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分析師稱Sprint很可能選擇保持獨(dú)立

北京時(shí)間9月18日凌晨消息，據(jù)國(guó)外媒體昨日?qǐng)?bào)道，有關(guān)德國(guó)電信可能對(duì)Sprint發(fā)起收購(gòu)要約的傳言正繼續(xù)減弱。本周早些時(shí)候有報(bào)道稱，德國(guó)電信已聘用德意志銀行(Deutsche Bank)來(lái)評(píng)估對(duì)Sprint發(fā)起收購(gòu)要約事宜，但分析師

通信技術(shù)
2009-09-18

SPRINT 德國(guó)電信 FET iPhone
墨西哥電信業(yè)望從中國(guó)引資

據(jù)商務(wù)部網(wǎng)站援引墨西哥《經(jīng)濟(jì)學(xué)家報(bào)》的報(bào)道，墨西哥國(guó)家電信協(xié)會(huì)（COFETEL）近日表示，中國(guó)電信業(yè)在世界范圍內(nèi)有較為明顯的技術(shù)和價(jià)格優(yōu)勢(shì)，墨西哥愿大力推動(dòng)中國(guó)電信企業(yè)來(lái)墨投資，并給中國(guó)企業(yè)提供一定的優(yōu)惠條件

通信技術(shù)
2009-09-09

電信中國(guó)電信 TE FET
嵌入式設(shè)計(jì)技術(shù)在選擇電源FET中的應(yīng)用

嵌入式設(shè)計(jì)技術(shù)在選擇電源FET中的應(yīng)用

嵌入式教程
2009-06-24

電源開關(guān)損耗嵌入式設(shè)計(jì) FET
意法半導(dǎo)體與FET簽約推廣超薄鋰電池技術(shù)

芯片廠商意法半導(dǎo)體(ST)日前宣布，與美國(guó)下一代充電電池開發(fā)商FET簽署商業(yè)協(xié)議，在新的應(yīng)用市場(chǎng)采用FET的“納米能源”超薄鋰電池技術(shù)。物理彈性是超薄固態(tài)電池技術(shù)的一個(gè)主要特征，它可以做成“可彎曲”的超薄電池

半導(dǎo)體
2009-05-24

鋰電池意法半導(dǎo)體電池技術(shù) FET
ST將納米能源電池技術(shù)推廣到全新應(yīng)用市場(chǎng)

意法半導(dǎo)體(ST)宣布與Front Edge Technology(FET)簽署一份商業(yè)協(xié)議，意法半導(dǎo)體將在新的應(yīng)用市場(chǎng)采用FET的“納米能源”(NanoEnergy®)超薄鋰電池技術(shù)。這項(xiàng)新技術(shù)填補(bǔ)了現(xiàn)有的儲(chǔ)能設(shè)備與尖端電子技術(shù)之

模擬
2009-05-11

應(yīng)用市場(chǎng) 電池技術(shù) ST FET
高清事業(yè)再受重挫!索尼停止FED技術(shù)研發(fā)

3月26日，索尼宣布將停止FED顯示技術(shù)的研發(fā)活動(dòng)，原因在于目前資金周轉(zhuǎn)困難，同時(shí)需要投入巨額設(shè)備資金，索尼在短期內(nèi)很難讓該項(xiàng)顯示技術(shù)商品化并從中獲利。目前索尼已經(jīng)開始對(duì)屬下子公司FET（Field Emission Techno

顯示光電
2009-03-27

索尼顯示技術(shù) EMISSION FET
BiFET功放的集成功率管理為3G手機(jī)省電多達(dá)25%

　　消費(fèi)者對(duì)數(shù)據(jù)和多媒體的需求促使全世界的電信運(yùn)營(yíng)商把2G升級(jí)至3G 或以上的網(wǎng)絡(luò)。這種趨勢(shì)給了移動(dòng)設(shè)備設(shè)計(jì)傳遞了很強(qiáng)烈的信號(hào)?！　?G手機(jī)除了提供有競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格,還必須傳輸更高的功率，更優(yōu)的線性度及更好的效

