MOSFET

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金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

  • EPC新推最小型化的40 V、1.1 m? 場效應(yīng)晶體管，可實(shí)現(xiàn)最高功率密度

    宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)新推40 V、1.1 mΩ的氮化鎵場效應(yīng)晶體管(EPC2066)，為設(shè)計(jì)工程師提供比硅MOSFET更小、更高效的器件，用于高性能、占板面積受限的應(yīng)用。

  • Diodes 公司 PowerDI8080 封裝的 MOSFET 提升現(xiàn)代汽車應(yīng)用功率密度

    【2022 年 05 月 26 日美國德州普拉諾訊】Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 宣布推出創(chuàng)新高電流、高熱效率且符合電動車 (EV) 產(chǎn)品應(yīng)用需求的功率封裝 PowerDI?8080-5。PowerDI?8080-5 封裝的首款產(chǎn)品為 DMTH4M70SPGWQ，在 10V 閘極驅(qū)動下，此款符合汽車規(guī)格的 40V MOSFET 典型 RDS(ON) 僅為 0.54mΩ，閘極電荷為 117nC。如此領(lǐng)先業(yè)界的效能使汽車高功率 BLDC 馬達(dá)驅(qū)動器、DC-DC 轉(zhuǎn)換器及充電系統(tǒng)的設(shè)計(jì)人員能大幅提升系統(tǒng)效率，同時(shí)確保將功耗維持在絕對最低水平。

  • 耐用性更高的新型溝槽型功率MOSFET

    在線性模式工作時(shí)，MOSFET必須在惡劣工作條件下工作，承受很高的漏極電流(ID)和漏源電壓 (VDS)，然后還需處理很高的功率。這些器件必須滿足一些技術(shù)要求才能提高耐用性，還必須符合熱管理限制，才能避免熱失控。

  • 意法半導(dǎo)體推出全新MDmesh MOSFET，提高功率密度和能效

    2022 年 5 月 18日，中國 – 意法半導(dǎo)體的 STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N溝道超結(jié)多漏極功率MOSFET晶體管非常適用于設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中心服務(wù)器、5G基礎(chǔ)設(shè)施、平板電視機(jī)的開關(guān)式電源 (SMPS)。

  • 在電池保護(hù)應(yīng)用中如何選擇 MOSFET器件

    在這篇文章中，我們將研究 MOSFET 用于電池保護(hù)。 每年，越來越多的電子設(shè)備由包含鋰離子 (Li ion) 電池的電池供電。高功率密度、低自放電率和易于充電使其成為幾乎所有便攜式電子產(chǎn)品的首選電池類型——如今，從口袋里的手機(jī)到每天數(shù)以百萬計(jì)開車上班的電動汽車，應(yīng)有盡有由鋰離子電池供電。盡管它們具有許多優(yōu)點(diǎn)，但這些電池也帶來了一定的風(fēng)險(xiǎn)和設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，如果不成功緩解這些風(fēng)險(xiǎn)和設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，可能會導(dǎo)致災(zāi)難性的后果。我認(rèn)為沒有人會很快忘記 2016 年爆炸性的 Galaxy S7 設(shè)備平板電腦和隨后的召回。

  • 負(fù)載開關(guān)的應(yīng)用如何選擇 MOSFET器件

    MOSFET 被用作負(fù)載開關(guān)的次數(shù)超過了在任何其他應(yīng)用中的使用量，一次數(shù)量為數(shù)億個(gè)。我可能應(yīng)該從我在這里定義“負(fù)載開關(guān)”的確切方式開始。為了這篇文章的緣故，考慮負(fù)載開關(guān)任何小信號 FET，其在系統(tǒng)中的唯一功能是將一些低電流 (

