MOSFET

我要報(bào)錯(cuò)

金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。

功率半導(dǎo)體掀新一輪漲價(jià)潮：預(yù)計(jì)漲幅12%

據(jù)媒體報(bào)道，全球功率半導(dǎo)體龍頭英飛凌正在醞釀新一輪產(chǎn)品漲價(jià)，MOSFET的漲幅將有12%，預(yù)計(jì)本月中旬執(zhí)行。還有多家功率半導(dǎo)體廠商也在近期發(fā)布了漲價(jià)通知。

電子情報(bào)局
2021-06-16

功率半導(dǎo)體 IGBT MOSFET
在工業(yè)高頻雙向PFC電力變換器中使用SiC MOSFET的優(yōu)勢(shì)

本文在典型的三相電力應(yīng)用中分析了SiC功率MOSFET在高頻PFC變換器中的應(yīng)用表現(xiàn)，證明碳化硅電力解決方案的優(yōu)勢(shì)。

意法半導(dǎo)體
2021-06-11

開(kāi)關(guān)頻率高頻雙向PFC MOSFET
貿(mào)澤電子與PANJIT簽訂全球分銷協(xié)議

2021年6月9日 – 專注于引入新品并提供海量庫(kù)存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與PANJIT簽訂全球分銷協(xié)議。

貿(mào)澤電子
2021-06-09

貿(mào)澤電子 TVS MOSFET
英飛凌推出EasyPACK CoolSiC MOSFET模塊，適用于1500V太陽(yáng)能系統(tǒng)和ESS應(yīng)用的快速開(kāi)關(guān)

近日，英飛凌科技股份公司推出全新EasyPACK? 2B模塊。作為英飛凌1200 V系列的產(chǎn)品，該模塊采用有源鉗位三電平(ANPC)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu).

英飛凌
2021-06-09

英飛凌有源鉗位三電平 MOSFET
Microchip抗輻射MOSFET獲得商業(yè)和軍用衛(wèi)星及航空電源解決方案認(rèn)證

M6 MRH25N12U3硅晶體管可以承受極端的太空環(huán)境，增強(qiáng)電源電路可靠性.

Microchip
2021-06-09

Microchip 航空電源 MOSFET
安森美半導(dǎo)體在APEC 2021發(fā)布，新的用于電動(dòng)車充電的完整碳化硅MOSFET模塊方案

全面的寬禁帶器件組合實(shí)現(xiàn)高性能充電方案

安森美(onsemi)
2021-06-08

安森美 SiC MOSFET
東芝推出用于隔離式固態(tài)繼電器的光伏輸出光耦

中國(guó)上海，2021年5月27日——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布，推出采用薄型S06L封裝的新款光伏輸出光耦(“光伏耦合器”)---“TLP3910”。

TOSHIBA東芝半導(dǎo)體
2021-05-27

東芝光耦 MOSFET
Nexperia新型40 V低RDS(on) MOSFET助力汽車和工業(yè)應(yīng)用實(shí)現(xiàn)更高功率密度

奈梅亨，2021年5月27日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今日宣布推出新型0.55 m? RDS(on) 40 V功率MOSFET，該器件采用高可靠性的LFPAK88封裝，適用于汽車(BUK7S0R5-40H)和工業(yè)(PSMNR55-40SSH)應(yīng)用。

Nexperia
2021-05-27

半導(dǎo)體 Nexperia MOSFET
工程師必讀開(kāi)關(guān)電源MOS的8大損耗

在器件設(shè)計(jì)選擇過(guò)程中需要對(duì) MOSFET 的工作過(guò)程損耗進(jìn)行先期計(jì)算（所謂先期計(jì)算是指在沒(méi)能夠測(cè)試各工作波形的情況下，利用器件規(guī)格書提供的參數(shù)及工作電路的計(jì)算值和預(yù)計(jì)波形，套用公式進(jìn)行理論上的近似計(jì)算）。

