封測大廠力成科技近年來積極開發(fā)系統(tǒng)級封裝(SiP)技術,并透過飛索(Spansion)蘇州廠跨入多芯片封裝(MCP)。該公司近來在著墨MCP和SiP均見成長,比重分別從2009年第4季10%、8%分別增加至11%、9%,未來將加重SiP和MCP業(yè)務
摘要:LED(Light-emitting diode)由于壽命長、能耗低等優(yōu)點被廣泛地應用于指示、顯示等領域??煽啃?、穩(wěn)定性及高出光率是LED取代現(xiàn)有照明光源必須考慮的因素。 LED(Light-emitting diode)由于壽命長、能耗低等優(yōu)點
三星電子(Samsung)發(fā)表首款多芯片封裝(MCP)的PRAM,將在本季稍晚提供給移動電話設計使用。 三星此款512Mb MCP PRAM與40奈米級NOR Flash的軟硬件功能皆兼容,此MCP亦可完全兼容于以往獨立式(stand-alone) PRAM
NOR Flash今年產(chǎn)業(yè)供需大逆轉(zhuǎn),連帶引動MCP(多芯片封裝)也出現(xiàn)大缺貨潮。法人指出,由于今年包括手機、手持式電子產(chǎn)品、以及PC等需求均不斷上升,但在NOR Flash供應短缺下,直接造成MCP出現(xiàn)巨大的供給缺口,缺貨
26日,英特爾成都芯片封裝測試廠第4.8億顆芯片下線,最先進的2010全新酷睿移動處理器正式投產(chǎn)。至此,成都成為英特爾全球最大芯片封裝測試中心之一。 作為中國唯一的英特爾芯片封裝測試中心,成都廠已封裝測試4.8億
26日,完成產(chǎn)能整合后的英特爾成都封裝測試廠第4.8億顆芯片下線,并正式投產(chǎn)最先進的2010全新酷睿TM移動處理器。為此,英特爾在位于成都高新區(qū)西部園區(qū)的封裝測試廠舉辦了“成都產(chǎn)能、技術新紀元”慶典。 英特爾
3月26日,成都芯片封裝測試廠第4.8億顆芯片下線,并正式投產(chǎn)最先進的2010全新酷睿移動處理器,意味著英特爾成都工廠的二次擴能幾近收官。在此背景下,以高級總裁布萊恩-科茲安尼克為首的英特爾高層抵蓉,并在英特爾成
3月26日上午消息,英特爾成都芯片封裝測試廠第4.8億顆芯片今天下線,并正式投產(chǎn)英特爾的2010酷睿移動處理器。英特爾發(fā)布的消息稱,成都廠目前是英特爾全球最大的芯片封裝測試中心之一,2010年下半年將建設成為全球晶
隨著微電子系統(tǒng)復雜程度的增加,必須在早期階段就對芯片、封裝和PCB板的開發(fā)進行協(xié)調(diào),特別是對于系統(tǒng)級封裝(SiP)應用尤其如此。為了對此類端到端SiP設計環(huán)境進行研究,英飛凌科技股份公司與Amic Angewandte Micro
在經(jīng)歷了“罷工”挫折之后,英特爾的“二次西進”計劃已經(jīng)到了關鍵時刻。 在近日舉行的“四川—跨國公司產(chǎn)業(yè)合作座談會暨簽約儀式”上,英特爾中國執(zhí)行董事戈峻宣布,將第三次對英特爾成都公司進行增資,增資額度為
外電消息報導,英特爾日前表示,其在以色列耶路撒冷的新芯片封裝廠,即將在下星期將開始運營。 該工廠原是英特爾在以色列一座老舊的加工廠(Fab 8),并在2008年時關閉。該廠關閉后,英特爾便著手將之轉(zhuǎn)變?yōu)橐蛔酒?/p>
全球最大的芯片封裝公司日月光半導體制造股份有限公司30日稱,公司將今年的資本支出目標提高至3億美元,而此前預算為2億美元。該公司財務經(jīng)理Allen Kan稱,此次增加的預算將用于擴大產(chǎn)能。周五早些時候,該公司宣布第
申請破產(chǎn)保護后的閃存芯片制造商飛索(Spansion)半導體計劃出售其位于蘇州的一座芯片封裝測試廠。出人意料的是,接盤者并非此前外界一致認為的中國臺灣芯片封測大廠日月光,而是其競爭對手力成科技。飛索和力成科技
預見到未來對大批量晶圓粘合劑和涂層應用的需求,得可已三倍增強其獲獎DirEKt Coat 技術的工藝能力。DirEKt Coat晶圓涂層工藝達到Cp>2@+/- 12.5µm和7微米的總厚度差 (TTV),有效地滿足了薄晶圓產(chǎn)品目前和未來的
到2006年年底,印度將會擁有自己的第一座半導體封裝測試(assembly-test-mark-pack, ATMP)工廠,這是SemIndia在印度建立半導體制造產(chǎn)業(yè)鏈的第一步。據(jù)悉,這座新工廠將為AMD提供該公司在印度的半導體封裝和測試。SemI