  • 如何選擇 MOSFET – 開關(guān)電源應(yīng)用

    在當(dāng)前市場上，高性能功率 MOSFET 最常見的用途或許也是選擇最合適的 FET 的最大挑戰(zhàn)。性能、價(jià)格和尺寸之間的權(quán)衡從來沒有比開關(guān)模式電源 (SMPS) 中使用的 MOSFET 更混亂。 遍歷一個(gè)詳盡的 SMPS 拓?fù)淞斜?，包括隔離的和非隔離的，并列出每個(gè)拓?fù)渥钪匾目紤]因素，這可能需要一個(gè)新奇的 - 一個(gè)比我這樣的簡單營銷工程師擁有更多技術(shù)知識的應(yīng)用程序?qū)＜?。但我確實(shí)希望在本博客的后續(xù)段落中，我可以提供至少一些技巧和陷阱來避免。

  • 如何選擇 MOSFET，基于各方面考量

    在復(fù)雜的電源設(shè)計(jì)中，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 的選擇往往是事后才考慮的。畢竟，它只是一個(gè)三針設(shè)備。它有多復(fù)雜，對吧？但是任何喜歡生蠔的人都會（試圖）告訴你，外表可能是騙人的。嘗試選擇正確的 MOSFET 或“FET”可能比我們想象的要復(fù)雜。

  • Nexperia推出用于自動安全氣囊的專用MOSFET (ASFET)新產(chǎn)品組合

    在LFPAK封裝中采用新型SOA(安全工作區(qū)) Trench技術(shù)，可提供出色的瞬態(tài)線性模式性能，為設(shè)計(jì)人員帶來體積更小、更可靠的選擇。

  • 安森美推出全球首款TOLL封裝650 V碳化硅MOSFET

    新器件縮小封裝尺寸60%，增強(qiáng)性能并減少損耗

  • 如何為 SiC MOSFET 選擇合適的柵極驅(qū)動器

    碳化硅 (SiC) MOSFET 在功率半導(dǎo)體行業(yè)取得了重大進(jìn)展，這要?dú)w功于與硅基開關(guān)相比的一系列優(yōu)勢。這些包括更快的開關(guān)、更高的效率、更高的工作電壓和更高的溫度，從而產(chǎn)生更小、更輕的設(shè)計(jì)。 這些屬性導(dǎo)致了一系列汽車和工業(yè)應(yīng)用。但是像 SiC 這樣的寬帶隙器件也帶來了設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，包括電磁干擾 (EMI)、過熱和過壓條件，這些可以通過選擇正確的柵極驅(qū)動器來解決。

  • TI的FemtoFET功率 MOSFET 減少PCB體積

    《星際迷航》如何預(yù)測未來的技術(shù)進(jìn)步繼續(xù)讓我感到驚訝?！缎请H迷航：原始系列》中的手持通訊器在 1960 年代作為道具出現(xiàn)在電視節(jié)目中時(shí)似乎是一個(gè)奇跡。然而，它又大又笨重，而且在幾集中，通訊器丟失或停止工作，這使得傳送回船上是不可能的。

  • 如何使用柵極驅(qū)動器設(shè)備來控制繼電器

    雖然 MOSFET/IGBT 柵極驅(qū)動器設(shè)計(jì)用于以短時(shí)間高峰值電流驅(qū)動高頻容性負(fù)載，但我們知道它們還可以驅(qū)動感性負(fù)載，例如功率繼電器線圈嗎？這就是 MOSFET/IGBT 柵極驅(qū)動器的秘密生命。 這不是新概念。當(dāng)它們驅(qū)動感性負(fù)載時(shí)，它們通常以低得多的頻率切換，驅(qū)動電流受線圈電阻的限制。柵極驅(qū)動 IC 已用于驅(qū)動電感負(fù)載，例如柵極驅(qū)動變壓器，但頻率范圍為數(shù)十至數(shù)百千赫。

  • 同時(shí)實(shí)現(xiàn)業(yè)界超快反向恢復(fù)時(shí)間和超低導(dǎo)通電阻的600V耐壓超級結(jié) MOSFET “R60xxVNx系列”

