推出最新一代 EliteSiC M3e MOSFET,顯著提升高耗電應(yīng)用的能效
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在下述的內(nèi)容中,小編將會(huì)對(duì)IGBT硬并聯(lián)技術(shù)優(yōu)化方案予以報(bào)道,如果IGBT是您想要了解的焦點(diǎn)之一,不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。
【2024年6月26日,德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出600 V CoolMOS? 8 高壓超結(jié)(SJ)MOSFET產(chǎn)品系列。該系列器件結(jié)合了600 V CoolMOS? 7 MOSFET系列的先進(jìn)特性,是P7、PFD7、C7、CFD7、G7 和 S7產(chǎn)品系列的后續(xù)產(chǎn)品。全新超結(jié)MOSFET實(shí)現(xiàn)了具有高成本效益的硅基解決方案,豐富了英飛凌的寬帶隙產(chǎn)品陣容。該系列產(chǎn)品配備集成式快速體二極管,適用于服務(wù)器和工業(yè)開關(guān)模式電源裝置(SMPS)、電動(dòng)汽車充電器、微型太陽能等廣泛應(yīng)用。
【2024年6月18日,德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)正在擴(kuò)大其用于汽車應(yīng)用的下一代OptiMOS? 7 MOSFET產(chǎn)品組合,在40 V 產(chǎn)品組合中新增了采用穩(wěn)健且無鉛封裝的器件,并且推出了80 V和100 V型號(hào)的OptiMOS? 7 MOSFET。這些MOSFET針對(duì)各項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)和未來的48 V汽車應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,包括電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向、制動(dòng)系統(tǒng)、新區(qū)域架構(gòu)中的功率開關(guān)、電池管理、電子保險(xiǎn)絲盒,以及各種12 V和48 V電氣系統(tǒng)應(yīng)用中的直流/直流和BLDC驅(qū)動(dòng)器等。這些產(chǎn)品還適用于輕型電動(dòng)汽車(LEV)、電動(dòng)二輪車、電動(dòng)踏板車、電動(dòng)摩托車,以及商用車和農(nóng)用車(CAV)等其他交通應(yīng)用。
作為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料,碳化硅MOSFET具有更高的開關(guān)頻率和使用溫度,能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸,提高系統(tǒng)電力轉(zhuǎn)換效率,并且降低對(duì)熱循環(huán)的散熱要求。在電力電子系統(tǒng)中,應(yīng)用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件,可以實(shí)現(xiàn)更低的開關(guān)和導(dǎo)通損耗,同時(shí)具有更高的阻斷電壓和雪崩能力,顯著提升系統(tǒng)效率及功率密度,從而降低系統(tǒng)綜合成本。
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小型封裝內(nèi)置第4代SiC MOSFET,實(shí)現(xiàn)業(yè)界超高功率密度,助力xEV逆變器實(shí)現(xiàn)小型化!
1200 V器件采用SMD-7封裝,性能領(lǐng)先同類產(chǎn)品
新型驅(qū)動(dòng)器可提供量身定制的導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)序,將開關(guān)損耗降至最低,并增強(qiáng)dV/dt抗擾性能
DrMOS,全稱Driver-MOSFET,是一種由Intel在2004年推出的高效節(jié)能技術(shù)。它通過將MOSFET和MOS驅(qū)動(dòng)器集成到同一封裝中,實(shí)現(xiàn)了尺寸和功效的優(yōu)化。
【2024年4月15日,德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出其最新先進(jìn)功率MOSFET 技術(shù)—— OptiMOS? 7 80 V的首款產(chǎn)品IAUCN08S7N013。該產(chǎn)品的特點(diǎn)包括功率密度顯著提高,和采用通用且穩(wěn)健的高電流SSO8 5 x 6 mm2 SMD封裝。這款OptiMOS? 7 80 V產(chǎn)品非常適合即將推出的 48 V板網(wǎng)應(yīng)用。它專為滿足高要求汽車應(yīng)用所需的高性能、高質(zhì)量和穩(wěn)健性而打造,包括電動(dòng)汽車的汽車直流-直流轉(zhuǎn)換器、48 V電機(jī)控制(例如電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)(EPS))、48 V電池開關(guān)以及電動(dòng)兩輪車和三輪車等。
【2024年4月12日,德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼: IFNNY)推出采用 OptiMOS? MOSFET技術(shù)的SSO10T TSC 封裝。該封裝采用頂部直接冷卻技術(shù),具有出色的熱性能,可避免熱量傳入或經(jīng)過汽車電子控制單元的印刷電路板(PCB)。該封裝能夠?qū)崿F(xiàn)簡(jiǎn)單、緊湊的雙面PCB設(shè)計(jì),并更大程度地降低未來汽車電源設(shè)計(jì)的冷卻要求和系統(tǒng)成本。因此,SSO10T TSC適用于電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向(EPS)、電子機(jī)械制動(dòng)(EMB)、配電、無刷直流驅(qū)動(dòng)器(BLDC)、安全開關(guān)、反向電池和DCDC轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用。