MOSFET

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金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

如何為我們的應(yīng)用選擇合適的功率 MOSFET 或功率模塊的封裝

在開始新設(shè)計時，工程師常常被功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (?MOSFET?) 和功率塊的封裝選項數(shù)量所淹沒。

功率器件
2021-09-22

MOSFET 功率器件封裝
英飛凌賦能Flex Power Modules全新開關(guān)式電容中間總線轉(zhuǎn)換器，為48V數(shù)據(jù)中心應(yīng)用提供高功率密度

【2021年9月17日，德國慕尼黑和瑞典斯德哥爾摩訊】近日，F(xiàn)lex Power Modules推出BMR310——一款非隔離式開關(guān)電容中間總線轉(zhuǎn)換器(IBC)，可為數(shù)據(jù)中心提供高功率密度供電，從而提高電路板空間利用率，為其他組件釋放空間。

英飛凌
2021-09-18

英飛凌總線轉(zhuǎn)換器 MOSFET
漲知識！IGBT 和 SiC MOSFET PIM 在太陽能逆變器中的性能比較

點擊藍(lán)字?關(guān)注我們請私信我們添加白名單如果您喜歡本篇文章，歡迎轉(zhuǎn)載！國際能源署的數(shù)據(jù)顯示，到2030年，太陽能光伏?(PV)裝置的裝機(jī)容量有望達(dá)到3,300TWh，與2019年的水平相比，年增率為15%[1]，這意味著能源供應(yīng)的比例在不斷上升。光伏裝置的安裝是將微型、迷你和電力公...

安森美
2021-09-17

IGBT MOSFET
安森美電機(jī)開發(fā)套件獲中國2021年Top 10電源產(chǎn)品獎

業(yè)界認(rèn)可該套件的創(chuàng)新加快更高能效的電機(jī)控制方案的開發(fā)

安森美(onsemi)
2021-09-15

安森美 PWM MOSFET
SiC 器件專有的可靠性保證途徑及其重要性

作為一家開發(fā)SiC技術(shù)的領(lǐng)先廠商，英飛凌認(rèn)識到需要更新基于硅器件模型而制定的現(xiàn)有可靠性測試標(biāo)準(zhǔn)，以保證碳化硅器件達(dá)到足夠高可靠性水平。英飛凌的方法側(cè)重于碳化硅可靠性的三個特定領(lǐng)域。

英飛凌
2021-09-14

英飛凌 SiC MOSFET
UnitedSiC推出業(yè)界最佳6mΩ SiC FET

新增的9款器件可實現(xiàn)更高水平的設(shè)計靈活性

UnitedSiC
2021-09-14

晶圓 SiC UnitedSiC MOSFET
MOSFET數(shù)據(jù)手冊，試試這樣看！

MOS管數(shù)據(jù)手冊上的相關(guān)參數(shù)有很多，以MOS管VBZM7N60為例，下面一起來看一看，MOS管的數(shù)據(jù)手冊一般會包含哪些參數(shù)吧。極限參數(shù)也叫絕對最大額定參數(shù)，MOS管在使用過程當(dāng)中，任何情況下都不能超過下圖的這些極限參數(shù)，否則MOS管有可能損壞。VDS表示漏極與源極之間所能施加的最...

嵌入式微處理器
2021-09-10

數(shù)據(jù)手冊 MOSFET
溫度對MOSFET工作和性能的影響

我們在一些開關(guān)電源中會使用MOSFET去做控制。

功率器件
2021-09-08

電子開關(guān) MOSFET
MOSFET與電壓相關(guān)的漏電流

本文將重點討論與電壓相關(guān)的漏電流——漏源漏電流 (I DSS ) 和柵源漏電流(I GSS )。

功率器件
2021-09-08

電子開關(guān) 漏電流 MOSFET
貿(mào)澤聯(lián)手安森美推出全新資源平臺與您分享BLDC電機(jī)控制新品與技術(shù)見解

2021年9月7日 – 專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 與推動節(jié)能創(chuàng)新的半導(dǎo)體解決方案知名供應(yīng)商安森美(onsemi)合作，創(chuàng)建了一個全新內(nèi)容平臺，用于介紹無刷直流 (BLDC) 電機(jī)控制資源、產(chǎn)品和技術(shù)見解。

