FET

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英特爾發(fā)表多柵極型產(chǎn)品，在III-V族溝道FET一馬當(dāng)先

美國(guó)英特爾和美國(guó)IQE共同開發(fā)出了多柵極構(gòu)造的III-V族半導(dǎo)體溝道FET（演講編號(hào)：6.1）。提高了溝道控制性，與平面構(gòu)造的III-V族半導(dǎo)體溝道FET相比，S因子及DIBL（Drain Induced Barrier Lowering，漏極感應(yīng)勢(shì)壘降低）

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2010-12-09

FET 柵極英特爾半導(dǎo)體
簡(jiǎn)易的電源指示器欠壓/過壓檢測(cè)

　　簡(jiǎn)單和容易的電源就緒指示器檢測(cè)主管及以上電壓　　摘要：欠壓/過壓(紫外/過壓)的指標(biāo)，也稱為電源就緒(薄)指標(biāo)，可以通知便攜設(shè)備的用戶，當(dāng)電池電壓過低或電池被濫收費(fèi)用。博指標(biāo)通?？刂仆獠縁ET的封鎖在這樣的

數(shù)字電源
2010-11-29

LED 指示器電源 FET
賽維LDK與比亞迪達(dá)成多晶硅銷售協(xié)議

10月26日凌晨消息，賽維LDK太陽能高科技有限公司(LDK)(以下簡(jiǎn)稱“賽維LDK”)周一稱，該公司已經(jīng)與中國(guó)汽車和電池制造商比亞迪(1211.HK)簽署了一項(xiàng)為期兩年的多晶硅銷售協(xié)議，這項(xiàng)交易的價(jià)值大約為3億美元。賽維L

消費(fèi)電子
2010-10-27

比亞迪中國(guó)汽車多晶硅 FET
賽維LDK與比亞迪達(dá)成3億美元多晶硅銷售交易

北京時(shí)間10月26日凌晨消息，賽維LDK太陽能高科技有限公司(LDK)(以下簡(jiǎn)稱“賽維LDK”)周一稱，該公司已經(jīng)與中國(guó)汽車和電池制造商比亞迪(1211.HK)簽署了一項(xiàng)為期兩年的多晶硅銷售協(xié)議，這項(xiàng)交易的價(jià)值大約為3億美元。

消費(fèi)電子
2010-10-26

比亞迪中國(guó)汽車多晶硅 FET
賽維LDK欣喜與比亞迪達(dá)成多晶硅銷售交易

北京時(shí)間10月26日凌晨消息，賽維LDK太陽能高科技有限公司(LDK)(以下簡(jiǎn)稱“賽維LDK”)周一稱，該公司已經(jīng)與中國(guó)汽車和電池制造商比亞迪(1211.HK)簽署了一項(xiàng)為期兩年的多晶硅銷售協(xié)議，這項(xiàng)交易的價(jià)值大約為

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-10-26

比亞迪中國(guó)汽車多晶硅 FET
DIOFET器件DMS3014SSS和DMS3015SSS（Diodes）

Diodes 公司推出首批采用專有DIOFET工藝開發(fā)的產(chǎn)品，將一個(gè)功率MOSFET與反并聯(lián)肖特基二極管集成在一個(gè)芯片上。最新的DMS3014SSS 和 DMS3015SSS 器件適用于同步降壓負(fù)載點(diǎn) (PoL) 轉(zhuǎn)換器的低側(cè)MOSFET位置，有助于提升效

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2010-10-13

器件 DM DIODES FET
DIOFET器件DMS3014SSS和DMS3015SSS（Diodes）

Diodes 公司推出首批采用專有DIOFET工藝開發(fā)的產(chǎn)品，將一個(gè)功率MOSFET與反并聯(lián)肖特基二極管集成在一個(gè)芯片上。最新的DMS3014SSS 和 DMS3015SSS 器件適用于同步降壓負(fù)載點(diǎn) (PoL) 轉(zhuǎn)換器的低側(cè)MOSFET位置，有助于提升效

