據(jù)外媒electronicsweekly報(bào)道,為實(shí)現(xiàn)歐盟副總裁委員Neelie Kroes的目標(biāo),歐洲領(lǐng)導(dǎo)人集團(tuán)(ELG)計(jì)劃到2020年提高歐洲半導(dǎo)體產(chǎn)能,達(dá)到全球半導(dǎo)體產(chǎn)值的20%。當(dāng)歐洲三大半導(dǎo)體公司——意法半導(dǎo)體(ST)、英飛凌
艾司摩爾(ASML)與比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)合作案再添一樁。雙方將共同設(shè)立先進(jìn)曝光中心(Advanced Patterning Center, APC),助力半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)突破10奈米(nm)以下先進(jìn)奈米曝光制程技術(shù)關(guān)卡,讓微影(Lithography)技術(shù)
艾司摩爾(ASML)與比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)合作案再添一樁。雙方將共同設(shè)立先進(jìn)曝光中心(Advanced Patterning Center, APC),助力半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)突破10奈米(nm)以下先進(jìn)奈米曝光制程技術(shù)關(guān)卡,讓微影(Lithography)技術(shù)
艾司摩爾(ASML)與比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)合作案再添一樁。雙方將共同設(shè)立先進(jìn)曝光中心(Advanced Patterning Center, APC),助力半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)突破10奈米(nm)以下先進(jìn)奈米曝光制程技術(shù)關(guān)卡,讓微影(Lithography)技術(shù)
半導(dǎo)體的發(fā)展隨著摩爾定律(Moore’s Law)演進(jìn),雖然是關(guān)關(guān)難過(guò)但還是關(guān)關(guān)過(guò),其中在制程技術(shù)上,主要瓶頸在微影制程的要求不斷提高,目前主流曝光技術(shù)是采用波長(zhǎng)193奈米(nm)的浸潤(rùn)式曝光(Immersion)技術(shù);然而,進(jìn)入
全球兩大半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商──美商應(yīng)用材料公司(Applied Materials Inc.)與日本東京威力科創(chuàng)公司(Tokyo Electron Ltd.;TEL)日前宣布達(dá)成合并協(xié)議,雙方將攜手共創(chuàng)半導(dǎo)體和顯示器制造技術(shù)的新企業(yè),透過(guò)股份轉(zhuǎn)換方式
微影設(shè)備大廠ASML積極提升極紫外線(EUV)機(jī)臺(tái)技術(shù)的生產(chǎn)效率,在2012年購(gòu)并光源供應(yīng)商Cymer后,大幅提升光源效率,從2009年至今光源效率分別為2009年2瓦、2010年5瓦、2011年10瓦,2012年提升至20瓦,目前已達(dá)55瓦,每
微影設(shè)備大廠ASML積極提升極紫外線(EUV)機(jī)臺(tái)技術(shù)的生產(chǎn)效率,在2012年購(gòu)并光源供應(yīng)商Cymer后,大幅提升光源效率,從2009年至今光源效率分別為2009年2瓦、2010年5瓦、2011年10瓦,2012年提升至20瓦,目前已達(dá)55瓦,每
極紫外光(EUV)微影技術(shù)將于2015年突破量產(chǎn)瓶頸。傳統(tǒng)浸潤(rùn)式微影技術(shù)在半導(dǎo)體制程邁入1x奈米節(jié)點(diǎn)后將面臨物理極限,遂使EUV成為產(chǎn)業(yè)明日之星。設(shè)備供應(yīng)商艾司摩爾(ASML)已協(xié)同比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)和重量級(jí)晶圓
