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PWM方式開關(guān)電源中IGBT的損耗分析
在電力電子領(lǐng)域，絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)作為高性能開關(guān)器件，廣泛應(yīng)用于PWM(脈寬調(diào)制)方式工作的開關(guān)電源中。IGBT的損耗直接影響開關(guān)電源的效率、熱設(shè)計(jì)及可靠性。因此，深入分析IGBT在PWM方式下的損耗特性，對(duì)于優(yōu)化開關(guān)電源設(shè)計(jì)具有重要意義。
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IGBT的損耗與結(jié)溫計(jì)算：深入探討與公式解析
絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）作為電力電子領(lǐng)域的核心元件，其損耗與結(jié)溫的計(jì)算對(duì)于電路的設(shè)計(jì)與優(yōu)化至關(guān)重要。本文將從IGBT的損耗類型出發(fā)，詳細(xì)闡述其計(jì)算方法，并進(jìn)一步探討結(jié)溫的計(jì)算公式與步驟，以期為工程師們提供有益的參考。
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你了解IGBT的結(jié)構(gòu)嗎？IGBT通態(tài)漂移區(qū)少子分布仿真分析
在下述的內(nèi)容中，小編將會(huì)對(duì)IGBT的相關(guān)消息予以報(bào)道，如果IGBT是您想要了解的焦點(diǎn)之一，不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。
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現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器提供隔離功能的最大功率限制
在電力電子技術(shù)的快速發(fā)展中，絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)和金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)作為關(guān)鍵的功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于電動(dòng)/混合動(dòng)力汽車、工業(yè)變頻器、太陽能逆變器等領(lǐng)域。這些應(yīng)用領(lǐng)域?qū)υO(shè)備的可靠性和性能要求極高，因此，現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器必須具備高效的隔離功能和強(qiáng)大的功率處理能力。本文將深入探討現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器在提供隔離功能時(shí)的最大功率限制及其實(shí)現(xiàn)機(jī)制。
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IGBT 國內(nèi)與國外廠商，可替代的有哪些？
什么是IGBT 所謂IGBT(絕緣柵雙極型晶體管），是由 BJT(雙極結(jié)型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管) 組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動(dòng)式-功率半導(dǎo)體器件,其具有自關(guān)斷的特征。
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