點(diǎn)擊上方“泰克科技”關(guān)注我們!靜電放電(ESD)抗擾度測(cè)試在設(shè)計(jì)滿足全球電磁兼容能力(EMC)標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品時(shí),靜電放電(ESD)抗擾度測(cè)試至關(guān)重要。大多數(shù)產(chǎn)品都會(huì)遵循主要國際標(biāo)準(zhǔn),比如IEC61000-4-2和美國ANSIC63.16,都規(guī)定了怎樣設(shè)置和執(zhí)行這些ESD測(cè)試。這些測(cè)試...
大家可能并不陌生MOS管,由于MOS管不具備防靜電、防浪涌,ESD靜電和浪涌無處不在,存在于任何的電子產(chǎn)品中,令人防不勝防。然而MOS管卻又是一個(gè)ESD靜電極具敏感器件,它本身的輸入電阻很高。而柵-源極間電容又非常小,所以極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應(yīng)而帶電;又因在靜電較強(qiáng)的場(chǎng)合難...
推薦個(gè)嵌入式行業(yè)的號(hào)主,喜歡的可以關(guān)注一波~對(duì)付靜電,與控制傳染疫情的原理類似,不外乎控制靜電產(chǎn)生源頭,切斷傳播途徑,增強(qiáng)設(shè)備本身的抗靜電能力。我們先看兩個(gè)跟防靜電有關(guān)的重要題目:大地和法拉第籠,然后介紹有哪些常用的手段,可以保護(hù)我們的設(shè)備免遭ESD的毒手。先認(rèn)識(shí)一下大地對(duì)于我們...
以下內(nèi)容中,小編將對(duì)語音芯片的相關(guān)內(nèi)容進(jìn)行著重介紹和闡述,希望本文能幫您增進(jìn)對(duì)語音芯片的應(yīng)用以及三種級(jí)別的語音芯片的了解,和小編一起來看看吧。
器件電容典型值僅為8 pF,可為商用和汽車應(yīng)用提供端口保護(hù)
(全球TMT2021年8月10日訊)專業(yè)3D打印領(lǐng)域的全球領(lǐng)先企業(yè)Ultimaker宣布,德國密封技術(shù)、塑料技術(shù)和添加劑制造領(lǐng)域的專業(yè)公司H?nssler Group通過使用Ultimaker S5
??一直想給大家講講ESD的理論,很經(jīng)典。但是由于理論性太強(qiáng),任何理論都是一環(huán)套一環(huán)的,如果你不會(huì)畫雞蛋,注定了你就不會(huì)畫大衛(wèi)。先來談靜電放電(ESD:ElectrostaticDischarge)是什么?這應(yīng)該是造成所有電子元器件或集成電路系統(tǒng)造成過度電應(yīng)力破壞的主要元兇。因?yàn)?..
本文簡要介紹國產(chǎn)MCU進(jìn)入智能表計(jì)市場(chǎng)的一些關(guān)鍵因素,并且分析在下一代智能表計(jì)產(chǎn)品中,MCU的哪些關(guān)鍵規(guī)格促進(jìn)表計(jì)的新發(fā)展。
出色的 ESD 保護(hù)能力,符合 IEC61000-4-2 四級(jí)標(biāo)準(zhǔn)
用于汽車多媒體和視頻鏈路應(yīng)用的高性能4通道ESD保護(hù),提供出色的信號(hào)完整性
來自人體、環(huán)境甚至電子設(shè)備內(nèi)部的靜電對(duì)于精密的半導(dǎo)體芯片會(huì)造成各種損傷,例如穿透元器件內(nèi)部薄的絕緣層;損毀MOSFET和CMOS元器件的柵極;CMOS器件中的觸發(fā)器鎖死;短路反偏的PN結(jié);短路正向偏置的PN結(jié);熔化有源器件內(nèi)部的焊接線或鋁線。
面向USB3.2和HDMI2.1的出色ESD和系統(tǒng)穩(wěn)健性
一直想給大家講講ESD的理論,很經(jīng)典。
靜電擊穿有兩種方式: 一是電壓型,即柵極的薄氧化層發(fā)生擊穿,形成針孔,使柵極
兼容AOI;出色的RF性能
隨著全球多樣化的發(fā)展,我們的生活也在不斷變化著,包括我們接觸的各種各樣的電子產(chǎn)品,那么你一定不知道這些產(chǎn)品的一些組成,比如數(shù)字隔離芯片。
伴隨著對(duì)芯片的使用環(huán)境要求的越來越苛刻,在產(chǎn)品的生命周期中還面臨很大的挑戰(zhàn),但是隨著制造尺寸變小以及采用新的封裝技術(shù)時(shí),又會(huì)有新的影響產(chǎn)生,也就直接導(dǎo)致了器件性能研發(fā)的失敗。
手機(jī)音頻系統(tǒng)中ESD及EMI的起因及結(jié)果。接著研討了ESD干擾抑制器和EMI濾波器的使用,以避免這些威脅。最后,比較了當(dāng)前三種解決方案。 手機(jī)電路設(shè)計(jì)者必須