今天,小編將在這篇文章中為大家?guī)鞰OSFET的有關報道,通過閱讀這篇文章,大家可以對MOSFET具備清晰的認識,主要內(nèi)容如下。
使用高端N溝道MOSFET開關的熱插拔器件在啟動和限流期間可能會發(fā)生振蕩。雖然這不是新問題,但數(shù)據(jù)手冊通常缺少解決方案的詳細信息。如果不了解基本原理,只是添加一個小柵極電阻進行簡單修復,可能會導致電路布局容易產(chǎn)生振蕩。本文旨在解釋寄生振蕩的理論,并為正確實施解決方案提供指導。
交流電(AC)電源幾乎用于所有的住宅、商業(yè)和工業(yè)需求。但是交流電最大的問題是它不能儲存起來以備將來使用。交流電被轉(zhuǎn)換成直流電,然后直流電被儲存在電池和超級電容器中?,F(xiàn)在,每當需要交流時,直流又被轉(zhuǎn)換成交流電來運行基于交流電的電器。所以把直流電轉(zhuǎn)換成交流電的裝置就叫做逆變器。
一開始,驅(qū)動電機似乎是一項簡單的任務——只要把電機連接到合適的電壓軌道上,它就會開始旋轉(zhuǎn)。但這并不是驅(qū)動電機的完美方式,特別是當電路中涉及到其他組件時。這里我們將討論一種最常用和最有效的直流電機驅(qū)動方式——H橋電路。
電流源和電流匯是電子設計中使用的兩個主要術(shù)語,這兩個術(shù)語決定了有多少電流可以離開或進入終端。例如,典型8051單片機數(shù)字輸出引腳的吸收電流和源電流分別為1.6mA和60uA。這意味著引腳在高電平時可以提供(源)高達60uA,在低電平時可以接收(接收器)高達1.6mA。在我們的電路設計過程中,我們有時必須建立我們自己的電流源和電流吸收電路。在上一篇教程中,我們使用普通運算放大器和MOSFET構(gòu)建了一個電壓控制的電流源電路,可用于向負載提供電流,但在某些情況下,我們需要電流吸收選項而不是源電流。
在測量行業(yè)中,一個非常關鍵的功能模塊是可編程增益放大器(PGA)。如果您是電子愛好者或大學生,您可能已經(jīng)見過萬用表或示波器非常珍貴地測量非常小的電壓,因為電路具有內(nèi)置PGA和功能強大的ADC,有助于精確測量過程。
由于技術(shù)的進步和更好的設計偏好,大多數(shù)電源現(xiàn)在都非??煽浚捎谥圃烊毕?,或者可能是主開關晶體管或MOSFET壞了,總是有可能發(fā)生故障。此外,它也有可能由于輸入過電壓而失效,盡管像金屬氧化物壓敏電阻(MOV)這樣的保護裝置可以用作輸入保護,但是一旦MOV觸發(fā),它就會使設備失效。
MOSFET是一種利用場效應的晶體管。MOSFET代表金屬氧化物半導體場效應晶體管,它有一個柵極。為了簡單起見,你可以把這個門想象成一個水龍頭你逆時針旋轉(zhuǎn)水龍頭水開始流出水龍頭,你順時針旋轉(zhuǎn)它水停止流出水龍頭。同樣,柵極電壓決定器件的導電性。根據(jù)這個柵極電壓,我們可以改變電導率,因此我們可以把它用作開關或放大器,就像我們用晶體管作為開關或放大器一樣。自20世紀80年代功率MOSFET問世以來,功率開關變得更快、更高效。幾乎所有現(xiàn)代開關電源都使用某種形式的功率mosfet作為開關元件。
在過去的幾十年里,音頻內(nèi)容已經(jīng)走過了漫長的道路,從經(jīng)典的電子管放大器到現(xiàn)代的媒體播放器,技術(shù)進步改變了數(shù)字媒體的消費方式。在所有這些創(chuàng)新中,便攜式媒體播放器已成為消費者的首選之一,因為它們具有充滿活力的音質(zhì)和長電池壽命。那么它是如何工作的,它聽起來是多么的好。作為一個電子發(fā)燒友,這個問題總是出現(xiàn)在我的腦海里。盡管揚聲器技術(shù)取得了進步,但放大器方法的改進發(fā)揮了重要作用,這個問題的明顯答案是D類放大器。因此,在本項目中,我們將借此機會討論D類放大器,并了解其優(yōu)點和缺點。最后,我們將構(gòu)建放大器的硬件原型并測試其性能。聽起來很有趣,對嗎?讓我們開始吧。
