業(yè)內(nèi)消息,上周國(guó)內(nèi)DRAM芯片廠商長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正式推出LPDDR5系列產(chǎn)品,并成功完成了與小米、傳音等國(guó)產(chǎn)手機(jī)品牌機(jī)型的上機(jī)驗(yàn)證。包括12Gb的LPDDR5顆粒,POP封裝的12GB LPDDR5芯片以及DSC封裝的6GB LPDDR5芯片。
11月29日消息,日前,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正式推出LPDDR5系列產(chǎn)品,包括12Gb的LPDDR5顆粒,POP封裝的12GB LPDDR5芯片及DSC封裝的6GB LPDDR5芯片。
3月22日消息,據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,國(guó)產(chǎn)DRAM芯片廠商合肥長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)將在今年二季度試產(chǎn)17nm工藝的DDR5內(nèi)存芯片,并尋求擴(kuò)大產(chǎn)能。報(bào)道稱,目前合肥長(zhǎng)鑫的17nm工藝DDR5內(nèi)存芯片良率已經(jīng)達(dá)到了40%,預(yù)計(jì)在今年二季度試產(chǎn),出樣片給到客戶。雖然目前40%的良率較低,不過(guò)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)將會(huì)在接下來(lái)的時(shí)間里持續(xù)改進(jìn)良率。根據(jù)此前長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)公布的路線圖也顯示,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)目前正計(jì)劃推出17nm DDR5/LPDDR5,后續(xù)還將推出10nm制程的產(chǎn)品。
兆易創(chuàng)新2021年將向長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)(香港)采購(gòu)DRAM產(chǎn)品額度為3億美元(19億人民幣),與長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)產(chǎn)品聯(lián)合開發(fā)平臺(tái)合作額度3,000萬(wàn)元人民幣。
今年2月底,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)官方宣布,符合國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的自產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片、DDR4內(nèi)存條、LPDDR4內(nèi)存芯片全面開始供貨,這也是DDR4內(nèi)存第一次實(shí)現(xiàn)真正國(guó)產(chǎn),并采用國(guó)產(chǎn)第一代10nm級(jí)工藝制造。 就在
5月4日消息 據(jù)合肥市人民政府官方微信公眾號(hào)援引安徽日?qǐng)?bào)消息,合肥長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司已同美國(guó)半導(dǎo)體公司藍(lán)鉑世簽署專利許可協(xié)議,前者將獲得大量動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)(DRAM)技術(shù)專利的實(shí)施許可。 據(jù)悉,
據(jù)AnandTech報(bào)道,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司(CXMT)已經(jīng)開始生產(chǎn)基于 19nm 工藝的計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器,且該公司至少制定了兩條以上的 10nm 級(jí)制程的路線圖,計(jì)劃在未來(lái)生產(chǎn)各種類型的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司與加拿大公司Quarterhill Inc.旗下的Wi-LAN Inc.今日聯(lián)合宣布,就原內(nèi)存制造商奇夢(mèng)達(dá)開發(fā)的DRAM內(nèi)存專利,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)與WiLAN全資子公司Polaris In
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司與 Quarterhill Inc.(多倫多證券交易所代碼 QTRH)(納斯達(dá)克代碼 QTRH)旗下的 Wi-LAN Inc. 今日聯(lián)合宣布,就原動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片(DRAM)制
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司與加拿大公司Quarterhill Inc.旗下的Wi-LAN Inc.聯(lián)合宣布,就原內(nèi)存制造商奇夢(mèng)達(dá)開發(fā)的DRAM內(nèi)存專利,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)與WiLAN全資子公司Polaris Innovations Limited達(dá)成專利許可協(xié)議和專利采購(gòu)協(xié)議。
在深圳舉辦的中國(guó)閃存技術(shù)峰會(huì)上,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)副總裁、未來(lái)技術(shù)評(píng)估實(shí)驗(yàn)室負(fù)責(zé)人平爾萱博士進(jìn)行了《DRAM技術(shù)趨勢(shì)與行業(yè)應(yīng)用》的演講。平爾萱博士表示,隨著數(shù)據(jù)量的增加,數(shù)據(jù)處理能力就需要相應(yīng)的加強(qiáng),因此需要更
在今日舉辦的中國(guó)閃存技術(shù)峰會(huì)(CFMS)上,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)副總裁、未來(lái)技術(shù)評(píng)估實(shí)驗(yàn)室負(fù)責(zé)人平爾萱博士做了題為《DRAM技術(shù)趨勢(shì)與行業(yè)應(yīng)用》的演講,披露了DRAM技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀和未來(lái)趨勢(shì)。
在今日舉辦的中國(guó)閃存技術(shù)峰會(huì)(CFMS)上,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)副總裁、未來(lái)技術(shù)評(píng)估實(shí)驗(yàn)室負(fù)責(zé)人平爾萱博士做了題為《DRAM技術(shù)趨勢(shì)與行業(yè)應(yīng)用》的演講,披露了DRAM技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀和未來(lái)趨勢(shì)。作為中國(guó)DRAM產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正
2019年5月15日,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)董事長(zhǎng)兼CEO朱一明先生在上海舉辦的GSA MEMORY+峰會(huì)上,發(fā)表了《中國(guó)存儲(chǔ)技術(shù)發(fā)展與解決方案》主題演講,闡述新時(shí)代下中國(guó)存儲(chǔ)器市場(chǎng)的巨大需求和發(fā)展機(jī)遇。去年長(zhǎng)鑫8GB LPDDR4的投片,率先嘗試“從0到1”的突破,推動(dòng)中國(guó)存儲(chǔ)器廠邁出了重要的一步。