DDR4

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Altera演示FPGA中業(yè)界性能最好的DDR4存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)速率

21ic訊 Altera公司近日宣布，在硅片中演示了DDR4存儲(chǔ)器接口，其工作速率是業(yè)界最高的2,666Mbps。Altera的Arria 10 FPGA和SoC是目前業(yè)界唯一能夠支持這一速率DDR4存儲(chǔ)器的FP

嵌入式動(dòng)態(tài)
2014-12-19

Altera FPGA DDR4 存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)
UltraScale架構(gòu)DDR4 SDRAM接口的秘密

Adrian Cosoroaba和Terry Magee在本月MemCon上給出了關(guān)于DDR4 SDRAM接口的詳細(xì)展示，該演示應(yīng)用于賽靈思UltraScale All Programmable FPGA上。接口設(shè)計(jì)將DDR SDRAM提升至2400Mbps甚至以上，同時(shí)降低接口功耗。為了達(dá)

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2014-11-24

接口 SDRAM ULTRASCALE DDR4
揚(yáng)帆起航 DRAM新一代DDR4踏上征程

歷經(jīng)六年的開(kāi)發(fā)時(shí)間，DDR4終于踏上征程，揚(yáng)帆起航。近日英特爾服務(wù)器處理器Xeon E5-2600系列，正式推出采用Haswell新運(yùn)算架構(gòu)的第三代產(chǎn)品Xeon E5-2600 v3，開(kāi)始支持時(shí)鐘頻

嵌入式硬件
2014-11-19

DRAM 英特爾 DDR3 DDR4
三星量產(chǎn)全球首款20納米8Gb DDR4服務(wù)器用DRAM

三星電子今日宣布已開(kāi)始量產(chǎn)全球首款20納米8Gb DDR4企業(yè)級(jí)服務(wù)器用DRAM。今年下半年適用于DDR4的服務(wù)器中央處理器已經(jīng)上市，此時(shí)量產(chǎn)該款DRAM產(chǎn)品將推動(dòng)高端服務(wù)器市場(chǎng)從DDR3向DDR4的轉(zhuǎn)換?；?0納米8Gb DDR4的服

單片機(jī)
2014-10-22

DRAM 三星 GB DDR4
歷時(shí)六年 DRAM新一代DDR4開(kāi)啟征程

歷經(jīng)六年的開(kāi)發(fā)時(shí)間，DDR4終于踏上征程，揚(yáng)帆起航。近日英特爾服務(wù)器處理器Xeon E5-2600系列，正式推出采用Haswell新運(yùn)算架構(gòu)的第三代產(chǎn)品Xeon E5-2600 v3，開(kāi)始支持時(shí)鐘頻

嵌入式硬件
2014-10-10

DRAM 英特爾 DDR3 DDR4
DDR4、NAND Flash存儲(chǔ)器芯片發(fā)展趨勢(shì)

轉(zhuǎn)自臺(tái)灣digitimes的消息，DDR4以前瞻性的高傳輸速率、低功耗與更大記憶容量，在2014年下半將導(dǎo)入英特爾工作站/伺服器以及高端桌上型電腦平臺(tái)，并與LP-DDR3存儲(chǔ)器將同時(shí)存在一段時(shí)間;至于NAND Flash快閃存儲(chǔ)器也跨

單片機(jī)
2014-09-29

存儲(chǔ)器芯片 NAND FLASH存儲(chǔ)器 DDR4
是德科技推出用于 Infiniium 系列示波器的 DDR4 BGA 內(nèi)插器

21ic訊是德科技公司日前宣布推出用于 Infiniium 系列示波器的 DDR4 球形柵格陣列(BGA)內(nèi)插器探測(cè)解決方案。DDR4 BGA 探頭與示波器結(jié)合使用，可以讓工程師調(diào)試和表征他們的 DDR4 內(nèi)存設(shè)計(jì)，以及驗(yàn)證器件與 JEDEC D

測(cè)試測(cè)量
2014-09-17

示波器是德科技 INFIN DDR4
單條最高64GB！三星量產(chǎn)DDR4內(nèi)存

韓國(guó)三星電子今天正式宣布，目前已經(jīng)開(kāi)始正式量產(chǎn)全球首款采用3D TSV立體硅穿孔封裝技術(shù)打造的DDR4內(nèi)存條，單條容量高達(dá)64GB。該DDR4內(nèi)存采用三星自家先進(jìn)的2xnm工藝，所采用的TSV技術(shù)，是一種穿透硅晶

