MOSFET是一種利用場效應(yīng)的晶體管。MOSFET代表金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,它有一個柵極。為了簡單起見,你可以把這個門想象成一個水龍頭你逆時針旋轉(zhuǎn)水龍頭水開始流出水龍頭,你順時針旋轉(zhuǎn)它水停止流出水龍頭。同樣,柵極電壓決定器件的導(dǎo)電性。根據(jù)這個柵極電壓,我們可以改變電導(dǎo)率,因此我們可以把它用作開關(guān)或放大器,就像我們用晶體管作為開關(guān)或放大器一樣。自20世紀(jì)80年代功率MOSFET問世以來,功率開關(guān)變得更快、更高效。幾乎所有現(xiàn)代開關(guān)電源都使用某種形式的功率mosfet作為開關(guān)元件。
在過去的幾十年里,音頻內(nèi)容已經(jīng)走過了漫長的道路,從經(jīng)典的電子管放大器到現(xiàn)代的媒體播放器,技術(shù)進(jìn)步改變了數(shù)字媒體的消費(fèi)方式。在所有這些創(chuàng)新中,便攜式媒體播放器已成為消費(fèi)者的首選之一,因?yàn)樗鼈兙哂谐錆M活力的音質(zhì)和長電池壽命。那么它是如何工作的,它聽起來是多么的好。作為一個電子發(fā)燒友,這個問題總是出現(xiàn)在我的腦海里。盡管揚(yáng)聲器技術(shù)取得了進(jìn)步,但放大器方法的改進(jìn)發(fā)揮了重要作用,這個問題的明顯答案是D類放大器。因此,在本項(xiàng)目中,我們將借此機(jī)會討論D類放大器,并了解其優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)。最后,我們將構(gòu)建放大器的硬件原型并測試其性能。聽起來很有趣,對嗎?讓我們開始吧。
但是使用聚苯乙烯泡沫塑料通常需要大量的加熱元件工具,這些工具價格昂貴,對于業(yè)余愛好者來說是遙不可及的。這里最好的選擇是自己創(chuàng)建一個加熱的泡沫塑料切割工具,因?yàn)榇蠖鄶?shù)在線教程都遵循使用固定電源的方法,它們將用戶體驗(yàn)限制在電線的長度上。因此,在本教程中,我們將使用鎳鉻合金線制作便攜式泡沫切割工具。
當(dāng)我們在家里做一個定制的RGB LED設(shè)置時,基本上它是一堆可尋址的5v LED WS2812,但不幸的是,我們沒有一個高電流的電源來正確地點(diǎn)亮它們。因?yàn)橛泻芏?,它需要大約9安培的電流來照亮全亮度。這導(dǎo)致我們設(shè)計一個電源為這個目的,以及gerber是共享的,所以如果有人想做這個電源,他們可以很容易地做到這一點(diǎn)。
提供業(yè)界領(lǐng)先的低通態(tài)電阻,使電池儲能和電源設(shè)備應(yīng)用的電路設(shè)計更加簡化,性能得到提升。
【2024年11月25日, 德國慕尼黑訊】為了滿足AI服務(wù)器和電信領(lǐng)域的安全熱插拔操作要求,MOSFET必須具有穩(wěn)健的線性工作模式和較低的 RDS(on) 。英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出的新型OptiMOS? 5 Linear FET 2解決了這一難題,這款MOSFET專為實(shí)現(xiàn)溝槽 MOSFET的RDS(on)與經(jīng)典平面 MOSFET 的寬安全工作區(qū)(SOA)之間的理想平衡而設(shè)計。該半導(dǎo)體器件通過限制高浪涌電流防止對負(fù)載造成損害,并因其低RDS(on) 而能夠在工作期間將損耗降至最低。與上一代產(chǎn)品OptiMOS? Linear FET相比,OptiMOS? Linear FET 2改善了高溫下的 SOA、降低了柵極漏電流,并擴(kuò)大了封裝選擇范圍。
DC-DC轉(zhuǎn)換器是一種機(jī)電設(shè)備或電路,用于根據(jù)電路要求將直流電壓從一個電平轉(zhuǎn)換到另一個電平。作為電力轉(zhuǎn)換器家族的一部分,DC-DC轉(zhuǎn)換器可用于小電壓應(yīng)用,如電池,或高電壓應(yīng)用,如高壓電力傳輸。