    非常有助于降低工業(yè)設(shè)備和白色家電的功耗

  • 最全！盤點(diǎn)20V到1700V全覆蓋的國產(chǎn)MOSFET功率器件，工溫最高175℃

    MOSFET作為不可替代的基礎(chǔ)性產(chǎn)品，被廣泛應(yīng)用在各個(gè)領(lǐng)域。在全球節(jié)能減排大環(huán)境下， MOSFET相比于IGBT和三極管器件功耗低、工作頻率高，無電流拖尾等現(xiàn)象產(chǎn)生。世強(qiáng)硬創(chuàng)平臺匯聚國產(chǎn)知名MOSFET功率器件制造商， 可提供20V-1700V，包含低壓，中壓，高壓MOSFET，工作溫度最高可達(dá)175℃，推動研發(fā)項(xiàng)目快速國產(chǎn)化選型。

  • ST幾款高壓半橋驅(qū)動器介紹

    ST的高壓驅(qū)動器旨在優(yōu)化矢量電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)，在高開關(guān)頻率和智能關(guān)機(jī)時(shí)具有優(yōu)異的性能，以保護(hù)最終應(yīng)用。 STDRIVE MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器集成了一個(gè)比較器保護(hù)，一個(gè)運(yùn)放電流傳感和一個(gè)集成的引導(dǎo)二極管，從而減少了系統(tǒng)級別所需的外部組件的數(shù)量。

  • 級聯(lián) MOSFET 中高壓轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

    金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（英語：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET），簡稱金氧半場效晶體管是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管。金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管依照其“溝道”的極性不同，可分為電子占多數(shù)的N溝道型與空穴占多數(shù)的P溝道型，通常又稱為N型金氧半場效晶體管（NMOSFET）與P型金氧半場效晶體管（PMOSFET）。

  • 英飛凌推出采用D2PAK封裝的650 V CoolSiCTM MOSFET，進(jìn)一步降低應(yīng)用損耗并提高可靠性

    【2022年3月31日，德國慕尼黑訊】在數(shù)字化、城市化和電動汽車等大趨勢的推動下，電力消耗日益增加。與此同時(shí)，提升能源效率的重要性也在與日俱增。為了順應(yīng)當(dāng)下全球發(fā)展大勢并滿足相關(guān)市場需求，英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)推出了650 V CoolSiCTM MOSFET系列新產(chǎn)品。該產(chǎn)品具有高可靠性、易用性和經(jīng)濟(jì)實(shí)用等特點(diǎn)，能夠提供卓越的性能。這些SiC器件采用了英飛凌先進(jìn)的SiC溝槽工藝、緊湊的D2PAK 表面貼裝7引腳封裝和.XT互連技術(shù)，廣泛適用于大功率應(yīng)用，包括服務(wù)器、電信設(shè)備、工業(yè)SMPS、電動汽車快速充電、電機(jī)驅(qū)動、太陽能系統(tǒng)、儲能系統(tǒng)和電池化成等。

  • Nexperia先進(jìn)電熱模型可覆蓋整個(gè)MOSFET工作溫度范圍

    新模型還可在原型設(shè)計(jì)前對EMC性能進(jìn)行調(diào)查

  • 雙向DC/DC性能分析及研究

    摘要:通過對雙向DC/DC變換器的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)及功率損耗的分析研究,以尋求合理的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)和性能參數(shù),達(dá)到提高雙向DC/DC變換性能的目的。通過對系統(tǒng)電路結(jié)構(gòu)及工作原理的分析、核心器件參數(shù)的計(jì)算和選擇、功率損耗的分析,首先進(jìn)行了理論仿真,再經(jīng)過實(shí)驗(yàn)測試,研究了在雙向DC/DC變換中驅(qū)動脈沖占空比及頻率、輸出電流等對雙向DC/DC性能及參數(shù)所產(chǎn)生的影響,從而確定了其最佳工作條件及參數(shù)。