智能硬件
2014-09-12

三星內(nèi)存 GB DDR4
影馳HOF系列DDR4內(nèi)存問(wèn)世

高大上的新一代Haswell-E旗艦桌面處理器和X99主板都已經(jīng)登場(chǎng)一星期了，與此同時(shí)也帶來(lái)了一大波DDR4內(nèi)存，這次可能會(huì)讓你吃驚，因?yàn)闊衢T硬件廠商影馳也將要推出HOF系列DDR4內(nèi)存。其實(shí)影馳在年中的Comput

智能硬件
2014-09-09

內(nèi)存影馳 HZ DDR4
英特爾發(fā)布Xeon E5 v3處理器：支持DDR4內(nèi)存

在IDF14前夕，英特爾正式發(fā)布全新的服務(wù)器處理器產(chǎn)品E5 v3，雖然看上去這只是一次例行公事的升級(jí)，但這對(duì)于英特爾繼續(xù)鞏固目前的服務(wù)器市場(chǎng)無(wú)疑是有益的。另外E5 v3針對(duì)軟件定義SDI進(jìn)行優(yōu)化，可以進(jìn)行更

智能硬件
2014-09-09

英特爾內(nèi)存處理器 DDR4
支持DDR4內(nèi)存！英特爾發(fā)布Xeon E5 v3處理器

在IDF14前夕，英特爾正式發(fā)布全新的服務(wù)器處理器產(chǎn)品E5 v3，雖然看上去這只是一次例行公事的升級(jí)，但這對(duì)于英特爾繼續(xù)鞏固目前的服務(wù)器市場(chǎng)無(wú)疑是有益的。另外E5 v3針對(duì)軟件定義SDI進(jìn)行優(yōu)化，可以進(jìn)行更智能的資源調(diào)

智能硬件
2014-09-09

英特爾內(nèi)存處理器 DDR4
DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)關(guān)鍵屬性大公開(kāi)：電壓僅1.2V

JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)今天公布了DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)中的部分關(guān)鍵屬性，并宣布將在2012年年中正式發(fā)布新一代內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范，相比于DDR3取得重大性能提升，同時(shí)繼續(xù)降低功耗。JEDEC固態(tài)

嵌入式硬件
2014-08-17

內(nèi)存電壓 DDR3 DDR4
AgigA Tech公司推出業(yè)界首款DDR4 NVDIMM

21ic訊領(lǐng)先市場(chǎng)的高速、高容量、無(wú)需電池的非易失性存儲(chǔ)解決方案供應(yīng)商，賽普拉斯半導(dǎo)體公司的子公司 AgigA Tech公司日前宣布，開(kāi)始向主要OEM和開(kāi)發(fā)合作伙伴提供業(yè)界首款DDR4 非易失性 DIMM (NVDIMM)的樣品。AGIGA

智能硬件
2014-08-11

DRAM TE DDR3 DDR4
三星宣布完成第一款DDR4內(nèi)存開(kāi)發(fā)樣品

三星電子今天宣布，已經(jīng)完成了歷史上第一款DDR4 DRAM規(guī)格內(nèi)存條的開(kāi)發(fā)，并采用30nm級(jí)工藝制造了首批樣品。時(shí)至今日，DDR4內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范仍未最終定奪。三星這條樣品屬于UDI

嵌入式硬件
2014-08-03

三星內(nèi)存 HZ DDR4
Molex更新DDR4 DIMM插座提供多種改進(jìn)

21ic訊 Molex公司現(xiàn)推出DDR4 DIMM插座產(chǎn)品，具有氣動(dòng)及標(biāo)準(zhǔn)兩種型款，為設(shè)計(jì)工程師提供更多的選項(xiàng)和更高的性能，同時(shí)保持成本競(jìng)爭(zhēng)力。氣動(dòng)插座產(chǎn)品具有通孔端接類型和流線型的鎖閂及外殼, 提供更好的氣流及節(jié)省空間

智能硬件
2014-07-31

PCB 插座 MOLEX DDR4
安捷倫推出ADS DDR4一致性測(cè)試平臺(tái) 解決仿真－測(cè)量關(guān)聯(lián)挑戰(zhàn)