但是使用聚苯乙烯泡沫塑料通常需要大量的加熱元件工具,這些工具價格昂貴,對于業(yè)余愛好者來說是遙不可及的。這里最好的選擇是自己創(chuàng)建一個加熱的泡沫塑料切割工具,因為大多數(shù)在線教程都遵循使用固定電源的方法,它們將用戶體驗限制在電線的長度上。因此,在本教程中,我們將使用鎳鉻合金線制作便攜式泡沫切割工具。
當我們在家里做一個定制的RGB LED設置時,基本上它是一堆可尋址的5v LED WS2812,但不幸的是,我們沒有一個高電流的電源來正確地點亮它們。因為有很多,它需要大約9安培的電流來照亮全亮度。這導致我們設計一個電源為這個目的,以及gerber是共享的,所以如果有人想做這個電源,他們可以很容易地做到這一點。
提供業(yè)界領先的低通態(tài)電阻,使電池儲能和電源設備應用的電路設計更加簡化,性能得到提升。
【2024年11月25日, 德國慕尼黑訊】為了滿足AI服務器和電信領域的安全熱插拔操作要求,MOSFET必須具有穩(wěn)健的線性工作模式和較低的 RDS(on) 。英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出的新型OptiMOS? 5 Linear FET 2解決了這一難題,這款MOSFET專為實現(xiàn)溝槽 MOSFET的RDS(on)與經(jīng)典平面 MOSFET 的寬安全工作區(qū)(SOA)之間的理想平衡而設計。該半導體器件通過限制高浪涌電流防止對負載造成損害,并因其低RDS(on) 而能夠在工作期間將損耗降至最低。與上一代產(chǎn)品OptiMOS? Linear FET相比,OptiMOS? Linear FET 2改善了高溫下的 SOA、降低了柵極漏電流,并擴大了封裝選擇范圍。
DC-DC轉(zhuǎn)換器是一種機電設備或電路,用于根據(jù)電路要求將直流電壓從一個電平轉(zhuǎn)換到另一個電平。作為電力轉(zhuǎn)換器家族的一部分,DC-DC轉(zhuǎn)換器可用于小電壓應用,如電池,或高電壓應用,如高壓電力傳輸。
由于 SiC MOSFET 尺寸緊湊、效率更高,并且在高功率應用中具有卓越的性能,因此目前正在開關應用中取代 Si 器件。 SiC 器件可實現(xiàn)更快的開關時間,從而顯著降低開關損耗。這些優(yōu)勢源于 SiC 器件獨特的電氣和材料特性——MOSFET 體二極管結(jié)構(gòu)固有的快速反向恢復,這削弱了 SiC MOSFET 的優(yōu)勢。在快速反向恢復事件期間,設備可能會經(jīng)歷較大的電壓尖峰,從而給設備和整個系統(tǒng)帶來風險。其他設計挑戰(zhàn)包括增加的電磁干擾 (EMI) 和意外故障,例如假柵極事件或寄生導通 。幸運的是,您可以減輕這些影響,從而優(yōu)化系統(tǒng)性能。
面向空調(diào)、家電和工廠自動化等工業(yè)電機驅(qū)動裝置和充電站、儲能系統(tǒng)、電源等能源應用的功率控制
綜合自中汽協(xié)、EVvolumes.com的多方數(shù)據(jù),新能源汽車行業(yè)增長勢頭強勁。我國2021、2022、2023年新能源汽車銷量分別為350萬輛、689萬輛、950萬輛,市場占有率31.6% 預計2024年產(chǎn)銷量1200-1300萬輛,市占率超過45%;約占全世界產(chǎn)銷量60%。
數(shù)據(jù)中心、電動汽車基礎設施和工業(yè)設備中高效電源解決方案的理想選擇
開關電源是利用現(xiàn)代電力電子技術(shù),控制開關管開通和關斷的時間比率,維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源,開關電源一般由脈沖寬度調(diào)制(PWM)控制IC和MOSFET構(gòu)成。
開關電源一般由脈沖寬度調(diào)制PWM控制IC和MOSFET構(gòu)成,控制開關管時間比率維持穩(wěn)定的輸出電壓。