MOSFET

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金屬-氧化物半導體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

使用集成MOSFET限制電流的簡單方法

電子電路中的電流通常必須受到限制。例如，在USB端口中，必須防止電流過大，以便為電路提供可靠的保護。同樣，在充電寶中，必須防止電池放電。放電電流過高會導致電池的壓降太大和下游設(shè)備的供電電壓不足。

ADI
2023-04-19

電子電路 MOSFET 電流
英飛凌適合高功率應(yīng)用的QDPAK和DDPAK頂部冷卻封裝注冊為JEDEC標準

【2023年4月13日，德國慕尼黑訊】追求高效率的高功率應(yīng)用持續(xù)向更高功率密度及成本最佳化發(fā)展，也為電動汽車等產(chǎn)業(yè)創(chuàng)造了永續(xù)價值。為了應(yīng)對相應(yīng)的挑戰(zhàn)，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼： IFNNY）宣布其高壓MOSFET 適用的 QDPAK 和 DDPAK 頂部冷卻 (TSC) 封裝已成功注冊為 JEDEC 標準。這項舉措不僅進一步鞏固了英飛凌將此標準封裝設(shè)計和外型的TSC 封裝推廣至廣泛新型設(shè)計的目標，也給OEM 廠商提供了更多的彈性與優(yōu)勢，幫助他們在市場中創(chuàng)造差異化的產(chǎn)品，并將功率密度提升至更高水準，以支持各種應(yīng)用。

英飛凌
2023-04-13

電源開關(guān) 電源回路設(shè)計 MOSFET
Diodes 公司推出功率密度更高的工業(yè)級碳化硅 MOSFET

【2023 年 4 月 13 日美國德州普拉諾訊】Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 推出碳化硅 (SiC) 系列最新產(chǎn)品：DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。這款裝置可以滿足工業(yè)馬達驅(qū)動、太陽能逆變器、數(shù)據(jù)中心及電信電源供應(yīng)、直流對直流 (DC-DC) 轉(zhuǎn)換器和電動車 (EV) 電池充電器等應(yīng)用，對更高效率與更高功率密度的需求。

Diodes Incorporated
2023-04-13

數(shù)據(jù)中心碳化硅 MOSFET
Nexperia推出首款采用SMD銅夾片LFPAK88封裝的熱插拔專用MOSFET(ASFET)，管腳尺寸縮小60%

RDS(on)額外降低40%，功率密度提高58倍，適合電信和熱插拔計算應(yīng)用

Nexperia
2023-03-22

SMD銅夾片熱插拔計算應(yīng)用 MOSFET
使用超低電壓 MOSFET 陣列進行設(shè)計，第五部分EPAD MOSFET 開關(guān)

EPAD MOSFET 在以適當?shù)臇艠O電壓開啟時充當開關(guān)，其中在漏極和源極端子之間形成導電通道。源極端子作為輸入，漏極端子作為輸出。開關(guān)的導通電阻取決于由柵極電壓控制的溝道導通電流。在這種情況下，如果使用增強型器件，則可以通過柵極端子上的正偏置電壓打開開關(guān)，信號從源極傳播到漏極端子。信號本質(zhì)上可以是數(shù)字的或模擬的，只要用戶考慮相對于開關(guān)通道導通電阻的輸入和輸出阻抗水平。

功率器件
2023-01-14

超低電壓 MOSFET
使用超低電壓 MOSFET 陣列進行設(shè)計，第四部分EPAD MOSFET 隔離和（二極管）鉗位介紹

許多電路需要將其輸入和輸入阻抗與輸出阻抗隔離，以便輸出負載不會干擾輸入信號。這有時可以通過使用晶體管緩沖器或運算放大器緩沖器來實現(xiàn)，每種緩沖器都存在許多設(shè)計權(quán)衡。例如，使用 ALD110800 零閾值 MOSFET，可以提供這種隔離，同時提供偏置到與輸入電平范圍相同的電壓電平的電路輸出。這是零閾值 MOSFET 的基本能力。輸入和輸出電平也可以偏置在固定電壓附近，例如 0.0V。

功率器件
2023-01-14

超低電壓 MOSFET
使用超低電壓 MOSFET 陣列進行設(shè)計，第三部分使用超低電源電壓驅(qū)動

在 5V、3.3V 或更低電壓下運行的低壓系統(tǒng)通常需要具有 1V 或更低閾值或開啟電壓的有源 MOSFET 器件。對于模擬設(shè)計，該閾值電壓直接影響工作信號電壓范圍。

