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扎根中國，瑞薩電子看好數(shù)據(jù)需求和CASE領(lǐng)域
瑞薩電子本著扎根中國、服務(wù)中國的原則，一直致力于推動在中國的本土化活動。瑞薩電子比較看好的有數(shù)據(jù)和數(shù)據(jù)中心相關(guān)領(lǐng)域以及對數(shù)據(jù)需求的爆炸式增長，提供從網(wǎng)絡(luò)核心，從內(nèi)存和接口、光學(xué)產(chǎn)品到低延遲HBM（一直到網(wǎng)絡(luò)端點）的所有解決方案。此外，還將擴展模擬和電源產(chǎn)品到xEV（BMIC / IGBT），ADAS/自動駕駛傳感器（Lidar / Radar）領(lǐng)域，這一戰(zhàn)略也已經(jīng)通過Intersil/IDT的收購付諸實踐。
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臺積電宣布3200平方毫米巨型芯片：整合封裝12顆HBM
除了5nm、4nm、3nm、2nm工藝進展和規(guī)劃，臺積電近日還公布了不少新的芯片封裝技術(shù)，畢竟隨著高性能計算需求的與日俱增、半導(dǎo)體工藝的日益復(fù)雜，單靠升級制程工藝已經(jīng)不能解決所有問題。 臺積電的CoW
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從HBM到HBM2E，推動超高速存儲器半導(dǎo)體發(fā)展
雖然封裝不易，但 HBM 存儲器依舊會被 AMD 或者是 NVIDIA 導(dǎo)入。SK海力士宣布推出 HBM2E 標準存儲器，而這也是接續(xù) Samsung 之后的第二家;不同于 Samsung 稱為 Flashbolt，SK海力士方面只用 HBM2E 來稱呼它。
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DDR內(nèi)存會很快被HBM內(nèi)存淘汰嗎？
這一年來有關(guān)國內(nèi)公司進軍內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的消息甚囂塵上，紫光公司憑借原有的英飛凌、奇夢達基礎(chǔ)在DDR3內(nèi)存上已經(jīng)作出了突破，小批量生產(chǎn)了DDR3內(nèi)存，下半年還會推出更主流的DDR4內(nèi)存芯片，正在努力追趕國際主流水平。但是放眼整個內(nèi)存市場，DDR5內(nèi)存很快就要來了，更可怕的是未來即便是DDR5內(nèi)存也很可能被更新的技術(shù)淘汰，業(yè)界已經(jīng)有人提出了DDR內(nèi)存將死的看法，未來需要高帶寬的產(chǎn)品將轉(zhuǎn)向HBM內(nèi)存，2020年會有HBM 3內(nèi)存，2024年則會有HBM 4內(nèi)存，屆時帶寬可達8TB/s，單插槽容量可達512GB。
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HBM顯存大升級：單顆容量8GB 帶寬256GB/s
AMD Fiji系列顯卡已經(jīng)首發(fā)用上了HBM高帶寬顯存，而在今年，AMD、NVIDIA的新一代顯卡都會用上第二代的HBM2。近日，JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會宣布，JESD235 HBM DRAM標準規(guī)范升級為新版“JESD235A”。新版充分融入了