功率器件
2010-10-11

器件 DM DIODES FET
僑興移動(dòng)資產(chǎn)收購(gòu)案凸顯公司治理缺陷

導(dǎo)讀：美國(guó)投資專家薩吉·卡桑(Saj Karsan)今天在投資博客Seeking Alpha上撰文稱，僑興資源近期收購(gòu)僑興移動(dòng)資產(chǎn)的交易引起了外界廣泛關(guān)注。這筆交易反映了當(dāng)前公司治理標(biāo)準(zhǔn)的缺陷。僑興資源提出，將以2億美元

通信技術(shù)
2010-10-01

移動(dòng) MIDDOT ALPHA FET
40V JFET輸入運(yùn)算放大器（Intersil）

Intersil公司宣布推出其新JFET輸入運(yùn)算放大器產(chǎn)品家族的第一個(gè)成員 --- ISL28210，進(jìn)一步擴(kuò)大了其針對(duì)工業(yè)、醫(yī)學(xué)和傳感器市場(chǎng)的精密產(chǎn)品家族。 ISL28210結(jié)合了諸多業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的功能，使之成為用于過程控制模擬輸入

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2010-09-29

運(yùn)算放大器 INTERSIL ISL FET
如何對(duì)反向轉(zhuǎn)換器的FET關(guān)斷電壓進(jìn)行緩沖

　　圖 1 顯示了反向轉(zhuǎn)換器功率級(jí)和一次側(cè) MOSFET 電壓波形。該轉(zhuǎn)換器將能量存儲(chǔ)于一個(gè)變壓器主繞組電感中并在 MOSFET 關(guān)閉時(shí)將其釋放到次級(jí)繞組。由于變壓器的漏極電感會(huì)使漏電壓升至反射輸出電壓 (Vreset) 以上，因

功率器件
2010-08-21

轉(zhuǎn)換器電壓斷電 FET
新型納米晶體管可直接探測(cè)細(xì)胞內(nèi)部

據(jù)美國(guó)物理學(xué)家組織網(wǎng)、英國(guó)《自然》雜志網(wǎng)站8月12日?qǐng)?bào)道，美國(guó)哈佛大學(xué)化學(xué)家和工程師共同制造了一種最新的V形納米晶體管，外膜覆有一層磷脂雙分子層，能非常容易地進(jìn)入細(xì)胞內(nèi)部進(jìn)行檢測(cè)，而不會(huì)對(duì)細(xì)胞造成任何可見

醫(yī)療電子
2010-08-16

晶體管信號(hào) 微米 FET
IBM瞄準(zhǔn)10nm以下工藝

美國(guó)IBM T.J.華生研究中心（IBM T.J. Watson Research Center）在半導(dǎo)體制造技術(shù)相關(guān)國(guó)際會(huì)議“2010 Symposium on VLSI Technology”上宣布，試制出了采用最小直徑為3nm的硅納米線FET的25級(jí)CMOS環(huán)形振蕩器，并實(shí)際確

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2010-08-09

IBM 環(huán)形振蕩器 FET 柵極
友達(dá)斥資12億日元收購(gòu)索尼旗下FET

友達(dá)1月20日斥資12億日元，收購(gòu)索尼（Sony）旗下的日本場(chǎng)發(fā)射顯示器科技公司（FET）。友達(dá)在顯示器產(chǎn)品上改變策略，積極跨入TFT-LCD以外的新興技術(shù)，企圖以技術(shù)領(lǐng)先的“質(zhì)變”，超越新奇美在產(chǎn)能優(yōu)勢(shì)上的“量變”。S

顯示光電
2010-07-16

索尼顯示器 SONY FET
英特爾工藝開發(fā)負(fù)責(zé)人談15nm工藝以后的CMOS技術(shù)

LSI的基本元件CMOS晶體管長(zhǎng)期以來一直被指存在微細(xì)化極限，但目前來看似乎還遠(yuǎn)未走到終點(diǎn)。全球最大代工廠商臺(tái)積電（TSMC）于今年夏季動(dòng)工建設(shè)的新工廠打算支持直至7nm工藝的量產(chǎn)。臺(tái)積電是半導(dǎo)體行業(yè)中唯一一家具體

