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3nm 制程工藝是 5nm 之后的另一個(gè)全世代制程，具備最佳 PPA 及電晶體技術(shù)
援引彭博資訊，分析師指出，全球芯片需求復(fù)蘇減慢，可能抑制下半年的需求回升力度，但臺(tái)積電仍能率先擺脫芯片景氣低谷，營收可望在下半年回升，主要是因?yàn)?納米節(jié)點(diǎn)制程銷售增加，價(jià)格更高。
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三星首次在先進(jìn)工藝層面反超臺(tái)積電，3納米芯片良品率持續(xù)提升
三星電子已與美國公司Silicon Frontline Technology擴(kuò)大合作，提高半導(dǎo)體晶片在生產(chǎn)過程中的良率，希望超車勁敵臺(tái)積電。
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在芯片制造中，3納米工藝是繼5納米MOSFET 技術(shù)節(jié)點(diǎn)之后的下一個(gè)芯片縮小
在半導(dǎo)體制造中，3納米工藝是繼5納米MOSFET 技術(shù)節(jié)點(diǎn)之后的下一個(gè)芯片縮小。截至2019年，三星和臺(tái)積電已宣布計(jì)劃將3 nm 半導(dǎo)體節(jié)點(diǎn)投入商業(yè)生產(chǎn)。它基于GAAFET(全能柵極場效應(yīng)晶體管)技術(shù)，這是一種多柵極MOSFET技術(shù)。
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3納米制程仍有多家企業(yè)簽訂，高通轉(zhuǎn)移高端芯片訂單的原因？
高通轉(zhuǎn)移高端芯片訂單的原因，也正是因?yàn)槿堑墓に囘^于拉跨，而且不良率非常高。從目前來看，三星的3納米制程似乎僅有兩家企業(yè)簽訂，而臺(tái)積電的3納米制程仍有多家企業(yè)簽訂。
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3納米產(chǎn)品下半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，而2納米產(chǎn)品的量產(chǎn)預(yù)計(jì)會(huì)在2025年實(shí)現(xiàn)
去年，受疫情期間智能手機(jī)、汽車和游戲機(jī)的需求拉升，半導(dǎo)體板塊一路飆升，雖然今年以來半導(dǎo)體類股遭遇重創(chuàng)，但摩根士丹利分析團(tuán)隊(duì)指出，隨著晶圓代工競爭格局的不斷演變，臺(tái)積電、三星和英特爾這三大巨頭依然值得關(guān)注。
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三星3納米芯片用了怎樣的技術(shù)？3納米芯片制作難度大嗎？
這幾年人們對于芯片的關(guān)注度明顯提升，尤其是高精度的納米級(jí)芯片。目前，已知的手機(jī)芯片可以做到4納米的量產(chǎn)，就比如最近新發(fā)布的高通驍龍8+以及10月份要帶來的蘋果A16仿生芯片，都是4納米制作工藝，它們統(tǒng)一的特點(diǎn)就是性能強(qiáng)大。
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彎道超車! 全球首家量產(chǎn)3納米芯片廠家曝光！
6 月 30 日消息，三星電子有限公司周四宣布，該公司已經(jīng)開始在其位于韓國的華城工廠大規(guī)模生產(chǎn) 3 納米半導(dǎo)體芯片，是全球首家量產(chǎn) 3 納米芯片的公司。
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3nm取得重大突破，F(xiàn)inFET下探到3nm芯片工藝預(yù)計(jì)第四季度實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)
臺(tái)積電生產(chǎn)的每一代旗艦芯片都在刷新業(yè)內(nèi)科技水平紀(jì)錄，尤其是在智能手機(jī)領(lǐng)域，跑分已經(jīng)成為衡量芯片性能的一大參考因素。4nm制程工藝的芯片跑分已經(jīng)突破一百多萬，如果到了更先進(jìn)的3nm芯片，恐怕跑分還會(huì)更高。