電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)
2021-04-25

MOS 導(dǎo)通損耗 MOSFET
Vishay推出全球領(lǐng)先的汽車級(jí)80 V P溝道MOSFET，以提高系統(tǒng)能效和功率密度

器件采用歐翼引線結(jié)構(gòu)PowerPAK? SO-8L小型封裝具有業(yè)界出色FOM并獲得AEC-Q101認(rèn)證

VISHAY
2021-04-07

Vishay DPAK封裝 MOSFET
對(duì)于電源管理來(lái)說(shuō)，碳化硅到底比硅強(qiáng)了多少？

諸如太陽(yáng)能和風(fēng)力發(fā)電之類的創(chuàng)新技術(shù)正在加速取代傳統(tǒng)燃料為基礎(chǔ)的電廠，并且由于儲(chǔ)能和收集方法的改善，從而節(jié)省了大量成本，已經(jīng)超過(guò)了昂貴的“發(fā)電廠”。

基礎(chǔ)知識(shí)科普站
2021-03-30

碳化硅 MOSFET
最全的MOSFET技術(shù)疑難盤點(diǎn)

導(dǎo)體三極管中參與導(dǎo)電的有兩種極性的載流子，所以也稱為雙極型三極管。

電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)
2021-03-29

三極管導(dǎo)體三極管 MOSFET
如何優(yōu)化48V輕混電動(dòng)車(MHEV)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)

制造商制造輕混電動(dòng)車(MHEV)的最終目標(biāo)是減少溫室氣體(GHG)排放。輕混電動(dòng)車包含一個(gè)連接到車輛變速器系統(tǒng)的48V電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。

基礎(chǔ)知識(shí)科普站
2021-03-29

電機(jī)驅(qū)動(dòng)器輕混電動(dòng)車 MOSFET
意法半導(dǎo)體發(fā)布隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，可安全控制碳化硅MOSFET

STGAP2SiCS是意法半導(dǎo)體STGAP系列隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的最新產(chǎn)品，可安全地控制碳化硅(SiC) MOSFET，工作電源電壓高達(dá)1200V。

意法半導(dǎo)體
2021-03-23

碳化硅隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器 MOSFET
意法半導(dǎo)體發(fā)布隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，可安全控制碳化硅MOSFET

STGAP2SiCS是意法半導(dǎo)體STGAP系列隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的最新產(chǎn)品，可安全地控制碳化硅(SiC) MOSFET，工作電源電壓高達(dá)1200V。

意法半導(dǎo)體
2021-03-22

意法半導(dǎo)體柵極驅(qū)動(dòng)器 MOSFET
賦能未來(lái)，勇往直前---科銳聯(lián)合創(chuàng)始人發(fā)表SiC MOSFET十周年文章

2021年3月18日，美國(guó)北卡羅萊納州達(dá)勒姆訊––全球碳化硅技術(shù)領(lǐng)先企業(yè)科銳Cree, Inc. 聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席技術(shù)官John Palmour 博士發(fā)表了以《賦能未來(lái)，勇往直前：SiC MOSFET問(wèn)世10周年的思索》為題的文章。

Wolfspeed
2021-03-18

科銳 SiC MOSFET
東芝推出采用TOLL封裝的650V超級(jí)結(jié)功率MOSFET，有助于提高大電流設(shè)備的效率

東芝今日宣布，在其TOLL(TO-無(wú)引線)封裝的DTMOSVI系列中推出650V超級(jí)結(jié)功率MOSFET---TK065U65Z、TK090U65Z、TK110U65Z、TK155U65Z和TK190U65Z，今日開(kāi)始批量出貨。

TOSHIBA東芝半導(dǎo)體
2021-03-11

東芝 TOLL封裝 MOSFET
Silicon Labs、瑞薩、羅姆等將匯聚世強(qiáng)硬創(chuàng)新產(chǎn)品研討會(huì)，發(fā)布功率器件全品類最新產(chǎn)品和技術(shù)

