 的產品營銷和技術資源公司副總裁 Robert Gendron 就他們的數據中心戰(zhàn)略進行了交談。我首先詢問了在他們的架構中使用 GaN 的情況;Vicor 已與其他 FET 一起評估了該技術。
運放作為模擬電路的主要器件之一,其供電方式分為單電源供電和雙電源供電兩種,這是由運放的芯片結構所決定的。
七款 750V 碳化硅 (SiC) FET
大多數電氣工程師認為他們對電源有很好的了解,因為它們是相對簡單的單功能直流設備,旨在輸出受控電壓。但是,電源的功能遠不止此描述所暗示的。盡管電源的規(guī)格對大多數應用都充分描述了其性能,但指定其性能(或任何儀器的性能)的每個可能方面在金錢和時間方面都太昂貴了。
評估隔離電源質量的另一個指標是其輸出與電源線的隔離。具有高隔離度的電源進一步降低了電源輸出的噪聲。良好的隔離阻抗水平包括大于 1GΩ 的參數與小于 1nF 的并聯(lián)參數,并且屏蔽得足夠好以支持小于 5μA 的共模電流。
功率轉換技術的創(chuàng)新正在實現機器人設計的變革。今天的集成電源模塊可充分滿足尺寸、重量、電源預算以及成本效率的需求,從而將機器人從工廠、家庭以及商業(yè)應用帶入一個想象中的廣闊新天地。
天津2022年7月8日 /美通社/ -- 近日,中國化學與物理電源行業(yè)協(xié)會發(fā)布2021年中國鋰離子電池企業(yè)營業(yè)收入前30名單。根據中國化學與物理電源行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計分析,2021年中國鋰離子電池總出貨量約為324GWh(按電芯統(tǒng)計),同比2020年增長106%;營業(yè)收入3126億元,...
穩(wěn)壓器是使輸出電壓穩(wěn)定的設備。穩(wěn)壓器由調壓電路、控制電路、及伺服電機等組成。當輸入電壓或負載變化時,控制電路進行取樣、比較、放大,然后驅動伺服電機轉動,使調壓器碳刷的位置改變,通過自動調整線圈匝數比,從而保持輸出電壓的穩(wěn)定。
最新推出的 JBOD 采用靈活的遠程管理系統(tǒng)并改進了電源冗余,以極具競爭力的價格提供最大存儲能力。 臺北2022年7月1日 /美通社/ -- 服務器制造商 Inventec (TPE:2356)發(fā)布了 Mategress,此款產品在 2U...
我們終于進入了計算機與我們和我們的環(huán)境真正互動的未來,讓我們的日常生活更輕松、更安全、更高效。我的車還沒有自動駕駛,但它知道在前面的車自動駕駛時減速。我的手表知道我摔倒了,需要幫助。相機可以辨別一個人注視的焦點。智慧城市。工業(yè) 4.0。自動駕駛。5G網絡。智能電網。這些領域的應用增長正在推動半導體設計的增長遠高于行業(yè)平均水平。
這一切對片上系統(tǒng) (SoC) 和電子設計自動化 (EDA) 行業(yè)意味著什么?這些傳感器系統(tǒng)的規(guī)模和復雜性推動了您一直聽到的趨勢——處理能力、帶寬和網絡。同時,這種尺寸和復雜性導致傳統(tǒng)模擬設計和驗證流程的中斷。傳統(tǒng)的模擬 EDA 工具根本不像數字工具那樣可擴展。傳感器可以變大。
全新功率電感器符合 AEC-Q200 標準,完全滿足 EMI 濾波、DC-DC 轉換器和電源應用所需高可靠性要求
乍看上去負載開關有多種形式,包括可以用電路的板載邏輯驅動的分立 MOSFET;柵極驅動 IC 與分立 FET 相結合;以及集成控制器、柵極驅動和功率 MOS 器件。 PMOS 器件的高邊開關比 NMOS 器件更容易,盡管對于給定的器件尺寸和工藝技術,NMOS 在溝道電阻方面具有優(yōu)勢。