安森美(onsemi)
2021-09-07

安森美 BLDC電機(jī)控制 MOSFET
漲知識！IGBT?和?SiC?MOSFET?PIM?在太陽能逆變器中的性能比較

點擊藍(lán)字?關(guān)注我們請私信我們添加白名單如果您喜歡本篇文章，歡迎轉(zhuǎn)載！國際能源署的數(shù)據(jù)顯示，到2030年，太陽能光伏?(PV)裝置的裝機(jī)容量有望達(dá)到3,300TWh，與2019年的水平相比，年增率為15%[1]，這意味著能源供應(yīng)的比例在不斷上升。光伏裝置的安裝是將微型、迷你和電力公...

安森美
2021-09-06

IGBT MOSFET
你的MOSFET為什么發(fā)熱那么嚴(yán)重？

在開關(guān)電源電路中，MOSFET作為最核心的器件，卻也是最容易發(fā)熱燒毀的，那么MOSFET到底承受了什么導(dǎo)致發(fā)熱呢？本文來帶你具體分析。??MOSFET工作原理什么是MOSFET？MOSFET是全稱為Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTran...

ZLG致遠(yuǎn)電子
2021-09-06

MOSFET
板子上的MOSFET莫名炸機(jī)，多半是這個原因！

MOSFET、IGBT是開關(guān)電源最核心也是最容易燒壞的器件！其原因大多是過壓或過流導(dǎo)致功耗大增，從而使器件損壞，甚至可能會伴隨爆炸。而SOA安全工作區(qū)測試，就是保障其安全工作的重要測試項目！??SOA安全工作區(qū)SOA指的是安全工作區(qū)，由一系列限制條件組成的一個漏源極電壓VDS和漏...

ZLG致遠(yuǎn)電子
2021-09-06

MOSFET
仿真看世界之SiC MOSFET單管的并聯(lián)均流特性

關(guān)于SiC MOSFET的并聯(lián)問題，英飛凌已陸續(xù)推出了很多技術(shù)資料，幫助大家更好的理解與應(yīng)用。此文章將借助器件SPICE模型與Simetrix仿真環(huán)境，分析SiC MOSFET單管在并聯(lián)條件下的均流特性。

英飛凌
2021-09-06

英飛凌 SiC MOSFET
Nexperia將于2021年9月21日-23日舉辦“Power Live”

參與面向汽車和工業(yè)應(yīng)用的GaN、MOSFET、功率二極管和雙極性晶體管現(xiàn)場討論;直接觀看點播來自Nexperia實驗室視頻演示

Nexperia
2021-08-30

整流器 Nexperia MOSFET
MOSFET告急！大廠停工、交期不斷延長，第三季再漲10%~20%

近日，馬來西亞實施了更為強(qiáng)硬的「強(qiáng)化行動管制令」，當(dāng)?shù)豂DM大廠都被迫停工，據(jù)悉，IDM均已通知客戶交期延長至少2周以上，MOSFET供給缺口將再擴(kuò)大，成為現(xiàn)今終端最缺的元器件之一，業(yè)界預(yù)期，受各家搶料及晶圓成本上漲，MOSFET第三季價格可望再漲10%~20%。多家MOSFET...

滿天芯
2021-08-19

MOSFET
東芝新器件結(jié)構(gòu)問世，可顯著提高SiC?MOSFET的性能

點擊“東芝半導(dǎo)體”，馬上加入我們哦！目前碳化硅（SiC）被廣泛視為下一代功率器件的材料，因為它比硅的電壓更高，損耗更低。然而，雖然碳化硅器件具有很大的發(fā)展前景，但該類器件的產(chǎn)品可靠性一直備受爭議，這也使其使用情況和市場增長受到了阻礙。其中一個重要問題是當(dāng)電流流過位于功率MOSFE...