消費(fèi)電子
2009-03-17

功放成功率 3G手機(jī) FET
BiFET功放的集成功率管理為3G手機(jī)省電多達(dá)25%

　　消費(fèi)者對(duì)數(shù)據(jù)和多媒體的需求促使全世界的電信運(yùn)營(yíng)商把2G升級(jí)至3G 或以上的網(wǎng)絡(luò)。這種趨勢(shì)給了移動(dòng)設(shè)備設(shè)計(jì)傳遞了很強(qiáng)烈的信號(hào)。　　3G手機(jī)除了提供有競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格,還必須傳輸更高的功率，更優(yōu)的線性度及更好的效

電源
2009-03-14

功放成功率 3G手機(jī) FET
BiFET功放的集成功率管理為3G手機(jī)省電多達(dá)25%

　　消費(fèi)者對(duì)數(shù)據(jù)和多媒體的需求促使全世界的電信運(yùn)營(yíng)商把2G升級(jí)至3G 或以上的網(wǎng)絡(luò)。這種趨勢(shì)給了移動(dòng)設(shè)備設(shè)計(jì)傳遞了很強(qiáng)烈的信號(hào)。　　3G手機(jī)除了提供有競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格,還必須傳輸更高的功率，更優(yōu)的線性度及更好的效

線性電源
2009-03-14

功放成功率 3G手機(jī) FET
四步驟讓你搞定模擬電路學(xué)習(xí)

眾所周知，模擬電路難學(xué)，以最普遍的晶體管來(lái)說(shuō)，我們分析它的時(shí)候必須首先分析直流偏置，其次在分析交流輸出電壓?？梢哉f(shuō)，確定工作點(diǎn)就是一項(xiàng)相當(dāng)麻煩的工作（實(shí)際中來(lái)說(shuō)），晶體管的參數(shù)多、參數(shù)的離散性也較大。

充電吧
2009-03-12

模擬電路功能模塊晶體管電路 FET
新型電聲產(chǎn)品接口技術(shù)

新型電聲產(chǎn)品是數(shù)碼產(chǎn)品配套新潮　　當(dāng)今主要電聲產(chǎn)品有高性能麥克風(fēng)/話柄式麥克風(fēng)與平衡電樞式受話器及硅麥克風(fēng)/超聲聲波傳感器等。　　麥克風(fēng)(又稱傳聲器或換能器)每年的銷售一半是非常廉價(jià)的低檔傳聲器，面向玩具

工業(yè)控制
2009-03-03

接口技術(shù) 數(shù)字麥克風(fēng) BSP FET
散射方法測(cè)量嵌入式SiGe間隔結(jié)構(gòu)

散射測(cè)量方法日益應(yīng)用于復(fù)雜結(jié)構(gòu)的測(cè)量，并逐漸在間隔層的量測(cè)中占據(jù)主導(dǎo)地位。數(shù)量級(jí)在10nm或更薄的間隔層測(cè)量尤其困難。除間隔層厚度外，由間隔層過(guò)刻蝕導(dǎo)致的基板凹陷深度也對(duì)器件有著明顯的影響。嵌入式

測(cè)試測(cè)量
2009-02-27

嵌入式 BSP SIGE FET

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分析師稱Sprint很可能選擇保持獨(dú)立

墨西哥電信業(yè)望從中國(guó)引資

嵌入式設(shè)計(jì)技術(shù)在選擇電源FET中的應(yīng)用

意法半導(dǎo)體與FET簽約推廣超薄鋰電池技術(shù)

ST將納米能源電池技術(shù)推廣到全新應(yīng)用市場(chǎng)

高清事業(yè)再受重挫!索尼停止FED技術(shù)研發(fā)

BiFET功放的集成功率管理為3G手機(jī)省電多達(dá)25%

BiFET功放的集成功率管理為3G手機(jī)省電多達(dá)25%

BiFET功放的集成功率管理為3G手機(jī)省電多達(dá)25%

四步驟讓你搞定模擬電路學(xué)習(xí)

新型電聲產(chǎn)品接口技術(shù)

散射方法測(cè)量嵌入式SiGe間隔結(jié)構(gòu)

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