MOSFET
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兼具SiC MOSFET與二極管之長的相臂SiCMOSFET模塊
在生活中，你可能接觸過各種各樣的電子產(chǎn)品，那么你可能并不知道它的一些組成部分，比如它可能含有的相臂SiCMOSFET模塊，那么接下來讓小編帶領(lǐng)大家一起學(xué)習(xí)相臂SiCMOSFET模塊。
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最大限度提高性能的一組全新的MOSFET產(chǎn)品
在生活中，你可能接觸過各種各樣的電子產(chǎn)品，那么你可能并不知道它的一些組成部分，比如它可能含有的MOSFET，那么接下來讓小編帶領(lǐng)大家一起學(xué)習(xí)MOSFET。
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英飛凌OptiMOS?源極底置功率MOSFET系列新添PQFN封裝的40 V裝置
當(dāng)代的電源系統(tǒng)設(shè)計需要高功率密度等級和精巧的外型尺寸，以期得到最高的系統(tǒng)級性能。
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可以驅(qū)動開關(guān)電源如MOSFET，JFET的柵極驅(qū)動器
伸縮門柵極驅(qū)動器?它的工作原理是什么?柵極驅(qū)動器可以驅(qū)動開關(guān)電源如MOSFET，JFET等，因為如MOSFET有個柵極電容，在導(dǎo)通之前要先對該電容充電，當(dāng)電容電壓超過閾值電壓(VGS-TH)時MOSFET才開始導(dǎo)通。這就要求柵極驅(qū)動的柵極電流足夠大，能夠瞬時充滿MOSFET柵極電容。因此，柵極驅(qū)動就是起到驅(qū)動開關(guān)電源導(dǎo)通與關(guān)閉的作用。
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什么是開關(guān)電源的同步與非同步整流？有什么特點？
你知道開關(guān)電源的同步與非同步整流嗎?文主要介紹開關(guān)電源的同步與非同步整流，及其各自的特點。同步是采用導(dǎo)通電阻極低的專用功率MOSFET，來取代續(xù)流二極管以降低整流損耗。能大大提高DC/DC變換器的效率并且不存在由肖特基勢壘電壓而造成的死區(qū)電壓。功率MOSFET屬于電壓控制型器件，它在導(dǎo)通時的伏安特性呈線性關(guān)系。用功率MOSFET做整流器時，要求柵極電壓必須與被整流電壓的相位保持同步才能完成整流功能，故稱之為同步整流。
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Diodes Incorporated 推出符合車用規(guī)范 3.3mm x 3.3mm 封裝 40V 雙 MOSFET
Diodes 公司今日宣布推出符合車用規(guī)范的 3.3mm x 3.3mm 封裝 40V 雙 MOSFET。DMT47M2LDVQ 可以取代兩個分立式 MOSFET，以減少眾多汽車產(chǎn)品應(yīng)用中電路板所占用的空間，包括電動座椅控制以及先進駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS) 等。
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Vishay推出集成式40 V MOSFET半橋功率級，RDS(ON)和FOM達到業(yè)界出色水平，提高功率密度和效率
節(jié)省空間的器件采用小型PowerPAIR? 3x3S封裝，最大RDS(ON)導(dǎo)通電阻降至8.05 m，Qg為6.5 nC
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關(guān)于電源IC的Vcc電壓，你了解嗎？
什么是電源IC的Vcc電壓?它有什么特點?關(guān)于絕緣型反激式轉(zhuǎn)換器的性能評估，除了規(guī)格以外，需要確認的“重要檢查點”本次將說明“Vcc電壓”。
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Nexperia建立新的特定型應(yīng)用FET類別以優(yōu)化性能
“ASFET”采用專為特定應(yīng)用量身定制的MOSFET參數(shù)
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電力電子器件選用原則是什么？
通常來說，選用哪類器件取決于成本、效率的要求并兼顧開關(guān)頻率。如果要求硬開關(guān)在100kHz以上，一般只有MOSFET能夠勝任。用于太陽能光伏發(fā)電系統(tǒng)逆變器(含輸入直流斬波級)的功率半導(dǎo)體器件主要有MOSFET、IGBT、超結(jié)MOSFET。其中MOSFET速度最快，但成本也最高。
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MOSFET器件的選擇技巧
小到選N型還是P型、封裝類型，大到MOSFET的耐壓、導(dǎo)通電阻等，不同的應(yīng)用需求千變?nèi)f化，工程師在選擇MOS管時，一定要依據(jù)電路設(shè)計需求及MOS管工作場所來選取合適的MOS管，從而獲得最佳的產(chǎn)品設(shè)計體驗。
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功率器件的前世今生
電力電子器件(Power Electronic Device)，又稱為功率半導(dǎo)體器件，用于電能變換和電能控制電路中的大功率(通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安，電壓為數(shù)百伏以上)電子器件。由于早期主要用于電力設(shè)備的電能變換和控制電路方面，因此得名“電力電子器件”。
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東芝推出適用于高效率電源的新款1200V碳化硅MOSFET
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布，推出新款1200V碳化硅(SiC)MOSFET---“TW070J120B”。該產(chǎn)品面向工業(yè)應(yīng)用(包括大容量電源)，并于今日開始出貨。
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充電電池的電路設(shè)計
通常我們都知道從電路性能上來考慮， 使用鍺二極管或者肖特基二極管是最好的選擇。
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如何改善白光LED？線性穩(wěn)壓器(LDO)可以嗎？
自從前些年白光LED誕生以來，白光 LED 的應(yīng)用得到了穩(wěn)步發(fā)展。與熒光燈相比具有使用簡單、成本低的優(yōu)勢，與白熾燈相比可以提供更接近于白色的光，因此，其用量在最近幾年呈現(xiàn)出穩(wěn)步上升的趨勢，在手持式產(chǎn)品中被廣泛用作閃光燈、顯示器背光等。當(dāng)然，在實際應(yīng)用中針對白光 LED 也存在一些有待解決的技術(shù)問題。
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實裝電源電路 PCB 板布局相關(guān)的注意事項的經(jīng)驗分享，值得收藏
開關(guān)電源電路的PCB布局是怎么樣的吶，小編根據(jù)自己的經(jīng)驗，為大家分享了實裝 PCB 板布局相關(guān)的注意事項。
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貿(mào)澤開售Microchip AgileSwitch相臂功率模塊，兼具SiC MOSFET與二極管之長
專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始備貨Microchip Technology的全新AgileSwitch?相臂SiC MOSFET模塊。
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ROHM開發(fā)出1mm見方超小型車載MOSFET!
提升散熱性與安裝可靠性，非常適用于日益高密度化的車載ECU和ADAS相關(guān)設(shè)備
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Vishay推出新款200V N溝道MOSFET的RDS(ON)導(dǎo)通電阻達到業(yè)內(nèi)最低水平，提高系統(tǒng)功率密度且節(jié)省能源
TrenchFETa器件典型RDS(ON)為 61 mΩ，優(yōu)值系數(shù)為 854 mΩ*nC，封裝面積10.89 mm2
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IGBT 系統(tǒng)設(shè)計詳解
IGBT，中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET（輸入級）和PNP晶體管（輸出級）復(fù)合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅(qū)動功 率小和開關(guān)速度快的特點（控制和響應(yīng)），又有雙極型器
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