去年年底，受上游晶圓供應(yīng)緊缺情況的持續(xù)影響，國(guó)內(nèi)外多家金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(MOSFET)廠商發(fā)布漲價(jià)通知，產(chǎn)品供不應(yīng)求，無(wú)法滿足國(guó)內(nèi)迅速爆發(fā)的市場(chǎng)需求。

世強(qiáng)元件電商
2021-03-09

功率器件世強(qiáng)硬創(chuàng) MOSFET
安森美半導(dǎo)體發(fā)布新的650 V碳化硅 (SiC) MOSFET

推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ONSemiconductor)，發(fā)布一系列新的碳化硅 (SiC) MOSFET器件，適用于功率密度、能效和可靠性攸關(guān)的高要求應(yīng)用。設(shè)計(jì)人員用新的SiC器件取代現(xiàn)有的硅開(kāi)關(guān)技術(shù)，將在電動(dòng)汽車(EV)車載充電器(OBC)、太陽(yáng)能逆變...

安森美
2021-02-24

安森美半導(dǎo)體 SiC MOSFET
Nexperia擴(kuò)展LFPAK56D MOSFET產(chǎn)品系列，推出符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的半橋封裝產(chǎn)品

節(jié)省空間的LFPAK56D半橋產(chǎn)品可以幫助動(dòng)力系統(tǒng)、電機(jī)控制和DC/DC應(yīng)用減少60%的寄生電感并改善散熱性能

Nexperia
2021-02-23

Nexperia LFPAK56D MOSFET

首頁(yè) 上一頁(yè) 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 下一頁(yè) 尾頁(yè)

MOSFET

功率半導(dǎo)體掀新一輪漲價(jià)潮：預(yù)計(jì)漲幅12%

在工業(yè)高頻雙向PFC電力變換器中使用SiC MOSFET的優(yōu)勢(shì)

貿(mào)澤電子與PANJIT簽訂全球分銷協(xié)議

英飛凌推出EasyPACK CoolSiC MOSFET模塊，適用于1500V太陽(yáng)能系統(tǒng)和ESS應(yīng)用的快速開(kāi)關(guān)

Microchip抗輻射MOSFET獲得商業(yè)和軍用衛(wèi)星及航空電源解決方案認(rèn)證

安森美半導(dǎo)體在APEC 2021發(fā)布，新的用于電動(dòng)車充電的完整碳化硅MOSFET模塊方案

東芝推出用于隔離式固態(tài)繼電器的光伏輸出光耦

Nexperia新型40 V低RDS(on) MOSFET助力汽車和工業(yè)應(yīng)用實(shí)現(xiàn)更高功率密度

工程師必讀開(kāi)關(guān)電源MOS的8大損耗

Vishay推出全球領(lǐng)先的汽車級(jí)80 V P溝道MOSFET，以提高系統(tǒng)能效和功率密度

對(duì)于電源管理來(lái)說(shuō)，碳化硅到底比硅強(qiáng)了多少？

最全的MOSFET技術(shù)疑難盤點(diǎn)

如何優(yōu)化48V輕混電動(dòng)車(MHEV)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)

意法半導(dǎo)體發(fā)布隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，可安全控制碳化硅MOSFET

意法半導(dǎo)體發(fā)布隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，可安全控制碳化硅MOSFET

賦能未來(lái)，勇往直前---科銳聯(lián)合創(chuàng)始人發(fā)表SiC MOSFET十周年文章

東芝推出采用TOLL封裝的650V超級(jí)結(jié)功率MOSFET，有助于提高大電流設(shè)備的效率

Silicon Labs、瑞薩、羅姆等將匯聚世強(qiáng)硬創(chuàng)新產(chǎn)品研討會(huì)，發(fā)布功率器件全品類最新產(chǎn)品和技術(shù)

安森美半導(dǎo)體發(fā)布新的650 V碳化硅 (SiC) MOSFET

Nexperia擴(kuò)展LFPAK56D MOSFET產(chǎn)品系列，推出符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的半橋封裝產(chǎn)品

相關(guān)標(biāo)簽

關(guān)注此標(biāo)簽的用戶(人)

熱門活動(dòng)

課程視頻