MOSFET
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如何設(shè)計MOSFET驅(qū)動電路電源？電源設(shè)計實例、技巧分享！
在這篇文章中，小編將為大家?guī)鞰OSFET驅(qū)動電路電源的設(shè)計。如果你對本文即將要講解的內(nèi)容存在一定興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
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驅(qū)動電路如何設(shè)計？不會就看看這2個范例！
在這篇文章中，小編將為大家?guī)韮煽頜OSFET驅(qū)動電路設(shè)計。如果你對本文即將要講解的內(nèi)容存在一定興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
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功率MOSFET的正反向?qū)ǖ刃щ娐?，你有設(shè)計思路嗎？
本文中，小編將對功率MOSFET的正反向?qū)ǖ刃щ娐酚枰越榻B，如果你想對功率MOSFET的詳細(xì)情況有所認(rèn)識，或者想要增進對它的了解程度，不妨請看以下內(nèi)容哦。
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含寄生參數(shù)的功率MOSFET等效電路設(shè)計，絕！
以下內(nèi)容中，小編將對包含寄生參數(shù)的功率MOSFET等效電路的相關(guān)內(nèi)容進行著重介紹和闡述，希望本文能幫您增進對功率MOSFET等效電路的了解，和小編一起來看看吧。
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設(shè)計一款N溝道MOSFET驅(qū)動電路！超詳細(xì)??！
今天，小編將在這篇文章中為大家?guī)鞱溝道MOSFET驅(qū)動電路設(shè)計的有關(guān)報道
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IGBT硬并聯(lián)存在哪些技術(shù)風(fēng)險？你知道優(yōu)化IGBT硬并聯(lián)的技術(shù)方案嗎？
在下述的內(nèi)容中，小編將會對IGBT硬并聯(lián)技術(shù)優(yōu)化方案予以報道，如果IGBT是您想要了解的焦點之一，不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。
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英飛凌推出全新600 V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列，適用于高成本效益的先進電源應(yīng)用
【2024年6月26日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出600 V CoolMOS? 8 高壓超結(jié)（SJ）MOSFET產(chǎn)品系列。該系列器件結(jié)合了600 V CoolMOS? 7 MOSFET系列的先進特性，是P7、PFD7、C7、CFD7、G7 和 S7產(chǎn)品系列的后續(xù)產(chǎn)品。全新超結(jié)MOSFET實現(xiàn)了具有高成本效益的硅基解決方案，豐富了英飛凌的寬帶隙產(chǎn)品陣容。該系列產(chǎn)品配備集成式快速體二極管，適用于服務(wù)器和工業(yè)開關(guān)模式電源裝置（SMPS）、電動汽車充電器、微型太陽能等廣泛應(yīng)用。
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新型OptiMOS 7 MOSFET改進汽車應(yīng)用中的導(dǎo)通電阻、設(shè)計穩(wěn)健性和開關(guān)效率
【2024年6月18日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)正在擴大其用于汽車應(yīng)用的下一代OptiMOS? 7 MOSFET產(chǎn)品組合，在40 V 產(chǎn)品組合中新增了采用穩(wěn)健且無鉛封裝的器件，并且推出了80 V和100 V型號的OptiMOS? 7 MOSFET。這些MOSFET針對各項標(biāo)準(zhǔn)和未來的48 V汽車應(yīng)用進行了優(yōu)化，包括電動助力轉(zhuǎn)向、制動系統(tǒng)、新區(qū)域架構(gòu)中的功率開關(guān)、電池管理、電子保險絲盒，以及各種12 V和48 V電氣系統(tǒng)應(yīng)用中的直流/直流和BLDC驅(qū)動器等。這些產(chǎn)品還適用于輕型電動汽車(LEV)、電動二輪車、電動踏板車、電動摩托車，以及商用車和農(nóng)用車(CAV)等其他交通應(yīng)用。
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一文了解SiC MOS的應(yīng)用
作為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料，碳化硅MOSFET具有更高的開關(guān)頻率和使用溫度，能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸，提高系統(tǒng)電力轉(zhuǎn)換效率，并且降低對熱循環(huán)的散熱要求。在電力電子系統(tǒng)中，應(yīng)用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件，可以實現(xiàn)更低的開關(guān)和導(dǎo)通損耗，同時具有更高的阻斷電壓和雪崩能力，顯著提升系統(tǒng)效率及功率密度，從而降低系統(tǒng)綜合成本。
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MOSFET驅(qū)動電路設(shè)計不過如此，不信看設(shè)計實例
本文中，小編將對MOSFET驅(qū)動電路設(shè)計予以介紹，如果你想對它的詳細(xì)情況有所認(rèn)識，或者想要增進對它的了解程度，不妨請看以下內(nèi)容哦。
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MOSFET驅(qū)動電路設(shè)計，分立器件組成的MOSFET驅(qū)動電路分享！
今天，小編將在這篇文章中為大家?guī)鞰OSFET驅(qū)動電路的有關(guān)報道，通過閱讀這篇文章，大家可以對MOSFET驅(qū)動電路具備清晰的認(rèn)識，主要內(nèi)容如下。
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ROHM開發(fā)出新型二合一 SiC封裝模塊“TRCDRIVE pack?”