由于 SiC MOSFET 尺寸緊湊、效率更高,并且在高功率應(yīng)用中具有卓越的性能,因此目前正在開關(guān)應(yīng)用中取代 Si 器件。 SiC 器件可實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)時間,從而顯著降低開關(guān)損耗。這些優(yōu)勢源于 SiC 器件獨(dú)特的電氣和材料特性——MOSFET 體二極管結(jié)構(gòu)固有的快速反向恢復(fù),這削弱了 SiC MOSFET 的優(yōu)勢。在快速反向恢復(fù)事件期間,設(shè)備可能會經(jīng)歷較大的電壓尖峰,從而給設(shè)備和整個系統(tǒng)帶來風(fēng)險。其他設(shè)計挑戰(zhàn)包括增加的電磁干擾 (EMI) 和意外故障,例如假柵極事件或寄生導(dǎo)通 。幸運(yùn)的是,您可以減輕這些影響,從而優(yōu)化系統(tǒng)性能。
面向空調(diào)、家電和工廠自動化等工業(yè)電機(jī)驅(qū)動裝置和充電站、儲能系統(tǒng)、電源等能源應(yīng)用的功率控制
綜合自中汽協(xié)、EVvolumes.com的多方數(shù)據(jù),新能源汽車行業(yè)增長勢頭強(qiáng)勁。我國2021、2022、2023年新能源汽車銷量分別為350萬輛、689萬輛、950萬輛,市場占有率31.6% 預(yù)計2024年產(chǎn)銷量1200-1300萬輛,市占率超過45%;約占全世界產(chǎn)銷量60%。
數(shù)據(jù)中心、電動汽車基礎(chǔ)設(shè)施和工業(yè)設(shè)備中高效電源解決方案的理想選擇
開關(guān)電源是利用現(xiàn)代電力電子技術(shù),控制開關(guān)管開通和關(guān)斷的時間比率,維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源,開關(guān)電源一般由脈沖寬度調(diào)制(PWM)控制IC和MOSFET構(gòu)成。
開關(guān)電源一般由脈沖寬度調(diào)制PWM控制IC和MOSFET構(gòu)成,控制開關(guān)管時間比率維持穩(wěn)定的輸出電壓。
一直以來,MOSFET都是大家的關(guān)注焦點(diǎn)之一。因此針對大家的興趣點(diǎn)所在,小編將為大家?guī)鞰OSFET的相關(guān)介紹,詳細(xì)內(nèi)容請看下文。
在導(dǎo)通特性方面,IGBT的導(dǎo)通損耗由器件導(dǎo)通時的壓降造成,其參數(shù)為Vce(sat),隨溫度變化較小。而SiC MOSFET的導(dǎo)通特性表現(xiàn)得更像一個電阻輸出特性,具有更小的導(dǎo)通損耗,特別是在電流較小的情況下?2。
雙管正激式開關(guān)電源是一種常見的電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),采用了兩個功率開關(guān)管進(jìn)行功率調(diào)節(jié)。在這篇文章中,我將詳細(xì)解釋雙管正激式開關(guān)電源的原理、工作方式以及其應(yīng)用領(lǐng)域。
在下述的內(nèi)容中,小編將會對MOSFET的相關(guān)消息予以報道,如果MOSFET是您想要了解的焦點(diǎn)之一,不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。
一直以來,MOSFET都是大家的關(guān)注焦點(diǎn)之一。因此針對大家的興趣點(diǎn)所在,小編將為大家?guī)鞰OSFET的相關(guān)介紹,詳細(xì)內(nèi)容請看下文。
MOSFET驅(qū)動電路將是下述內(nèi)容的主要介紹對象,通過這篇文章,小編希望大家可以對它的相關(guān)情況以及信息有所認(rèn)識和了解,詳細(xì)內(nèi)容如下。
今天,小編將在這篇文章中為大家?guī)鞰OSFET驅(qū)動電路的有關(guān)報道,通過閱讀這篇文章,大家可以對它具備清晰的認(rèn)識,主要內(nèi)容如下。