諸如太陽能和風(fēng)力發(fā)電之類的創(chuàng)新技術(shù)正在加速取代傳統(tǒng)燃料為基礎(chǔ)的電廠,并且由于儲能和收集方法的改善,從而節(jié)省了大量成本,已經(jīng)超過了昂貴的“發(fā)電廠”。
導(dǎo)體三極管中參與導(dǎo)電的有兩種極性的載流子,所以也稱為雙極型三極管。
制造商制造輕混電動車(MHEV)的最終目標(biāo)是減少溫室氣體(GHG)排放。輕混電動車包含一個連接到車輛變速器系統(tǒng)的48V電機驅(qū)動系統(tǒng)。
STGAP2SiCS是意法半導(dǎo)體STGAP系列隔離式柵極驅(qū)動器的最新產(chǎn)品,可安全地控制碳化硅(SiC) MOSFET,工作電源電壓高達(dá)1200V。
STGAP2SiCS是意法半導(dǎo)體STGAP系列隔離式柵極驅(qū)動器的最新產(chǎn)品,可安全地控制碳化硅(SiC) MOSFET,工作電源電壓高達(dá)1200V。
2021年3月18日,美國北卡羅萊納州達(dá)勒姆訊––全球碳化硅技術(shù)領(lǐng)先企業(yè)科銳Cree, Inc. 聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席技術(shù)官John Palmour 博士發(fā)表了以《賦能未來,勇往直前:SiC MOSFET問世10周年的思索》為題的文章。
東芝今日宣布,在其TOLL(TO-無引線)封裝的DTMOSVI系列中推出650V超級結(jié)功率MOSFET---TK065U65Z、TK090U65Z、TK110U65Z、TK155U65Z和TK190U65Z,今日開始批量出貨。
去年年底,受上游晶圓供應(yīng)緊缺情況的持續(xù)影響,國內(nèi)外多家金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管(MOSFET)廠商發(fā)布漲價通知,產(chǎn)品供不應(yīng)求,無法滿足國內(nèi)迅速爆發(fā)的市場需求。
推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ONSemiconductor),發(fā)布一系列新的碳化硅 (SiC) MOSFET器件,適用于功率密度、能效和可靠性攸關(guān)的高要求應(yīng)用。設(shè)計人員用新的SiC器件取代現(xiàn)有的硅開關(guān)技術(shù),將在電動汽車(EV)車載充電器(OBC)、太陽能逆變...
節(jié)省空間的LFPAK56D半橋產(chǎn)品可以幫助動力系統(tǒng)、電機控制和DC/DC應(yīng)用減少60%的寄生電感并改善散熱性能
在這篇文章中,小編將對MPS MPQ5069保護(hù)開關(guān)的相關(guān)內(nèi)容和情況加以介紹以幫助大家增進(jìn)對它的了解程度。
優(yōu)異的開關(guān)和更高的可靠性在各種挑戰(zhàn)性應(yīng)用中提高功率密度
以下內(nèi)容中,小編將對MPS MPM6010同步降壓 LED 驅(qū)動器的相關(guān)內(nèi)容進(jìn)行著重介紹和闡述。
本文中,小編將對MPS MPQ2172單片降壓開關(guān)變換器予以介紹。
人們普遍認(rèn)為,SiC MOSFET可以實現(xiàn)非??斓拈_關(guān)速度,有助于顯著降低電力電子領(lǐng)域功率轉(zhuǎn)換過程中的能量損耗。
寬禁帶材料實現(xiàn)了較當(dāng)前硅基技術(shù)的飛躍。它們的大帶隙導(dǎo)致較高的介電擊穿,從而降低了導(dǎo)通電阻(RSP)。更高的電子飽和速度支持高頻設(shè)計和工作,降低的漏電流和更好的導(dǎo)熱性有助于高溫下的工作。安森美半導(dǎo)體提供圍繞寬禁帶方案的獨一無二的生態(tài)系統(tǒng),包含從旨在提高強固性和速度的碳化硅(SiC)...
業(yè)內(nèi)首款采用鷗翼引線結(jié)構(gòu)5 mm x 6 mm 緊湊型PowerPAK? SO-8L封裝器件,導(dǎo)通電阻僅為30 mΩ
~24款適用于工業(yè)設(shè)備及大型消費電子設(shè)備的-40V和-60V耐壓產(chǎn)品全新上線~
第四代N溝道器件降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗,提高能效!
雙MOSFET器件通過節(jié)省空間、減少器件數(shù)量和提高可靠性,簡化汽車電磁閥控制電路。