CMOS集成電路采用場效應(yīng)管,且都是互補結(jié)構(gòu),工作時兩個串聯(lián)的場效應(yīng)管總是處于一個管導(dǎo)通,另一個管截止的狀態(tài),電路靜態(tài)功耗理論上為零。實際上,由于存在漏電流,CMOS電路尚有微量靜態(tài)功耗。單個門電路的功耗典型值僅為20mW,動態(tài)功耗(在1MHz工作頻率時)也僅為幾mW。
目前數(shù)字集成電路按導(dǎo)電類型可分為雙極型集成電路(主要為TTL)和單極型集成電路(CMOS、NMOS、PMOS等)。CMOS電路的單門靜態(tài)功耗在毫微瓦(nw)數(shù)量級。 CMOS集成電路的簡介 CMOS互補金屬氧化物半導(dǎo)體,電壓控制的一種放大器件。是組成CMOS數(shù)字集成電路的基
硅基CMOS技術(shù)是當(dāng)今大多數(shù)電子產(chǎn)品依賴的主要技術(shù)。然而,為了電子行業(yè)的進(jìn)一步發(fā)展,新技術(shù)必須開發(fā)具有能將CMOS與其他半導(dǎo)體器件集成的能力。歐洲最大的一項研究計劃石墨
【導(dǎo)讀】“數(shù)字信號的快速處理是高容量光網(wǎng)絡(luò)的關(guān)鍵?!敝Z西光網(wǎng)絡(luò)業(yè)務(wù)線負(fù)責(zé)人Vesa Tykkylainen表示,“我們正向一家公司投資,它是創(chuàng)新及40納米40G CMOS相關(guān)芯片技術(shù)的先驅(qū)。ClariPhy還將是100G CMOS的先行者之一。
目前,在設(shè)計中使用的主要有3種電阻器:多晶硅、MOS管以及電容電阻。在設(shè)計中,要根據(jù)需要靈活運用這3種電阻,使芯片的設(shè)計達(dá)到最優(yōu)。1CMOS集成電路的性能及特點1.1功耗低CMOS集成電路采用場效應(yīng)管,且都是互補結(jié)構(gòu),
目前,在設(shè)計中使用的主要有3種電阻器:多晶硅、MOS管以及電容電阻。在設(shè)計中,要根據(jù)需要靈活運用這3種電阻,使芯片的設(shè)計達(dá)到最優(yōu)。1CMOS集成電路的性能及特點1.1功耗低CMOS集成電路采用場效應(yīng)管,且都是互補結(jié)構(gòu),
目前,在設(shè)計中使用的主要有3種電阻器:多晶硅、MOS管以及電容電阻。在設(shè)計中,要根據(jù)需要靈活運用這3種電阻,使芯片的設(shè)計達(dá)到最優(yōu)。1CMOS集成電路的性能及特點1.1功耗低CMOS集成電路采用場效應(yīng)管,且都是互補結(jié)構(gòu),
目前應(yīng)用最廣泛的數(shù)字電路是TTL電路和CMOS電路。1、TTL電路TTL電路以雙極型晶體管為開關(guān)元件,所以又稱雙極型集成電路。雙極型數(shù)字集成電路是利用電子和空穴兩種不同極性的載流子進(jìn)行電傳導(dǎo)的器件。它具有速度高(開關(guān)
MOS/CMOS集成電路MOS集成電路特點:制造工藝比較簡單、成品率較高、功耗低、組成的邏輯電路比較簡單,集成度高、抗干擾能力強(qiáng),特別適合于大規(guī)模集成電路。MOS集成電路包括:NMOS管組成的NMOS電路、PMOS管組成的PMOS電
CMOS集成電路電平指示電路
目前應(yīng)用最廣泛的數(shù)字電路是TTL電路和CMOS電路。1、TTL電路TTL電路以雙極型晶體管為開關(guān)元件,所以又稱雙極型集成電路。雙極型數(shù)字集成電路是利用電子和空穴兩種不同極性的載流子進(jìn)行電傳導(dǎo)的器件。它具有速度高(開
隨著芯片特征尺寸的縮小和電路復(fù)雜程度的增加,有阻開路和有阻橋接缺陷的數(shù)目也在增加。同時,隨著器件密度、復(fù)雜性和時鐘速度的增加,邏輯測試技術(shù)已不能提供足夠的故障覆蓋率。為了彌補傳統(tǒng)測試方法的不足,基于靜
第一節(jié) 模擬集成電路模擬集成電路被廣泛地應(yīng)用在各種視聽設(shè)備中。收錄機(jī)、電視機(jī)、音響設(shè)備等,即使冠上了“數(shù)碼設(shè)備”的好名聲,卻也離不開模擬集成電路。實際上,模擬集成電路在應(yīng)用上比數(shù)字集成電路復(fù)雜
CMOS集成電路使用時的技術(shù)要求1.CMOS集成電路輸入端的要求CMOS集成電路具有很高的輸入阻抗,其內(nèi)部輸入端接有二極管保護(hù)電路.以防范外界干擾、沖擊和靜電擊穿。CMOS集成電路的輸入端懸空時輸入阻抗高,易受外界噪聲干
焊接絕緣柵(或雙柵)場效應(yīng)管以及CMOS集成塊時,因其輸入阻抗很高、極間電容小,少量的靜電荷即會感應(yīng)靜電高壓,導(dǎo)致器件擊穿損壞。筆者通過長期實踐摸索出下述焊接方法,取得令人滿意的效果。1.焊絕緣柵場效應(yīng)管。
機(jī)械開關(guān)觸點-CMOS集成電路的接口
焊接絕緣柵(或雙柵)場效應(yīng)管以及CMOS集成塊時,因其輸入阻抗很高、極間電容小,少量的靜電荷即會感應(yīng)靜電高壓,導(dǎo)致器件擊穿損壞。筆者通過長期實踐摸索出下述焊接方法,取得令人滿意的效果。1.焊絕緣柵場效應(yīng)管。
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引 言有潛在缺陷的芯片有可能通過生產(chǎn)測試,但是在實際應(yīng)用中卻會引起早期失效的問題,進(jìn)而引起質(zhì)量問題。為了避免這個問題,就需要在產(chǎn)品賣給客戶之前檢測出這種有問題的芯片。一般的檢測技術(shù)包括Burn—in、IDDQ測試