功率器件
2023-01-13

超低電壓 MOSFET
使用超低電壓 MOSFET 陣列進行設(shè)計，第二部分EPAD MOSFET 關(guān)鍵性能特征

EPAD MOSFET 專為實現(xiàn)器件電氣特性的出色匹配而設(shè)計。這些器件專為實現(xiàn)最小失調(diào)電壓和差分熱響應(yīng)而構(gòu)建。由于集成在同一塊單片芯片上，它們還具有出色的溫度系數(shù)跟蹤特性。

功率器件
2023-01-13

超低電壓 MOSFET
使用超低電壓 MOSFET 陣列進行設(shè)計，第一部分EPAD MOSFET器件介紹

在電路設(shè)計中追求更低的工作電壓和更低的功耗水平是一種趨勢，這給電氣工程師帶來了艱巨的挑戰(zhàn)，因為他們遇到了基本半導體器件特性對他們施加的限制。長期以來，工程師們一直將這些特性視為基本特性，并且可能阻礙了他們將可用電壓范圍最大化，否則會使新電路獲得成功。

功率器件
2023-01-13

超低電壓 MOSFET
ALD810030 精密MOSFET 為四個匹配的超級電容器進行自動平衡

一種新的精密 MOSFET 陣列——旨在平衡和調(diào)節(jié)額定電壓更高的超級電容器——適用于廣泛的應(yīng)用，如執(zhí)行器、遠程信息處理、太陽能電池板、應(yīng)急照明、安全設(shè)備、條形碼掃描儀、高級計量箱和備用電池系統(tǒng)。

功率器件
2023-01-09

超級電容 MOSFET
SiC材料的進擊路從國產(chǎn)工規(guī)級碳化硅(SiC)MOSFET的發(fā)布談起

據(jù)東方衛(wèi)視報道，我國首款基于6英寸晶圓通過JEDEC(暨工規(guī)級)認證的1200V 80mohm碳化硅（SiC）MOSFET產(chǎn)品在上海正式發(fā)布。9月4日，一則 “我國將把大力發(fā)展第三代半導體產(chǎn)業(yè)寫入‘十四五’規(guī)劃”的消息引爆市場，引起第三代半導體概念股集體沖高漲停，場面十分壯觀。不可置否，政策是最大的商機。2020年，新基建產(chǎn)業(yè)站在了風口上。在以5G、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等為代表的新基建主要領(lǐng)域中，第三代半導體承擔著重要角色。

Techsugar
2023-01-08

半導體 SiC材料 MOSFET
SiC-MOSFET終端區(qū)對開關(guān)損耗的物理分析

盡管硅是電子產(chǎn)品中使用最廣泛的半導體，但最近的研究表明它有一些局限性，特別是在大功率應(yīng)用中。帶隙是基于半導體的電路的相關(guān)因素，因為高帶隙在高溫、電壓和頻率下的操作方面具有優(yōu)勢。硅的帶隙為 1.12 eV，而碳化硅的帶隙值高 3 倍，為 3.2 eV，因此性能和效率更高，開關(guān)頻率更高，總占位面積更小。

功率器件
2022-12-15

SiC MOSFET
通過使用具有頂部冷卻功能的 SMD 封裝來提高 DC-DC 轉(zhuǎn)換器的性能

本文分析了表面貼裝 (SMD) 封裝中的硅 MOSFET在熱性能方面與底部冷卻封裝相比在熱性能方面的效率，從而降低了熱阻和工作溫度。它將展示如何降低結(jié)溫有助于提高功率效率，因為主要硅 MOSFET 參數(shù)會因溫度變化(如 RDS (on)和 Vth 電平)而發(fā)生更平滑的變化，以及降低總導通和開關(guān)損耗。

功率器件
2022-12-11

熱性能表面貼裝 (SMD) MOSFET
具有金屬源極和漏極觸點的肖特基勢壘 (SB) MOSFET 的介紹

隨著半導體行業(yè)的最新進展，對具有金屬源極和漏極觸點的肖特基勢壘 (SB) MOSFET 的研究正在興起。在 SB MOSFET 中，源極和漏極構(gòu)成硅化物，而不是傳統(tǒng)的雜質(zhì)摻雜硅。SB MOSFET 的一個顯著特征是一個特殊的二極管，如在 I d -V ds特性的三極管操作期間指數(shù)電流增加。當在邏輯電路中應(yīng)用此類器件時，小偏置電壓極不可能發(fā)生，就會發(fā)生這種情況。

功率器件
2022-12-09

肖特基勢壘 MOSFET
基礎(chǔ)電路學習（3）-- MOSFET驅(qū)動電路小結(jié)

