FET

Life Tech：半導(dǎo)體技術(shù)才是測序的未來

2011年度的瑞銀全球生命科學(xué)大會（UBSGlobalLifeSciencesConference）于9月19-21日在紐約舉行。幾百家生物公司的CEO將在頂級機(jī)構(gòu)投資者面前發(fā)表講話，每人30分鐘。在經(jīng)歷了疲軟的第二季度之后，LifeTechnologies的CE

對降壓調(diào)整器的高降壓比率進(jìn)行控制

許多較老的單片降壓型開關(guān)調(diào)整器采用了片上反饋環(huán)路補(bǔ)償。盡管這有助于實(shí)現(xiàn)非常簡單的設(shè)計流程，但是，它通常不容許對環(huán)路動態(tài)特性進(jìn)行最優(yōu)化。結(jié)果就是需要選擇功率路徑元器件以適應(yīng)反饋環(huán)路的要求，一般來說，這是

微處理器的電源管理方案

隨著領(lǐng)先微處理器的每一代后續(xù)產(chǎn)品對電流的需求不斷提高，為了使功耗保持在可管理的水平，就需要把工作電壓降至更低。同時，這些高電流水平帶來極大的電流變化率(di/dt)，因而使電壓調(diào)節(jié)(即穩(wěn)壓)也變得更加困難得多。

計算機(jī)電源“白金”化

80+TM 和計算機(jī)產(chǎn)業(yè)拯救氣候行動計劃 (Climate Savers Computing) ™ 給計算機(jī)電源設(shè)立了一個強(qiáng)有力的效率標(biāo)準(zhǔn)。這些標(biāo)準(zhǔn)的“白金”級別規(guī)定計算機(jī)電源在 20% 額定負(fù)載狀態(tài)下必須有 90% 的效率，50

美國國家半導(dǎo)體推出業(yè)界首款針對增強(qiáng)型氮化鎵功率FET 100V半橋柵極驅(qū)動器

21ic訊 美國國家半導(dǎo)體公司近日宣布，推出業(yè)界首款針對高壓電源轉(zhuǎn)換器的增強(qiáng)型氮化鎵（GaN）功率場效應(yīng)晶體管（FET）而優(yōu)化的100V半橋柵極驅(qū)動器。美國國家半導(dǎo)體新推出的LM5113是一款高度集成的高邊和低邊GaN FET驅(qū)

墨西哥政府將因服務(wù)質(zhì)量處罰5家電信運(yùn)營商

北京時間6月16日下午消息（張?jiān)录t）周三，墨西哥電信監(jiān)管機(jī)構(gòu)Cofetel稱將向5家電信運(yùn)營商進(jìn)行處罰，原因在于運(yùn)營商的不合標(biāo)準(zhǔn)的服務(wù)。Cofetel稱，自2003年以來，至少有16項(xiàng)服務(wù)質(zhì)量不合標(biāo)準(zhǔn)，Cofetel沒有詳細(xì)說明將

傳感器與AD822型單電源、電源正負(fù)限輸出、低功耗FET輸入運(yùn)算放大電路

傳感器橋與AD824型正負(fù)電源限輸出FET輸入運(yùn)算放大器電路

傳感器 OPA604型低失真FET輸入運(yùn)算放大電路

AD824型單電源正負(fù)電源限輸出低功耗FET輸入運(yùn)算放大器

EPC發(fā)布兩款無鉛且符合RoHS要求的eGaN FET

21ic訊 宜普電源轉(zhuǎn)換公司(www.epc-co.com)宣布推出EPC2001和EPC2015兩種無鉛且符合RoHS(有害物質(zhì)限制條例)要求的增強(qiáng)型氮化鎵 (eGaN™) FET。 EPC2001 FET是一種100 VDS器件，RDS(ON) 最大值是7mΩ，柵

EPC發(fā)布兩款無鉛且符合RoHS要求的eGaN FET

21ic訊 宜普電源轉(zhuǎn)換公司(www.epc-co.com)宣布推出EPC2001和EPC2015兩種無鉛且符合RoHS(有害物質(zhì)限制條例)要求的增強(qiáng)型氮化鎵 (eGaN™) FET。 EPC2001 FET是一種100 VDS器件，RDS(ON) 最大值是7mΩ，柵

EPC發(fā)布兩款無鉛且符合RoHS要求的eGaN FET

21ic訊 宜普電源轉(zhuǎn)換公司(www.epc-co.com)宣布推出EPC2001和EPC2015兩種無鉛且符合RoHS(有害物質(zhì)限制條例)要求的增強(qiáng)型氮化鎵 (eGaN™) FET。 EPC2001 FET是一種100 VDS器件，RDS(ON) 最大值是7mΩ，柵

用FET的AGC電路

使用FET的音頻AGC電路

FET 給出30dB增益范圍的AGC電路

不同類型無觸點(diǎn)開關(guān)的性能比較

1　前言　　傳統(tǒng)的集成模擬開關(guān)電路如ADG211系列等由于其接觸電阻在幾十Ω至數(shù)百Ω范圍，不能滿足功率器件的開關(guān)控制要求。由于半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，目前已經(jīng)有諸多無觸點(diǎn)開關(guān)可供設(shè)計者選用。無觸點(diǎn)開關(guān)在電

不同類型無觸點(diǎn)開關(guān)的性能比較

1　前言　　傳統(tǒng)的集成模擬開關(guān)電路如ADG211系列等由于其接觸電阻在幾十Ω至數(shù)百Ω范圍，不能滿足功率器件的開關(guān)控制要求。由于半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，目前已經(jīng)有諸多無觸點(diǎn)開關(guān)可供設(shè)計者選用。無觸點(diǎn)開關(guān)在電

差動輸入FET緩沖的電流源電路圖

差動輸入FET緩沖的電流源電路圖