數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車基礎(chǔ)設(shè)施和工業(yè)設(shè)備中高效電源解決方案的理想選擇
開關(guān)電源是利用現(xiàn)代電力電子技術(shù),控制開關(guān)管開通和關(guān)斷的時(shí)間比率,維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源,開關(guān)電源一般由脈沖寬度調(diào)制(PWM)控制IC和MOSFET構(gòu)成。
開關(guān)電源一般由脈沖寬度調(diào)制PWM控制IC和MOSFET構(gòu)成,控制開關(guān)管時(shí)間比率維持穩(wěn)定的輸出電壓。
一直以來,MOSFET都是大家的關(guān)注焦點(diǎn)之一。因此針對(duì)大家的興趣點(diǎn)所在,小編將為大家?guī)鞰OSFET的相關(guān)介紹,詳細(xì)內(nèi)容請(qǐng)看下文。
在導(dǎo)通特性方面,IGBT的導(dǎo)通損耗由器件導(dǎo)通時(shí)的壓降造成,其參數(shù)為Vce(sat),隨溫度變化較小。而SiC MOSFET的導(dǎo)通特性表現(xiàn)得更像一個(gè)電阻輸出特性,具有更小的導(dǎo)通損耗,特別是在電流較小的情況下?2。
雙管正激式開關(guān)電源是一種常見的電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),采用了兩個(gè)功率開關(guān)管進(jìn)行功率調(diào)節(jié)。在這篇文章中,我將詳細(xì)解釋雙管正激式開關(guān)電源的原理、工作方式以及其應(yīng)用領(lǐng)域。
在下述的內(nèi)容中,小編將會(huì)對(duì)MOSFET的相關(guān)消息予以報(bào)道,如果MOSFET是您想要了解的焦點(diǎn)之一,不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。
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MOSFET驅(qū)動(dòng)電路將是下述內(nèi)容的主要介紹對(duì)象,通過這篇文章,小編希望大家可以對(duì)它的相關(guān)情況以及信息有所認(rèn)識(shí)和了解,詳細(xì)內(nèi)容如下。
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本文中,小編將對(duì)MOSFET負(fù)載開關(guān)予以介紹,如果你想對(duì)它的詳細(xì)情況有所認(rèn)識(shí),或者想要增進(jìn)對(duì)它的了解程度,不妨請(qǐng)看以下內(nèi)容哦。
MOSFET,全稱Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,是一種電壓控制型半導(dǎo)體器件。它由金屬、氧化物(如SiO?或SiN)及半導(dǎo)體三種材料制成,具有三個(gè)主要電極:源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)作為兩種重要的半導(dǎo)體功率器件,在電力電子領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。它們各自具有獨(dú)特的優(yōu)缺點(diǎn),以下是對(duì)兩者優(yōu)缺點(diǎn)的詳細(xì)分析:
MOSFET的工作基于柵極電壓對(duì)導(dǎo)電溝道的控制。當(dāng)柵極電壓達(dá)到一定值時(shí),會(huì)在半導(dǎo)體中形成導(dǎo)電溝道,從而控制源極和漏極之間的電流流動(dòng)。
MOSFET 開關(guān)損耗,真正的晶體管需要時(shí)間才能打開或關(guān)閉。因此,在導(dǎo)通和關(guān)斷瞬變期間存在電壓和電流重疊,從而產(chǎn)生交流開關(guān)損耗。
單/雙封裝比傳統(tǒng)封裝具有更優(yōu)異的熱性能
它們的反向摻雜分布是主要區(qū)別:p 通道 MOSFET 依靠空穴作為多數(shù)電荷載流子,產(chǎn)生空穴電流,而 n 通道器件利用電子,產(chǎn)生電子電流。由于電子的遷移率較高,約為空穴的兩到三倍,因此在 p 通道器件中移動(dòng)空穴比在 n 通道器件中移動(dòng)電子更具挑戰(zhàn)性。
在電力電子技術(shù)的快速發(fā)展中,絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)和金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)作為關(guān)鍵的功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電動(dòng)/混合動(dòng)力汽車、工業(yè)變頻器、太陽能逆變器等領(lǐng)域。這些應(yīng)用領(lǐng)域?qū)υO(shè)備的可靠性和性能要求極高,因此,現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器必須具備高效的隔離功能和強(qiáng)大的功率處理能力。本文將深入探討現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器在提供隔離功能時(shí)的最大功率限制及其實(shí)現(xiàn)機(jī)制。
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