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全球首家量產(chǎn)3納米芯片公司誕生：已開始大規(guī)模生產(chǎn)3納米芯片
韓國三星電子周四宣布，公司已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)3納米芯片，是全球首家量產(chǎn)3納米芯片的公司。
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芯片的發(fā)展越來越迅速，三星本周將展示下一代3納米芯片技術(shù)
芯片的發(fā)展越來越迅速，先進(jìn)制程芯片量產(chǎn)的速度也是越來越快，從28納米，就這么幾年的時(shí)間，如今已經(jīng)成功挺進(jìn)到4納米。這意味著什么?意味著芯片先進(jìn)制程已經(jīng)即將就要接觸到摩爾定律的極限了。
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蘋果、英特爾等大廠已經(jīng)預(yù)定大部分3NM產(chǎn)能，臺(tái)積電良率爬坡遇阻
臺(tái)積電總裁魏哲家在月前的法說會(huì)上透露，3納米制程進(jìn)展符合預(yù)期，將于今年下半年量產(chǎn)。不過據(jù)digitimes最新報(bào)道，半導(dǎo)體設(shè)備廠商透露，臺(tái)積電3納米良率拉升難度飆升，臺(tái)積電因此多次修正3納米藍(lán)圖。
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三星3納米制程技術(shù)，遠(yuǎn)超臺(tái)積電，到底是不是真的？
10月7日消息，當(dāng)?shù)貢r(shí)間周三，三星電子宣布公司新一代3納米芯片制造技術(shù)將推遲到2022年上市，同時(shí)稱更先進(jìn)的2納米芯片制造技術(shù)將在2025年問世。
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金字塔尖工藝爭奪！三星取消中間工藝4nm，5nm后直接上馬3nm GAAFET
自GF(格芯)退出7nm研發(fā)后，金字塔尖的先進(jìn)制程工藝爭奪主要在臺(tái)積電、Intel、三星中開展。 最新消息稱，三星已經(jīng)重修了工藝路線圖，取消了此前用于過渡的4nm，在5nm為FinFET(鰭式場效應(yīng)晶體管)后，直接上馬3nm GAAFET(環(huán)繞柵極晶體管)。
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臺(tái)積電3納米制程發(fā)展順利 已有早期客戶參與其中
在晶圓代工龍頭臺(tái)積電日前的法說會(huì)中，臺(tái)積電表示，目前7納米制程產(chǎn)能幾乎滿載，而且未來5納米制程也依照計(jì)劃順利進(jìn)展的情況下，看好未來因5G與AI商機(jī)所帶來的發(fā)展。
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臺(tái)積電3納米廠通過審議 最快2022年底量產(chǎn)
根據(jù)臺(tái)灣地區(qū)的公告，晶圓代工龍頭臺(tái)積電在新竹寶山的都市變更計(jì)劃，已經(jīng)正式獲得審議通過。這象征著繼臺(tái)積電在南科興建的5納米產(chǎn)線之后，更加先進(jìn)的3納米制程即將來到，將使得讓臺(tái)積電穩(wěn)坐技術(shù)領(lǐng)先者的位置。
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三星發(fā)展3納米制程技術(shù)圖 搶占高端運(yùn)算市場
三星周二舉行晶圓代工技術(shù)論壇(Samsung Foundry Forum)，同時(shí)揭露發(fā)展3納米制程的技術(shù)路圖，以及7納米投產(chǎn)進(jìn)度，將搶攻高端運(yùn)算與聯(lián)網(wǎng)裝置市場。
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3納米或成摩爾定律絕唱，臺(tái)積電開始布局量子電腦！
雖然說這幾年的英特爾半導(dǎo)體制程更新速度變緩，不過臺(tái)積電、三星等廠家的進(jìn)度卻相當(dāng)之快。雖然說三星和臺(tái)積電的實(shí)際工藝并沒有達(dá)到英特爾的水平，不過已經(jīng)相當(dāng)接近了。
