MOSFET常見電路有哪些?3款MOSFET應(yīng)用電路介紹
在下述的內(nèi)容中,小編將會對MOSFET的相關(guān)消息予以報道,如果MOSFET是您想要了解的焦點之一,不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。
一、MOSFET
MOSFET的主要參數(shù)有漏極電流、漏極電壓、控制電流、控制電壓、放大倍數(shù)等。漏極電流是MOSFET的基本參數(shù),它決定了MOSFET的功耗。漏極電壓是MOSFET的基本參數(shù),它決定了MOSFET的工作電壓??刂齐娏魇荕OSFET的基本參數(shù),它決定了MOSFET的控制電流??刂齐妷菏荕OSFET的基本參數(shù),它決定了MOSFET的控制電壓。放大倍數(shù)是MOSFET的基本參數(shù),它決定了MOSFET的放大倍數(shù)。
MOSFET的具有低功耗、高頻響應(yīng)、低噪聲、高可靠性等。MOSFET的功耗比普通晶體管要低,因此在電源管理方面有很大的優(yōu)勢。此外,MOSFET的頻率響應(yīng)能力也很強(qiáng),可以滿足高頻應(yīng)用的要求。另外,MOSFET的噪聲水平也很低,可以滿足高精度應(yīng)用的要求。最后,MOSFET的可靠性也很高,可以滿足長期可靠性的要求。
同時它的漏極電流較大,因此在高頻應(yīng)用中會產(chǎn)生較大的噪聲。此外,MOSFET的溫度穩(wěn)定性也不是很好,在高溫環(huán)境下會出現(xiàn)參數(shù)變化的情況。因此,在使用MOSFET時,應(yīng)該注意溫度穩(wěn)定性的問題。
二、MOSFET常見電路
01、MOSFET驅(qū)動電路
為了幫助MOSFET最大化開啟和關(guān)閉時間,需要驅(qū)動電路。如果MOSFET需要較長時間進(jìn)出導(dǎo)通,那么我們就無法利用使用MOSFET的優(yōu)勢。這將導(dǎo)致MOSFET發(fā)熱,器件將無法正常工作。MOSFET驅(qū)動器通??梢允褂米耘e電路產(chǎn)生電壓,以將柵極驅(qū)動到高于MOSFET電源電壓的電壓。
實際上,MOSFET的柵極對驅(qū)動器來說就像一個電容器,或者驅(qū)動器可以通過分別對柵極進(jìn)行充電或放電來非??焖俚卮蜷_或關(guān)閉MOSFET。
02、MOSFET開關(guān)電路
MOSFET工作在三個區(qū)域,截止區(qū),三極管區(qū)和飽和區(qū)。當(dāng)MOSFET處于截止三極管區(qū)域時,它可以作為開關(guān)工作。
MOSFET開關(guān)電路由兩個主要部分組成-MOSFET(按晶體管工作)和開/關(guān)控制塊。當(dāng)晶體管導(dǎo)通時,MOSFET將電壓源傳遞給特定負(fù)載。在大多數(shù)情況下,n溝道MOSFET優(yōu)于p溝道MOSFET,因為它有幾個優(yōu)點。
在MOSFET開關(guān)電路中,漏極直接連接到輸入電壓,源極連接到負(fù)載。為了開啟n溝道MOSFET,柵源電壓必須大于閾值電壓,必須大于器件的閾值電壓。對于p溝道MOSFET,源極到柵極的電壓必須大于器件的閾值電壓。MOSFET表現(xiàn)得比BJT更好,因為MOS開關(guān)中不存在偏移電壓。
03、MOSFET逆變器電路
逆變器電路是數(shù)字電路設(shè)計中的基本組成部分之一(不要與功率逆變器混淆)。反相器可以直接應(yīng)用于邏輯門和其他更復(fù)雜的數(shù)字電路的設(shè)計。理想逆變器的傳輸特性如下所示。
早期的MOS數(shù)字電路是使用p-MOSFET制成的。但是隨著微電子技術(shù)的進(jìn)步,MOS的閾值電壓可以控制,并且MOS技術(shù)成為主導(dǎo),因為NMOS的多數(shù)載流子,即電子比空穴快兩倍,PMOS的多數(shù)載流子,所以在CMOS技術(shù)出現(xiàn)之前,逆變器電路也使用N-MOS技術(shù)。這里我們討論三種類型的MOS反相電路。
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