21ic訊安捷倫科技公司(NYSE: A)日前推出ADS先進(jìn)設(shè)計(jì)系統(tǒng) DDR4 一致性測(cè)試平臺(tái)，為工程師提供從仿真設(shè)計(jì)到測(cè)量原型產(chǎn)品的完整工作流程。無(wú)論是開(kāi)發(fā) DDR 控制器 IP 的半導(dǎo)體公司、開(kāi)發(fā) DRAM 芯片和 DIMM 的存儲(chǔ)器廠商

測(cè)試測(cè)量
2014-07-07

仿真測(cè)試平臺(tái) ADS DDR4
JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)發(fā)布DDR4存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)

【導(dǎo)讀】微電子產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)發(fā)布廣為業(yè)界期待的DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)。JEDEC DDR4 (JESD79-4) 內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的制定旨在提高性能與可靠性的同時(shí)降低功耗。因此，相較于此前的DRAM內(nèi)存技術(shù)，DDR4代表著實(shí)質(zhì)性的進(jìn)步

半導(dǎo)體
2014-06-06

存儲(chǔ)器內(nèi)存 JEDEC DDR4
美光高端DDR4內(nèi)存來(lái)了狂飆3000MHz！

雖然支持DDR4內(nèi)存的Haswell-E還不見(jiàn)任何蹤影，但內(nèi)存廠商們?cè)缇偷炔患傲?，從今年初就開(kāi)始發(fā)布各種規(guī)格的DDR4內(nèi)存，但初期的規(guī)格均不是特別好看，直到美光Eallistix Elite的出現(xiàn)。美光Eallistix Elite DDR4內(nèi)存隸屬于

智能硬件
2014-06-03

美光內(nèi)存 HZ DDR4
威剛將推DDR4超頻記憶體模組

隨著2014年臺(tái)北國(guó)際電腦展（Computex）6月3日登場(chǎng)，記憶體模組大廠威剛科技（3260）將于現(xiàn)場(chǎng)中盛大展出首款自行研發(fā)的工業(yè)用固態(tài)硬碟（SSD）全方位解決方案、及全系列最新款SSD產(chǎn)品。同場(chǎng)也將展出領(lǐng)先業(yè)界的DDR4超頻

半導(dǎo)體
2014-05-29

超頻微信 AD DDR4
Cadence宣布推出基于臺(tái)積電16納米FinFET制程DDR4 PHY IP

Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司近日宣布，立即推出基于臺(tái)積電16納米FinFET制程的DDR4 PHY IP(知識(shí)產(chǎn)權(quán))。16納米技術(shù)與Cadence創(chuàng)新的架構(gòu)相結(jié)合，可幫助客戶達(dá)到DDR4標(biāo)準(zhǔn)的最高性能，亦即達(dá)到3200Mbps的級(jí)別，相比之下，目前無(wú)

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2014-05-23

臺(tái)積電 IP CADENCE DDR4

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潛力變實(shí)力
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快意恩仇
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太陽(yáng)系的天體

DDR4

Altera演示FPGA中業(yè)界性能最好的DDR4存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)速率

UltraScale架構(gòu)DDR4 SDRAM接口的秘密

揚(yáng)帆起航 DRAM新一代DDR4踏上征程

三星量產(chǎn)全球首款20納米8Gb DDR4服務(wù)器用DRAM

歷時(shí)六年 DRAM新一代DDR4開(kāi)啟征程

DDR4、NAND Flash存儲(chǔ)器芯片發(fā)展趨勢(shì)

是德科技推出用于 Infiniium 系列示波器的 DDR4 BGA 內(nèi)插器

單條最高64GB！三星量產(chǎn)DDR4內(nèi)存

影馳HOF系列DDR4內(nèi)存問(wèn)世

英特爾發(fā)布Xeon E5 v3處理器：支持DDR4內(nèi)存

支持DDR4內(nèi)存！英特爾發(fā)布Xeon E5 v3處理器

DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)關(guān)鍵屬性大公開(kāi)：電壓僅1.2V

AgigA Tech公司推出業(yè)界首款DDR4 NVDIMM

三星宣布完成第一款DDR4內(nèi)存開(kāi)發(fā)樣品

Molex更新DDR4 DIMM插座提供多種改進(jìn)

安捷倫推出ADS DDR4一致性測(cè)試平臺(tái) 解決仿真－測(cè)量關(guān)聯(lián)挑戰(zhàn)

JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)發(fā)布DDR4存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)

美光高端DDR4內(nèi)存來(lái)了狂飆3000MHz！

威剛將推DDR4超頻記憶體模組

Cadence宣布推出基于臺(tái)積電16納米FinFET制程DDR4 PHY IP

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