極紫外光(EUV)微影技術(shù)將于2015年突破量產(chǎn)瓶頸。傳統(tǒng)浸潤(rùn)式微影技術(shù)在半導(dǎo)體制程邁入1x奈米節(jié)點(diǎn)后將面臨物理極限,遂使EUV成為產(chǎn)業(yè)明日之星。設(shè)備供應(yīng)商艾司摩爾(ASML)已協(xié)同比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)和重量級(jí)晶圓
極紫外光(EUV)微影技術(shù)將于2015年突破量產(chǎn)瓶頸。傳統(tǒng)浸潤(rùn)式微影技術(shù)在半導(dǎo)體制程邁入1x奈米節(jié)點(diǎn)后將面臨物理極限,遂使EUV成為產(chǎn)業(yè)明日之星。設(shè)備供應(yīng)商艾司摩爾(ASML)已協(xié)同比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)和重量級(jí)晶圓
臺(tái)積電28納米制程預(yù)定第4季減產(chǎn),也使臺(tái)積電有更多的資源及人力投入20納米及16納米等先進(jìn)制程建置腳步,設(shè)備端感受到來(lái)自臺(tái)積電的先進(jìn)制程設(shè)備訂單仍然強(qiáng)勁,但28納米制程相關(guān)耗材及設(shè)備將受影響。 臺(tái)積電強(qiáng)調(diào),今
在日前于美國(guó)舊金山舉行的 Semicon West 半導(dǎo)體設(shè)備展上,仍在開發(fā)中的超紫外光(EUV)微影技術(shù)又一次成為討論焦點(diǎn);歐洲微電子研究機(jī)構(gòu)IMEC總裁暨執(zhí)行長(zhǎng)Luc Van den Hove在一場(chǎng)座談會(huì)中表示:「EUV仍然是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)界
其實(shí)在我求職期間,就已經(jīng)萌發(fā)了在找到工作后寫一份求職經(jīng)歷總結(jié)的想法,所以我完完整整的保留了求職三個(gè)多月來(lái)的所有資料,使我能對(duì)這段經(jīng)歷做詳細(xì)到位的總結(jié)。也希望你能從我的這段真實(shí)經(jīng)歷中學(xué)到一點(diǎn)經(jīng)驗(yàn),少走彎
ASML和Cymer上周五宣布,已經(jīng)完成此前宣布的兩家合并計(jì)劃,ASML成功收購(gòu)了Cymer公司,作為該合并結(jié)果,Cymer普通股以20.00美元現(xiàn)金外加1.1502的 ASML普通股權(quán)益,ASML的股本也將因此增加大約3650萬(wàn)股。
晶圓代工龍頭臺(tái)積電(2330)為了加快產(chǎn)能布建速度,今年開始主導(dǎo)設(shè)備在地制造,要求設(shè)備供應(yīng)商需有一定比例的設(shè)備或零組件,是在臺(tái)灣當(dāng)?shù)亟M裝生產(chǎn)。 國(guó)際設(shè)備大廠如應(yīng)用材料、艾司摩爾(ASML)、東京威力科創(chuàng)(TE
全球最大的半導(dǎo)體制造設(shè)備供應(yīng)商荷蘭ASML今天披露說(shuō),他們將按計(jì)劃在2015年提供450毫米晶圓制造設(shè)備的原型,Intel、三星電子、臺(tái)積電等預(yù)計(jì)將在2018年實(shí)現(xiàn)450毫米晶圓的商業(yè)性量產(chǎn),與此同時(shí),極紫外(EUV)光刻設(shè)備也
全球最大的半導(dǎo)體制造設(shè)備供應(yīng)商荷蘭ASML今天披露說(shuō),他們將按計(jì)劃在2015年提供450毫米晶圓制造設(shè)備的原型,Intel、三星電子、臺(tái)積電等預(yù)計(jì)將在2018年實(shí)現(xiàn)450毫米晶圓的商業(yè)性量產(chǎn),與此同時(shí),極紫外(EUV)光刻設(shè)備也
歐洲半導(dǎo)體設(shè)備大廠荷商艾司摩爾(ASML)上季營(yíng)收凈利雙雙優(yōu)于預(yù)測(cè),并且維持今年前景看法,帶動(dòng)市場(chǎng)看好芯片業(yè)將展現(xiàn)復(fù)蘇預(yù)期,推升歐洲芯片股周四大漲。 艾司摩爾周四大漲4.85%至55.1歐元,在歐洲科技指數(shù)SX8P中表現(xiàn)
歐洲半導(dǎo)體設(shè)備大廠荷商艾司摩爾(ASML)上季營(yíng)收凈利雙雙優(yōu)于預(yù)測(cè),并且維持今年前景看法,帶動(dòng)市場(chǎng)看好芯片業(yè)將展現(xiàn)復(fù)蘇預(yù)期,推升歐洲芯片股周四大漲。艾司摩爾周四大漲4.85%至55.1歐元,在歐洲科技指數(shù)SX8P中表現(xiàn)居