小型封裝內(nèi)置第4代SiC MOSFET，實現(xiàn)業(yè)界超高功率密度，助力xEV逆變器實現(xiàn)小型化!
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Nexperia出色的SiC MOSFET分立器件采用越來越受歡迎的D2PAK-7封裝
1200 V器件采用SMD-7封裝，性能領(lǐng)先同類產(chǎn)品
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用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低側(cè)柵極驅(qū)動器
新型驅(qū)動器可提供量身定制的導(dǎo)通和關(guān)斷時序，將開關(guān)損耗降至最低，并增強dV/dt抗擾性能
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全橋驅(qū)動芯片有哪些
DrMOS，全稱Driver-MOSFET，是一種由Intel在2004年推出的高效節(jié)能技術(shù)。它通過將MOSFET和MOS驅(qū)動器集成到同一封裝中，實現(xiàn)了尺寸和功效的優(yōu)化。
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英飛凌為汽車應(yīng)用推出業(yè)內(nèi)導(dǎo)通電阻最低的80 V MOSFET OptiMOS? 7
【2024年4月15日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出其最新先進功率MOSFET 技術(shù)—— OptiMOS? 7 80 V的首款產(chǎn)品IAUCN08S7N013。該產(chǎn)品的特點包括功率密度顯著提高，和采用通用且穩(wěn)健的高電流SSO8 5 x 6 mm2 SMD封裝。這款OptiMOS? 7 80 V產(chǎn)品非常適合即將推出的 48 V板網(wǎng)應(yīng)用。它專為滿足高要求汽車應(yīng)用所需的高性能、高質(zhì)量和穩(wěn)健性而打造，包括電動汽車的汽車直流-直流轉(zhuǎn)換器、48 V電機控制（例如電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)（EPS））、48 V電池開關(guān)以及電動兩輪車和三輪車等。
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英飛凌推出用于功率MOSFET的新型SSO10T TSC頂部冷卻封裝，為現(xiàn)代汽車應(yīng)用提供更高效率
【2024年4月12日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼： IFNNY）推出采用 OptiMOS? MOSFET技術(shù)的SSO10T TSC 封裝。該封裝采用頂部直接冷卻技術(shù)，具有出色的熱性能，可避免熱量傳入或經(jīng)過汽車電子控制單元的印刷電路板（PCB）。該封裝能夠?qū)崿F(xiàn)簡單、緊湊的雙面PCB設(shè)計，并更大程度地降低未來汽車電源設(shè)計的冷卻要求和系統(tǒng)成本。因此，SSO10T TSC適用于電動助力轉(zhuǎn)向（EPS）、電子機械制動（EMB）、配電、無刷直流驅(qū)動器（BLDC）、安全開關(guān)、反向電池和DCDC轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用。
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門驅(qū)動器是什么
門驅(qū)動器，作為電力電子技術(shù)中的關(guān)鍵組件，是連接控制系統(tǒng)與功率半導(dǎo)體器件之間的重要橋梁。它的主要功能是將微控制器或控制電路發(fā)出的低電平控制信號轉(zhuǎn)化為能夠驅(qū)動大功率半導(dǎo)體器件(如絕緣柵雙極型晶體管IGBT、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管MOSFET、碳化硅MOSFET等)所需的大電流或高壓信號，確保這些功率器件按照預(yù)定的開關(guān)時序準(zhǔn)確無誤地工作。
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2n7002導(dǎo)通電壓是多少
在電子科技日新月異的今天，各類電子元器件的性能和參數(shù)成為了研究和應(yīng)用的關(guān)鍵。其中，2N7002作為一種廣泛應(yīng)用的N溝道MOSFET，其導(dǎo)通電壓是眾多工程師和技術(shù)人員關(guān)注的焦點。那么，2N7002的導(dǎo)通電壓究竟是多少?它又是如何影響電路性能的呢?本文將深入探索2N7002導(dǎo)通電壓的科技奧秘，并解析其在實際應(yīng)用中的表現(xiàn)。
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mosfet是什么電子元件
MOSFET?zhǔn)且环N場效應(yīng)晶體管(FET)，全稱為金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)。
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