這幾天準備測試DCDC電源的時候，發(fā)現(xiàn)沒有負載，想著要不買一個看看，淘寶搜了一下，看到網(wǎng)上好多都是給電池放電，測試放電曲線用的，價格呢也不是很便宜。想起以前在ADI的官方教程電源大師課中有設(shè)計好的負載demo板，立即便下載下來準備打樣，自己做一個動態(tài)負載切換的PCBA負載切換的原理很簡單，主要通過PWM控制MOS管導通截止來使下圖右側(cè)的電阻R5短路和斷路，其中TP2為DCDC輸出電壓。

射頻工程師的日常
2022-12-07

驅(qū)動電路 DCDC MOSFET
貿(mào)澤電子開售各種面向電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的英飛凌通用MOSFET

(Mouser Electronics) 提供英飛凌的各種通用MOSFET。英飛凌豐富多樣的高壓和低壓MOSFET產(chǎn)品組合為各種應(yīng)用提供靈活性、適應(yīng)性和高價值，可幫助設(shè)計師滿足項目、價格或物流要求。

貿(mào)澤電子
2022-12-06

貿(mào)澤電子 MOSFET
ROHM開發(fā)出具有絕緣構(gòu)造、小尺寸且超低功耗的MOSFET

非常有助于提高無線耳機和可穿戴設(shè)備等小而薄設(shè)備的效率和運行安全性！

動態(tài)速遞
2022-12-02

ROHM MOSFET
Nexperia推出用于熱插拔的全新特定型應(yīng)用MOSFET (ASFET)，SOA性能翻倍

全面優(yōu)化12V熱插拔和軟啟動應(yīng)用中控制浪涌電流的RDS(on)和SOA

Nexperia
2022-11-18

熱插拔 Nexperia MOSFET
安森美推出采用創(chuàng)新Top Cool封裝的MOSFET

頂部冷卻簡化設(shè)計并降低成本，實現(xiàn)小巧緊湊的電源方案

安森美(onsemi)
2022-11-17

安森美(onsemi) MOSFET
電機驅(qū)動設(shè)計：集成驅(qū)動器與柵極驅(qū)動器的區(qū)別

在設(shè)計電機控制電路時，確定如何提供驅(qū)動電機所需的大電流至關(guān)重要。設(shè)計人員必須選擇是使用具有內(nèi)部功率器件的單片集成電路 (IC)，還是使用柵極驅(qū)動器 IC 和分立的外部功率 MOSFET。

電源-能源動力
2022-11-11

電機控制電路 MOSFET

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MOSFET

使用集成MOSFET限制電流的簡單方法

英飛凌適合高功率應(yīng)用的QDPAK和DDPAK頂部冷卻封裝注冊為JEDEC標準

Diodes 公司推出功率密度更高的工業(yè)級碳化硅 MOSFET

Nexperia推出首款采用SMD銅夾片LFPAK88封裝的熱插拔專用MOSFET(ASFET)，管腳尺寸縮小60%

使用超低電壓 MOSFET 陣列進行設(shè)計，第五部分EPAD MOSFET 開關(guān)

使用超低電壓 MOSFET 陣列進行設(shè)計，第四部分EPAD MOSFET 隔離和（二極管）鉗位介紹

使用超低電壓 MOSFET 陣列進行設(shè)計，第三部分使用超低電源電壓驅(qū)動

使用超低電壓 MOSFET 陣列進行設(shè)計，第二部分EPAD MOSFET 關(guān)鍵性能特征

使用超低電壓 MOSFET 陣列進行設(shè)計，第一部分EPAD MOSFET器件介紹

ALD810030 精密MOSFET 為四個匹配的超級電容器進行自動平衡

SiC材料的進擊路從國產(chǎn)工規(guī)級碳化硅(SiC)MOSFET的發(fā)布談起

SiC-MOSFET終端區(qū)對開關(guān)損耗的物理分析

通過使用具有頂部冷卻功能的 SMD 封裝來提高 DC-DC 轉(zhuǎn)換器的性能

具有金屬源極和漏極觸點的肖特基勢壘 (SB) MOSFET 的介紹

基礎(chǔ)電路學習（3）-- MOSFET驅(qū)動電路小結(jié)

貿(mào)澤電子開售各種面向電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的英飛凌通用MOSFET

ROHM開發(fā)出具有絕緣構(gòu)造、小尺寸且超低功耗的MOSFET

Nexperia推出用于熱插拔的全新特定型應(yīng)用MOSFET (ASFET)，SOA性能翻倍

安森美推出采用創(chuàng)新Top Cool封裝的MOSFET

電機驅(qū)動設(shè)計：集成驅(qū)動器與柵極驅(qū)動器的區(qū)別

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