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  • 基于Nios的溫備份智能容錯系統(tǒng)的設(shè)計

    　本文提出的軟硬件設(shè)計思想經(jīng)實踐證明是可行的，并且在實際的系統(tǒng)中工作良好。該思想可以進一步推廣到多機容錯系統(tǒng)中。在多機系統(tǒng)中，我們在定制好各臺機器的工作計劃后，就可以利用本文提到的給每臺服務(wù)器一個計劃運行時間這一思想來解決實際問題。另外，使用Nios軟核處理器，可以定制很多的UART口，這一點就遠遠優(yōu)于需要擴展串口電路的普通單片機，從而在硬件設(shè)計和軟件設(shè)計上大大降低了難度。

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    2011-08-19
    NIOS 硬盤 BSP Flash

  • 基于Nios的溫備份智能容錯系統(tǒng)的設(shè)計

    　本文提出的軟硬件設(shè)計思想經(jīng)實踐證明是可行的，并且在實際的系統(tǒng)中工作良好。該思想可以進一步推廣到多機容錯系統(tǒng)中。在多機系統(tǒng)中，我們在定制好各臺機器的工作計劃后，就可以利用本文提到的給每臺服務(wù)器一個計劃運行時間這一思想來解決實際問題。另外，使用Nios軟核處理器，可以定制很多的UART口，這一點就遠遠優(yōu)于需要擴展串口電路的普通單片機，從而在硬件設(shè)計和軟件設(shè)計上大大降低了難度。

  • 基于Nios的溫備份智能容錯系統(tǒng)的設(shè)計

    基于Nios的溫備份智能容錯系統(tǒng)的設(shè)計

  • 基于Nios的溫備份智能容錯系統(tǒng)的設(shè)計

    基于Nios的溫備份智能容錯系統(tǒng)的設(shè)計

  • 飛索半導(dǎo)體宣布第一個4-Gb NOR flash產(chǎn)品

    NOR閃存供應(yīng)商飛索半導(dǎo)體公司宣布，它所說的是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的第一單芯片，4千兆位（GB）NOR產(chǎn)品，在65納米節(jié)點上實現(xiàn)。據(jù)Spansion公司說，最新的GL-S產(chǎn)品線提供高品質(zhì)和快速讀取性能，4 GB的NOR設(shè)備于本月初采樣，Span

  • EA創(chuàng)始人：蘋果已跨上巔峰 將在一兩年內(nèi)衰落

    EA創(chuàng)始人特里普·霍金斯(Trip Hawkins)今天表示，盡管如今的蘋果已成為科技界的羅馬帝國，占據(jù)統(tǒng)治地位，但這家如日中天的科技巨頭將很快衰落?；艚鹚拐f：“回顧歷史上一切強權(quán)——如羅馬帝國&

  • NAND Flash合約價續(xù)跌　下半年可望回升

    計算機用DRAM芯片價格快速下跌，NAND Flash合約價也從6月起出現(xiàn)陡峭跌幅，2個月內(nèi)出現(xiàn)2011年來最低價2美元紀錄。下半年則因智能型手機(Smartphone)與平板計算機 (Tablet PC)新品陸續(xù)問世，可望帶動NAND Flash價格回升

  • NAND Flash合約價續(xù)跌　下半年可望回升

    據(jù)韓國電子新聞報導(dǎo)，計算機用DRAM芯片價格快速下跌，NANDFlash合約價也從6月起出現(xiàn)陡峭跌幅，2個月內(nèi)出現(xiàn)2011年來最低價2美元紀錄。下半年則因智能型手機(Smartphone)與平板計算機(TabletPC)新品陸續(xù)問世，可望帶動

  • 晶圓探針卡

    李洵穎 晶圓探針卡為半導(dǎo)體在制造晶圓階段，不可或缺的重要測試分析介面，廣泛應(yīng)用于記憶體IC如DRAM、SRAM及Flash等、邏輯IC產(chǎn)品、消費性IC產(chǎn)品、驅(qū)動IC、通訊IC產(chǎn)品、電源IC、電子儀器，以及醫(yī)療設(shè)備用IC等科技產(chǎn)品