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2010-07-15

CMOS 5NM FET 英特爾
寬帶Difet運(yùn)算放大器電路

基礎(chǔ)放大電路，供參考學(xué)習(xí)！

測(cè)試測(cè)量電路
2010-07-11

寬帶運(yùn)算放大器電路 WIDTH FET
FET輸入高保真運(yùn)算放大器電路

基礎(chǔ)的放大電路。

測(cè)試測(cè)量電路
2010-07-10

高保真運(yùn)算放大器電路 WIDTH FET
IBM確認(rèn)瞄準(zhǔn)10nm以下工藝

美國(guó)IBMT.J.華生研究中心（IBMT.J.WatsonResearchCenter）在半導(dǎo)體制造技術(shù)相關(guān)國(guó)際會(huì)議“2010SymposiumonVLSITechnology”上宣布，試制出了采用最小直徑為3nm的硅納米線FET的25級(jí)CMOS環(huán)形振蕩器，并實(shí)際確認(rèn)了工作情

消費(fèi)電子
2010-06-23

IBM 環(huán)形振蕩器 FET 柵極
IBM采用直徑3nm FET25級(jí)環(huán)形振蕩器動(dòng)作，瞄準(zhǔn)10nm以下工藝

美國(guó)IBM T.J.華生研究中心（IBM T.J. Watson Research Center）在半導(dǎo)體制造技術(shù)相關(guān)國(guó)際會(huì)議“2010Symposium on VLSITechnology”上宣布，試制出了采用最小直徑為3nm的硅納米線FET的25級(jí)CMOS環(huán)形振蕩器，并實(shí)際確認(rèn)

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2010-06-21

IBM 環(huán)形振蕩器 FET 柵極
NexFET功率模塊（TI）

德州儀器 (TI) 宣布推出一款可在 25 A 電流下實(shí)現(xiàn)超過 90% 高效率的同步 MOSFET 半橋，其占位面積僅為同類競(jìng)爭(zhēng)功率 MOSFET 器件的 50%。TI 全新 CSD86350Q5D 功率模塊通過高級(jí)封裝將 2 個(gè)非對(duì)稱 NexFET 功率 MOSFET

功率器件
2010-06-15

功率模塊 NEX FET
消息稱中國(guó)移動(dòng)139郵箱可能將改為10086郵箱

6月13日消息，在中國(guó)移動(dòng)正將公司現(xiàn)有域名從chinamobile.com全部轉(zhuǎn)向10086.cn的同時(shí)，知情人士透露，中國(guó)移動(dòng)用戶的139郵箱也可能改為10086郵箱，這一事宜尚未得到中國(guó)移動(dòng)證實(shí)。去年，浙江移動(dòng)市場(chǎng)部花下15萬元買下

通信技術(shù)
2010-06-13

中國(guó)移動(dòng) COM CHINA FET

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FET

英特爾發(fā)表多柵極型產(chǎn)品，在III-V族溝道FET一馬當(dāng)先

簡(jiǎn)易的電源指示器欠壓/過壓檢測(cè)

賽維LDK與比亞迪達(dá)成多晶硅銷售協(xié)議

賽維LDK與比亞迪達(dá)成3億美元多晶硅銷售交易

賽維LDK欣喜與比亞迪達(dá)成多晶硅銷售交易

DIOFET器件DMS3014SSS和DMS3015SSS（Diodes）

DIOFET器件DMS3014SSS和DMS3015SSS（Diodes）

僑興移動(dòng)資產(chǎn)收購(gòu)案凸顯公司治理缺陷

40V JFET輸入運(yùn)算放大器（Intersil）

如何對(duì)反向轉(zhuǎn)換器的FET關(guān)斷電壓進(jìn)行緩沖

新型納米晶體管可直接探測(cè)細(xì)胞內(nèi)部

IBM瞄準(zhǔn)10nm以下工藝

友達(dá)斥資12億日元收購(gòu)索尼旗下FET

英特爾工藝開發(fā)負(fù)責(zé)人談15nm工藝以后的CMOS技術(shù)

寬帶Difet運(yùn)算放大器電路

FET輸入高保真運(yùn)算放大器電路

IBM確認(rèn)瞄準(zhǔn)10nm以下工藝

IBM采用直徑3nm FET25級(jí)環(huán)形振蕩器動(dòng)作，瞄準(zhǔn)10nm以下工藝

NexFET功率模塊（TI）

消息稱中國(guó)移動(dòng)139郵箱可能將改為10086郵箱

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