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一種應(yīng)用于深亞微米存儲器的電荷泵設(shè)計(jì)
因只讀存儲器的基本存儲單元只進(jìn)行一次編程，編程后的數(shù)據(jù)能長時(shí)間保存，且在編程時(shí)需要流過mA級以上的電流，所以只讀存儲器編程時(shí)通常采用外加編程高壓，內(nèi)部的電荷泵。在
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MOSFET雙峰效應(yīng)的評估方法簡介
金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)是由一個(gè)金氧半(MOS)二機(jī)體和兩個(gè)與其緊密鄰接的P-n接面(p-n junction)所組成。自從在1960年首次證明后，MOSFET快速的發(fā)展
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恩智浦推出新型汽車級TrenchMOS器件
21ic訊 恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V.日前宣布推出全新汽車級功率MOSFET器件系列，該系列采用恩智浦的Trench 6技術(shù)，具有極低導(dǎo)通電阻（RDSon）、極高的開關(guān)性能以及出色的品質(zhì)和可靠性。恩智浦新型汽車級MOS
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恩智浦推出新型汽車級TrenchMOS器件
21ic訊 恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V.日前宣布推出全新汽車級功率MOSFET器件系列，該系列采用恩智浦的Trench 6技術(shù)，具有極低導(dǎo)通電阻（RDSon）、極高的開關(guān)性能以及出色的品質(zhì)和可靠性。恩智浦新型汽車級MOS
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飛兆推出Generation II XS DrMOS器件
21ic訊 高效率、大電流處理能力和小外形尺寸是電源設(shè)計(jì)人員選擇用于電壓調(diào)節(jié)器解決方案的元件的至關(guān)重要的因素，為了滿足這一需求，飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)出一系列Generation II XS DrMOS (集
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飛兆推出Generation II XS DrMOS器件
21ic訊 高效率、大電流處理能力和小外形尺寸是電源設(shè)計(jì)人員選擇用于電壓調(diào)節(jié)器解決方案的元件的至關(guān)重要的因素，為了滿足這一需求，飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)出一系列Generation II XS DrMOS (集
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新款DrMOS器件（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出一款在一個(gè)PowerPAK® MLF6x6封裝內(nèi)集成DrMOS解決方案的器件 --- SiC769，該器件同時(shí)提供了高壓側(cè)和低壓側(cè)的N溝道MOSFET，外加全功能的MOSFET驅(qū)動(dòng)器IC。SiC769分別
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新款DrMOS器件（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出一款在一個(gè)PowerPAK® MLF6x6封裝內(nèi)集成DrMOS解決方案的器件 --- SiC769，該器件同時(shí)提供了高壓側(cè)和低壓側(cè)的N溝道MOSFET，外加全功能的MOSFET驅(qū)動(dòng)器IC。SiC769分別
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關(guān)于MOSFET的雙峰效應(yīng)量化評估研究
摘 要：介紹一種關(guān)于雙峰效應(yīng)(Double－Hump)的評估方法。通過對MOSFET的Id～Vg曲線的分析，雙峰效應(yīng)的程度可以用數(shù)字化評估。采取這種量化表征，細(xì)致地研究了雙峰效應(yīng)與摻雜濃度的關(guān)系。建立了MOS的Vt和Punch-throug
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關(guān)于MOSFET的雙峰效應(yīng)量化評估研究
摘 要：介紹一種關(guān)于雙峰效應(yīng)(Double－Hump)的評估方法。通過對MOSFET的Id～Vg曲線的分析，雙峰效應(yīng)的程度可以用數(shù)字化評估。采取這種量化表征，細(xì)致地研究了雙峰效應(yīng)與摻雜濃度的關(guān)系。建立了MOS的Vt和Punch-throug
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Intel研發(fā)高管展望化合物半導(dǎo)體前景
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新型組合式COOLMOS器件在開關(guān)電源中的應(yīng)用研究
COOLMOS ICE2A165/265/365是Infineon technologies 公司推出的系列PWM+MOSFET二合一芯片。