  • 〈熱門族群〉半導(dǎo)體Q3調(diào)庫存 封測旺季不旺

    記者洪友芳／專題報導(dǎo) 半導(dǎo)體業(yè)第三季確定進入庫存調(diào)整期，封測業(yè)也旺季不旺，預(yù)估將呈現(xiàn)小幅成長或微衰退的走勢。 封測業(yè)法說會陸續(xù)展開，上周矽品（2325）已打頭陣。矽品 董事長林文伯指出，日本地震后，因部

  • 觀察站╱鐵嘴說探底 封測三雄起舞

    矽品(2325)昨日率先揭開封測廠的法說序幕，董事長林文伯表示，第三季雖有庫存調(diào)整壓力，但調(diào)幅不會太大，景氣預(yù)期最遲在7、8月探底，9月以后就會逐步回升，并沒有外界看得悲觀，市場需求還是在的。今天是封測股王力成

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    2011-07-29
    DRAM EPS MOBILE Flash

  • 三星資本支出與預(yù)期大相徑庭

    三星電子執(zhí)行長崔志成(Choi Gee-sung) 25日表示，三星下半年的資本支出也不會減少，且還會高于原先預(yù)期，因為公司過去一貫的傳統(tǒng)都不會僅依據(jù)一年的營運展望來擬定投資計畫；這象征在DRAM 產(chǎn)業(yè)價格血流成河，且NAND

  • 三星今年資本支出不降反升 同業(yè)擔憂

    外電指出，三星電子(Samsung Electronics)執(zhí)行長崔志成(Choi Gee-sung) 25日表示，三星下半年的資本支出也不會減少，且還會高于原先預(yù)期，因為公司過去一貫的傳統(tǒng)都不會僅依據(jù)一年的營運展望來擬定投資計畫;這象征在

  • C6000系列DSP Flash二次加載技術(shù)研究

    引言 TI公司C6000系列DSP具有強大的處理能力，在嵌入式系統(tǒng)中有著廣泛的應(yīng)用。由于程序在DSP內(nèi)部存儲器的運行速度遠大于片外存儲器的運行速度，通常需要將程序從外部加載到DSP內(nèi)部運行。由于C6000系列DSP均沒有

  • C6000系列DSP Flash二次加載技術(shù)研究

    C6000系列DSP Flash二次加載技術(shù)研究

  • 東芝和新帝Fab 5新廠

    連于慧 NAND Flash大廠東芝(Toshiba)和快閃記憶卡大廠新帝(SanDisk) 于日本三重縣四日市合資新12吋晶圓廠Fab 5，此座新廠是采用2層式鋼結(jié)構(gòu)混凝土建筑，共達5層樓，建筑面積約38,000平方米，使用面積約187,000平方米

  • 東芝欲取代三星成為全球第一大閃存制造商

    （中濤）北京時間7月12日消息，據(jù)路透社報道，東芝總裁佐佐木則夫(Norio Sasaki)近日表示，東芝希望不久超過韓國三星電子，進而成為全球第一大閃存(flash memory)產(chǎn)品制造商。 佐佐木則夫在視察日本一家新建芯片

  • 三星、東芝NAND Flash市占差距縮減至0.3%

    據(jù)韓國媒體報導(dǎo)，2011年第1季NANDFlash市場上，日廠東芝(Toshiba)猛力追擊，以市占率0.3%差距，威脅三星電子(SamsungElectronics)8年來業(yè)界第1的地位。然而在快速成長的行動DRAM市場上，三星仍坐擁壓倒性的市占率。外

  • 基于FPGA的NAND Flash ECC校驗

    摘要 基于Flash存儲器的Hamming編碼原理，在Altera QuartusⅡ7．0開發(fā)環(huán)境下，實現(xiàn)ECC校驗功能。測試結(jié)果表明，該程序可實現(xiàn)每256 Byte數(shù)據(jù)生成3 Byte的ECC校驗數(shù)據(jù)，能夠檢測出1 bit錯誤和2 bit錯誤，對于1 bit錯誤

  • 封測3雄力成6月最亮

    封測三雄日月光(2311)、矽品(2325)、力成(6239)，6月合并營收增減互見，但以整體第二季營收來看，季營收仍比第一季成長，受到客戶延遲下單沖擊不大，相較其他半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)為佳，以力成6月合并營收續(xù)創(chuàng)歷史新高最為