TOSHIBA東芝半導(dǎo)體
2021-08-19

東芝器件結(jié)構(gòu) MOSFET
超結(jié)型MOSFET前來助陣，TOLL封裝為大功率產(chǎn)品錦上添花

點擊“東芝半導(dǎo)體”，馬上加入我們哦！根據(jù)數(shù)據(jù)統(tǒng)計顯示，功率MOSFET約占據(jù)全球功率器件市場規(guī)模的22%。功率MOSFET在近幾年間需求的快速增長，源于其獨特的產(chǎn)品優(yōu)勢：第一，功率MOSFET驅(qū)動電路較為簡單，通?？梢杂蒚TL驅(qū)動電路或者CMOS直接驅(qū)動；第二，功率MOSFET的...

TOSHIBA東芝半導(dǎo)體
2021-08-19

大功率 MOSFET 封裝
內(nèi)含福利｜東芝SiC?MOSFET為您開啟電源新大門

點擊“東芝半導(dǎo)體”，馬上加入我們哦！環(huán)境和能源問題是一個重要的全球性問題。同時，隨著電力需求持續(xù)升高，對節(jié)能的呼聲以及對高效、緊湊型電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的需求也迅速增加。而在這其中，功率半導(dǎo)體扮演著極為重要的角色。功率半導(dǎo)體具有將直流電轉(zhuǎn)換成交流電的逆變器功能，將交流電轉(zhuǎn)換成直流電的轉(zhuǎn)換...

TOSHIBA東芝半導(dǎo)體
2021-08-19

東芝電源 MOSFET
手指一戳，車規(guī)級MOSFET就到面前了

點擊“東芝半導(dǎo)體”，馬上加入我們哦！MOSFETMOSFET所具備的開關(guān)特性和驅(qū)動特性在整個電子設(shè)計領(lǐng)域的歷史進(jìn)程中都具備劃時代的意義。其中，汽車電子領(lǐng)域?qū)OSFET有很嚴(yán)苛的要求：1、在傳輸數(shù)字信號時候，精度要高；2、開關(guān)特性、驅(qū)動特性下的抗干擾能力要強(qiáng)；3、在正常運行下自身...

TOSHIBA東芝半導(dǎo)體
2021-08-19

MOSFET

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MOSFET

如何為我們的應(yīng)用選擇合適的功率 MOSFET 或功率模塊的封裝

英飛凌賦能Flex Power Modules全新開關(guān)式電容中間總線轉(zhuǎn)換器，為48V數(shù)據(jù)中心應(yīng)用提供高功率密度

漲知識！IGBT 和 SiC MOSFET PIM 在太陽能逆變器中的性能比較

安森美電機(jī)開發(fā)套件獲中國2021年Top 10電源產(chǎn)品獎

SiC 器件專有的可靠性保證途徑及其重要性

UnitedSiC推出業(yè)界最佳6mΩ SiC FET

MOSFET數(shù)據(jù)手冊，試試這樣看！

溫度對MOSFET工作和性能的影響

MOSFET與電壓相關(guān)的漏電流

貿(mào)澤聯(lián)手安森美推出全新資源平臺與您分享BLDC電機(jī)控制新品與技術(shù)見解

漲知識！IGBT?和?SiC?MOSFET?PIM?在太陽能逆變器中的性能比較

你的MOSFET為什么發(fā)熱那么嚴(yán)重？

板子上的MOSFET莫名炸機(jī)，多半是這個原因！

仿真看世界之SiC MOSFET單管的并聯(lián)均流特性

Nexperia將于2021年9月21日-23日舉辦“Power Live”

MOSFET告急！大廠停工、交期不斷延長，第三季再漲10%~20%

東芝新器件結(jié)構(gòu)問世，可顯著提高SiC?MOSFET的性能

超結(jié)型MOSFET前來助陣，TOLL封裝為大功率產(chǎn)品錦上添花

內(nèi)含福利｜東芝SiC?MOSFET為您開啟電源新大門

手指一戳，車規(guī)級MOSFET就到面前了

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