MOSFET
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Zetex 推出N溝道增強(qiáng)模式MOSFET
Zetex Semiconductors 近日推出三款為有限驅(qū)動電壓應(yīng)用設(shè)計的N 溝道增強(qiáng)模式 MOSFET。
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Holtek 推出高壓MOSFET閘極驅(qū)動器
HOLTEK半導(dǎo)體針對三相直流無刷馬達(dá)控制領(lǐng)域，推出專用MCU-HT45RM03并搭配高壓MOSFET 閘極驅(qū)動器 - HT45B0C (High Voltage MOSFET Driver)，提供客戶在三相直流無刷馬達(dá)的控制應(yīng)用領(lǐng)域上一個整體方案。
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Holtek 推出高壓MOSFET閘極驅(qū)動器
HOLTEK半導(dǎo)體針對三相直流無刷馬達(dá)控制領(lǐng)域，推出專用MCU-HT45RM03并搭配高壓MOSFET 閘極驅(qū)動器 - HT45B0C (High Voltage MOSFET Driver)，提供客戶在三相直流無刷馬達(dá)的控制應(yīng)用領(lǐng)域上一個整體方案。
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瑞薩 發(fā)布功率因數(shù)校正控制IC
瑞薩科技公司（Renesas）宣布，推出業(yè)界第一款可實(shí)現(xiàn)間插操作的臨界導(dǎo)通模式功率因數(shù)校正控制IC R2A20112，可以實(shí)現(xiàn)數(shù)字家電等產(chǎn)品的電源單元PFC電路。
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瑞薩 發(fā)布功率因數(shù)校正控制IC
瑞薩科技公司（Renesas）宣布，推出業(yè)界第一款可實(shí)現(xiàn)間插操作的臨界導(dǎo)通模式功率因數(shù)校正控制IC R2A20112，可以實(shí)現(xiàn)數(shù)字家電等產(chǎn)品的電源單元PFC電路。
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Vishay 提供免費(fèi)在線MOSFET熱模擬工具
Vishay Intertechnology, Inc.在其網(wǎng)站上推出一款網(wǎng)上工具，可供設(shè)計人員詳細(xì)模擬在各種應(yīng)用中Vishay Siliconix MOSFET 在運(yùn)行時的熱效應(yīng)情況及其受鄰近元件的影響如何。
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Vishay 提供免費(fèi)在線MOSFET熱模擬工具
Vishay Intertechnology, Inc.在其網(wǎng)站上推出一款網(wǎng)上工具，可供設(shè)計人員詳細(xì)模擬在各種應(yīng)用中Vishay Siliconix MOSFET 在運(yùn)行時的熱效應(yīng)情況及其受鄰近元件的影響如何。
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IR 推出200V DirectFET MOSFET
國際整流器公司 (IR) 推出IRF6641TRPbF 功率MOSFET，采用 IR標(biāo)準(zhǔn)的 DirectFET 封裝技術(shù)結(jié)合 IR 最新的200V HEXFET MOSFET硅技術(shù)，可實(shí)現(xiàn) 95% 的效率。
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IR 推出200V DirectFET MOSFET
國際整流器公司 (IR) 推出IRF6641TRPbF 功率MOSFET，采用 IR標(biāo)準(zhǔn)的 DirectFET 封裝技術(shù)結(jié)合 IR 最新的200V HEXFET MOSFET硅技術(shù)，可實(shí)現(xiàn) 95% 的效率。
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IR 推出200V DirectFET MOSFET
國際整流器公司 (IR) 推出IRF6641TRPbF 功率MOSFET，采用 IR標(biāo)準(zhǔn)的 DirectFET 封裝技術(shù)結(jié)合 IR 最新的200V HEXFET MOSFET硅技術(shù)，可實(shí)現(xiàn) 95% 的效率。
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Fairchild 擴(kuò)充低RDS(ON) MOSFET產(chǎn)品系列
飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild) 擴(kuò)充其AEC-Q101認(rèn)證的30V和40V MOSFET產(chǎn)品系列，推出11種新型器件。
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Fairchild 推出新型MicroFET MOSFET產(chǎn)品
飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild) 推出11種新型MicroFET™ MOSFET產(chǎn)品，提供業(yè)界最廣泛的的散熱增強(qiáng)型超緊湊、低高度 (2 x 2 x 0.8mm) 器件，面向30V和20V以下的低功耗應(yīng)用.
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Fairchild 推出新型MicroFET MOSFET產(chǎn)品
飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild) 推出11種新型MicroFET™ MOSFET產(chǎn)品，提供業(yè)界最廣泛的的散熱增強(qiáng)型超緊湊、低高度 (2 x 2 x 0.8mm) 器件，面向30V和20V以下的低功耗應(yīng)用.
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TI 推出4A高速M(fèi)OSFET驅(qū)動器
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TI 推出4A高速M(fèi)OSFET驅(qū)動器
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驅(qū)動多個固態(tài)繼電器的單個振蕩器
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驅(qū)動多個固態(tài)繼電器的單個振蕩器
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電源模塊設(shè)計分析
電源模塊是可以直接貼裝在印刷電路板上的電源供應(yīng)器 (參看圖1)，其特點(diǎn)是可為專用集成電路（ASIC）、數(shù)字信號處理器 (DSP)、微處理器、存儲器、現(xiàn)場可編程門陣列 (FPGA) 及其他數(shù)字或模擬負(fù)載提供供電。
