門驅(qū)動(dòng)器,作為電力電子技術(shù)中的關(guān)鍵組件,是連接控制系統(tǒng)與功率半導(dǎo)體器件之間的重要橋梁。它的主要功能是將微控制器或控制電路發(fā)出的低電平控制信號轉(zhuǎn)化為能夠驅(qū)動(dòng)大功率半導(dǎo)體器件(如絕緣柵雙極型晶體管IGBT、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管MOSFET、碳化硅MOSFET等)所需的大電流或高壓信號,確保這些功率器件按照預(yù)定的開關(guān)時(shí)序準(zhǔn)確無誤地工作。
在電子科技日新月異的今天,各類電子元器件的性能和參數(shù)成為了研究和應(yīng)用的關(guān)鍵。其中,2N7002作為一種廣泛應(yīng)用的N溝道MOSFET,其導(dǎo)通電壓是眾多工程師和技術(shù)人員關(guān)注的焦點(diǎn)。那么,2N7002的導(dǎo)通電壓究竟是多少?它又是如何影響電路性能的呢?本文將深入探索2N7002導(dǎo)通電壓的科技奧秘,并解析其在實(shí)際應(yīng)用中的表現(xiàn)。
MOSFET?zhǔn)且环N場效應(yīng)晶體管(FET),全稱為金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)。
2024 年 3 月 28 日,中國– STPOWER MDmesh DM9 AG系列的車規(guī)600V/650V超結(jié) MOSFET為車載充電機(jī)(OBC)和采用軟硬件開關(guān)拓?fù)涞腄C/DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用帶來卓越的能效和魯棒性。
【2024年3月20日,德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出OptiMOS? 6 200 V MOSFET產(chǎn)品系列,使電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用取得了飛躍性的進(jìn)展。這一全新產(chǎn)品組合將為電動(dòng)摩托車、微型電動(dòng)汽車和電動(dòng)叉車等應(yīng)用提供出色的性能。新 MOSFET產(chǎn)品的導(dǎo)通損耗和開關(guān)性能均有所改善,降低了電磁干擾(EMI)和開關(guān)損耗,有益于用于服務(wù)器、電信、儲(chǔ)能系統(tǒng)(ESS)、音頻、太陽能等用途的各種開關(guān)應(yīng)用。此外,憑借寬安全工作區(qū)(SOA)和業(yè)界領(lǐng)先的RDS(on),該產(chǎn)品系列非常適合電池管理系統(tǒng)等靜態(tài)開關(guān)應(yīng)用。全新推出的英飛凌OptiMOS? 6 200 V產(chǎn)品系列為客戶提供更高的功率密度、效率和系統(tǒng)可靠性,樹立了新的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。
【2024年3月14日,德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)近日推出750V G1分立式CoolSiC? MOSFET,以滿足工業(yè)和汽車功率應(yīng)用對更高能效和功率密度日益增長的需求。該產(chǎn)品系列包含工業(yè)級和車規(guī)級SiC MOSFET,針對圖騰柱 PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源橋(DAB)、HERIC、降壓/升壓和移相全橋(PSFB)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行了優(yōu)化。這些MOSFET適用于典型的工業(yè)應(yīng)用(包括電動(dòng)汽車充電、工業(yè)驅(qū)動(dòng)器、太陽能和儲(chǔ)能系統(tǒng)、固態(tài)斷路器、UPS系統(tǒng)、服務(wù)器/數(shù)據(jù)中心、電信等)和汽車領(lǐng)域(包括車載充電器(OBC)、直流-直流轉(zhuǎn)換器等)。
【2024年3月13日,德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiC? MOSFET 2000 V。這款產(chǎn)品不僅能夠滿足設(shè)計(jì)人員對更高功率密度的需求,而且即使面對嚴(yán)格的高電壓和開關(guān)頻率要求,也不會(huì)降低系統(tǒng)可靠性。CoolSiC? MOSFET具有更高的直流母線電壓,可在不增加電流的情況下提高功率。作為市面上第一款擊穿電壓達(dá)到2000 V的碳化硅分立器件,CoolSiC? MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封裝,爬電距離為14 mm,電氣間隙為5.4 mm。該半導(dǎo)體器件得益于其較低的開關(guān)損耗,適用于太陽能(如組串逆變器)以及儲(chǔ)能系統(tǒng)和電動(dòng)汽車充電應(yīng)用。
開關(guān)電源是利用現(xiàn)代電力電子技術(shù),控制開關(guān)管開通和關(guān)斷的時(shí)間比率,維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源,開關(guān)電源一般由脈沖寬度調(diào)制(PWM)控制IC和MOSFET構(gòu)成。
