據日經新聞報導,美光科技計劃未來二至三年斥資20億美元,在位在日本廣島的工廠量產主要應用在智能手機、數據中心和自駕車的新世代DRAM。報導指出,美光已在這座廠房內增設
繼美光后,全球第二大NOR Flash制造廠Cypress也在財報發(fā)布會上釋出將淡出中低容量的NOR Flash市場,專注高容量的車用和工規(guī)領域的消息,加上蘋果明年新手機全數導入OLED面板,同步得搭載NOR芯片維持手機色彩飽和度,明年缺口持續(xù)擴大。
美光昨日以新臺幣27.52億元標下TPK-KY宸鴻轉投資公司達鴻臺中廠房。美光表示,標下的臺中廠房未來將用于DRAM先進封測技術發(fā)展,與美光中科及華亞科廠房進行資源整合,打造中國臺灣地區(qū)DRAM中心。
從去年下半年到現在,存儲芯片的價格就一直在上漲中,而且漲幅很猛,動不動就是20%、30%地漲,今年Q1季度還沒過完,DRAM內存累計漲幅就有40%了,“漲勢一片大好”,以致于美光都不得不修正Q2財報預期,這個季度要賺更多的錢了。
內存和SSD從去年中旬到今年連續(xù)漲價,最夸張的局面是,一塊SATA 3的固態(tài)盤,如今甚至要多花一倍的錢。
美國內存大廠美光(Micron)合并華亞科技后,中國臺灣地區(qū)成為美光的 DRAM 生產基地,內部設定以超越三星為目標,并全力沖刺 DRAM 和 3D NAND Flash 先進制程腳步,去年及今年總計投資 20 億美元,將臺中廠(原瑞晶)的制程提升至 1x 納米,另外,集團今年也將在中國臺灣地區(qū)擴大招募 1,000 名員工,要在先進制程技術上加快布局進度以趕上三星。
近年來,企業(yè)加速整合并購,有一些企業(yè)也自我斷臂修整,以讓關鍵業(yè)務盈利能力更強,由于經濟效益不明顯,美光計劃出售Nor Flash業(yè)務,全力發(fā)展 DRAM 及 NAND FLASH 。 根據
業(yè)界最早討論GDDR6顯存可以追溯到2012年,當時的說法是2014年就將啟動標準制定,但GDDR5之后A/N兩家先后用上了HBM和GDDR5X,也不見GDDR6的蹤影。據外媒報道,繼三星之后,美光也談及了自己未來的存儲規(guī)劃,其中就涉及GDDR6顯存。美光計劃今年底將GDDR5的制程工藝從20nm推進到1Xnm,預計是16nm。同時,他們表示G5X顯存的需求將迎來增長,考慮到市面僅GTX 1080/TITAN X/Tesla P40在用,不知道是否是暗示1080 Ti以及RX 500顯卡將會采用。
今年DRAM內存、NAND閃存漲價救了美光公司,他們本周一正式收購了華亞科公司,內存業(yè)務如虎添翼,而閃存方面,美光也公布了兩個好消息——該公司的3D NAND閃存產能日前正式超過2D NAND閃存,第一代3D NAND閃存的成本也符合預期,堆棧層數達到64層的第二代3D NAND閃存也在路上了,今年底就要大規(guī)模量產了。
美光科技有限公司近期委托Spiceworks對美國155位IT決策者進行了關于大數據的調查,調查顯示:數字數據的量每兩年就會增加一倍,而我們大約只分析了全部數據的0.5%。我們收集的數據越多,這一比例就越小。
最近幾年半導體行業(yè)可謂是風云變幻,并購案一波未平一波又起。美光本來應該在2016年7月底完成對華亞科的收購,但卻宣布無法在預定時間內完成收購,一時讓市場紛紛猜測美光收購華亞科項目恐生變數。
記憶體的3D NAND flash大戰(zhàn)即將開打!目前3D NAND由三星電子獨家量產,但是先有東芝(Toshiba)殺入敵營,如今美光(Micron)也宣布研發(fā)出3D NAND,而且已經送樣,三星一家獨大
報告稱,英特爾、美光、SK海力士(SK Hynix)、東芝、Western Digital的3D NAND應該很快就會上市。估計第3、4季3D NAND產品將會大增。英特爾和美光的產品已經差不多就緒,東芝和SK海力士則可能在Q4出貨。
美光科技有限公司(納斯達克代碼:MU)今日推出了首項適用于移動設備的 3D NAND 存儲技術,并推出了基于通用閃存存儲 (UFS) 2.1 標準的首批產品。
目前全球DRAM市場主要由三星、SK海力士和美光所壟斷,三家企業(yè)占有超過九成的市場份額,不過份額正在往三星和SK海力士兩家韓國企業(yè)集中,而美光的市場份額出現下降勢頭。不禁讓業(yè)界為其擔憂。
過去三、四年來,DRAM市場主要由三星電子、SK海力士與美光所壟斷,三巨頭在全球的合并市占率達90%,但情勢可能改變。在DRAM市場景氣不佳的局面下,排行第三的美光則開始虧損。
據外媒報道,據知情人士透露,中國兩大先進內存芯片生產廠已在政府引導下合并在一起,以期強強聯手,打造出實力更強的技術公司,縮小與西方國家在技術上的差距。據稱,一直活躍在海外半導體投資領域的清華紫光集團已
不論是NAND閃存還是DRAM內存領域,韓國兩家公司三星、SK Hynix總算還能保住吃香喝辣的日子,但美國的美光公司這兩年就沒啥舒服日子了,技術、產能都落后友商,偏偏現在又遇
三星電子(Samsung Electronics)開始量產18納米DRAM,成本將可比目前的20納米再低20~30%左右。由于SK海力士(Sk Hynix)、美光(Micron)等業(yè)者的DRAM制程都還停留在20納米以上世
2015年全球半導體市場規(guī)模達到了3340億美金,其中780億是存儲產品的市場規(guī)模。多元化的終端市場需求也推動著存儲市場的不斷增長,據分析預測,2016年至2019年NAND的復合年增長率約為40%,而DRAM約為25%。數據的大幅