【2024年3月12日,德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù),開啟功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章。與上一代產(chǎn)品相比, 英飛凌全新的CoolSiC? MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技術(shù)在確保質(zhì)量和可靠性的前提下,將MOSFET的主要性能指標(biāo)(如能量和電荷儲(chǔ)量)提高了20%,不僅提升了整體能效,更進(jìn)一步推動(dòng)了低碳化進(jìn)程。
專業(yè)研發(fā)提供節(jié)省空間的PoE ASFET和EMC優(yōu)化型NextPowerS3 MOSFET。
STGAP系列隔離柵極驅(qū)動(dòng)器具有穩(wěn)健性能、簡化設(shè)計(jì)、節(jié)省空間和高可靠性的特性
MOSFET,全稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,是一種電壓控制型半導(dǎo)體器件。它集輸入級與輸出級為一體,由P型和N型兩種不同類型的高效溝道增強(qiáng)型功率二極管組成。
【2024年1月25日,德國慕尼黑和中國深圳訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX /OTCQX代碼:IFNNY)近日宣布其與全球充電技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者安克創(chuàng)新(Anker Innovations) 在深圳聯(lián)合成立創(chuàng)新應(yīng)用中心。該創(chuàng)新應(yīng)用中心全面投入運(yùn)營之后,將為開發(fā)能夠減少二氧化碳排放的高能效充電解決方案鋪平道路,從而推動(dòng)低碳化進(jìn)程。
在無線收發(fā)器等應(yīng)用中,系統(tǒng)一般處于偏遠(yuǎn)地區(qū),通常由電池供電。由于鮮少有人能夠前往現(xiàn)場進(jìn)行干預(yù),此類應(yīng)用必須持續(xù)運(yùn)行。系統(tǒng)持續(xù)無活動(dòng)或掛起后,需要復(fù)位系統(tǒng)以恢復(fù)操作。為了實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)復(fù)位,可以切斷電源電壓,斷開系統(tǒng)電源,然后再次連接電源以重啟系統(tǒng)。
2023年12月22日,中國北京-服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM),與設(shè)計(jì)、研發(fā)、制造和銷售豪華智能電動(dòng)車的中國新能源汽車龍頭廠商理想汽車(紐約證券交易所代碼: LI) 簽署了一項(xiàng)碳化硅(SiC)長期供貨協(xié)議。按照協(xié)議, 意法半導(dǎo)體將為理想汽車提供碳化硅MOSFET,支持理想汽車進(jìn)軍高壓純電動(dòng)車市場的戰(zhàn)略部署。
【2023年12月19日,德國慕尼黑訊】為提高結(jié)溫傳感的精度,英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出帶有集成溫度傳感器的全新CoolMOS? S7T產(chǎn)品系列。通過在系統(tǒng)中集成該系列半導(dǎo)體產(chǎn)品,可提升許多電子應(yīng)用的耐用性、安全性和效率。CoolMOS? S7T具有出色的導(dǎo)通電阻和高精度嵌入式傳感器,最適合用于提高固態(tài)繼電器(SSR)應(yīng)用的性能和可靠性。
【2023年12月7日,德國慕尼黑訊】數(shù)據(jù)中心和計(jì)算應(yīng)用對電源的需求日益增長,需要提高電源的效率并設(shè)計(jì)緊湊的電源。英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)順應(yīng)系統(tǒng)層面的發(fā)展趨勢,推出業(yè)界首款15 V溝槽功率MOSFET ——全新OptiMOS? 7系列。OptiMOS? 7 15 V系列于服務(wù)器、計(jì)算、數(shù)據(jù)中心和人工智能應(yīng)用上提升DC-DC轉(zhuǎn)換率。
提供高電壓與大電流,可驅(qū)動(dòng)不同行業(yè)的標(biāo)準(zhǔn)MOSFET/IGBT
要求嚴(yán)苛的高電壓汽車與工業(yè)應(yīng)用理想解決方案
Oct. 18, 2023 ---- 據(jù)TrendForce集邦咨詢統(tǒng)計(jì),2023~2027年全球晶圓代工成熟制程(28nm及以上)及先進(jìn)制程(16nm及以下)產(chǎn)能比重大約維持在7:3。中國大陸由于致力推動(dòng)本土化生產(chǎn)等政策與補(bǔ)貼,擴(kuò)產(chǎn)進(jìn)度最為積極,預(yù)估中國大陸成熟制程產(chǎn)能占比將從今年的29%,成長至2027年的33%,其中以中芯國際(SMIC)、華虹集團(tuán)(HuaHong Group)、合肥晶合集成(Nexchip)擴(kuò)產(chǎn)最為積極。