碳化硅 (SiC) MOSFET 在功率半導(dǎo)體行業(yè)取得了重大進(jìn)展,這要歸功于與硅基開關(guān)相比的一系列優(yōu)勢。這些包括更快的開關(guān)、更高的效率、更高的工作電壓和更高的溫度,從而產(chǎn)生更小、更輕的設(shè)計。 這些屬性導(dǎo)致了一系列汽車和工業(yè)應(yīng)用。但是像 SiC 這樣的寬帶隙器件也帶來了設(shè)計挑戰(zhàn),包括電磁干擾 (EMI)、過熱和過壓條件,這些可以通過選擇正確的柵極驅(qū)動器來解決。
《星際迷航》如何預(yù)測未來的技術(shù)進(jìn)步繼續(xù)讓我感到驚訝?!缎请H迷航:原始系列》中的手持通訊器在 1960 年代作為道具出現(xiàn)在電視節(jié)目中時似乎是一個奇跡。然而,它又大又笨重,而且在幾集中,通訊器丟失或停止工作,這使得傳送回船上是不可能的。
雖然 MOSFET/IGBT 柵極驅(qū)動器設(shè)計用于以短時間高峰值電流驅(qū)動高頻容性負(fù)載,但我們知道它們還可以驅(qū)動感性負(fù)載,例如功率繼電器線圈嗎?這就是 MOSFET/IGBT 柵極驅(qū)動器的秘密生命。 這不是新概念。當(dāng)它們驅(qū)動感性負(fù)載時,它們通常以低得多的頻率切換,驅(qū)動電流受線圈電阻的限制。柵極驅(qū)動 IC 已用于驅(qū)動電感負(fù)載,例如柵極驅(qū)動變壓器,但頻率范圍為數(shù)十至數(shù)百千赫。
非常有助于降低工業(yè)設(shè)備和白色家電的功耗
MOSFET作為不可替代的基礎(chǔ)性產(chǎn)品,被廣泛應(yīng)用在各個領(lǐng)域。在全球節(jié)能減排大環(huán)境下, MOSFET相比于IGBT和三極管器件功耗低、工作頻率高,無電流拖尾等現(xiàn)象產(chǎn)生。世強硬創(chuàng)平臺匯聚國產(chǎn)知名MOSFET功率器件制造商, 可提供20V-1700V,包含低壓,中壓,高壓MOSFET,工作溫度最高可達(dá)175℃,推動研發(fā)項目快速國產(chǎn)化選型。
ST的高壓驅(qū)動器旨在優(yōu)化矢量電機驅(qū)動系統(tǒng),在高開關(guān)頻率和智能關(guān)機時具有優(yōu)異的性能,以保護(hù)最終應(yīng)用。 STDRIVE MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器集成了一個比較器保護(hù),一個運放電流傳感和一個集成的引導(dǎo)二極管,從而減少了系統(tǒng)級別所需的外部組件的數(shù)量。
金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(英語:Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET),簡稱金氧半場效晶體管是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管。金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管依照其“溝道”的極性不同,可分為電子占多數(shù)的N溝道型與空穴占多數(shù)的P溝道型,通常又稱為N型金氧半場效晶體管(NMOSFET)與P型金氧半場效晶體管(PMOSFET)。
【2022年3月31日,德國慕尼黑訊】在數(shù)字化、城市化和電動汽車等大趨勢的推動下,電力消耗日益增加。與此同時,提升能源效率的重要性也在與日俱增。為了順應(yīng)當(dāng)下全球發(fā)展大勢并滿足相關(guān)市場需求,英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出了650 V CoolSiCTM MOSFET系列新產(chǎn)品。該產(chǎn)品具有高可靠性、易用性和經(jīng)濟(jì)實用等特點,能夠提供卓越的性能。這些SiC器件采用了英飛凌先進(jìn)的SiC溝槽工藝、緊湊的D2PAK 表面貼裝7引腳封裝和.XT互連技術(shù),廣泛適用于大功率應(yīng)用,包括服務(wù)器、電信設(shè)備、工業(yè)SMPS、電動汽車快速充電、電機驅(qū)動、太陽能系統(tǒng)、儲能系統(tǒng)和電池化成等。
新模型還可在原型設(shè)計前對EMC性能進(jìn)行調(diào)查
摘要:通過對雙向DC/DC變換器的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)及功率損耗的分析研究,以尋求合理的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)和性能參數(shù),達(dá)到提高雙向DC/DC變換性能的目的。通過對系統(tǒng)電路結(jié)構(gòu)及工作原理的分析、核心器件參數(shù)的計算和選擇、功率損耗的分析,首先進(jìn)行了理論仿真,再經(jīng)過實驗測試,研究了在雙向DC/DC變換中驅(qū)動脈沖占空比及頻率、輸出電流等對雙向DC/DC性能及參數(shù)所產(chǎn)生的影響,從而確定了其最佳工作條件及參數(shù)。
【2022年3月14日,德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封裝的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET產(chǎn)品系列,旨在為分立功率MOSFET技術(shù)樹立全新的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。這些新器件采用薄晶圓技術(shù)和創(chuàng)新的封裝,尺寸極小,卻具有顯著的性能優(yōu)勢。OptiMOS 5 25 V和30 V功率MOSFET產(chǎn)品系列已針對服務(wù)器、通訊、便攜式充電器和無線充電等SMPS應(yīng)用中的同步整流進(jìn)行了優(yōu)化。這些功率MOSFET還可在無人機中,應(yīng)用于小型無刷電機的ESC(電子速度控制)模塊。眾所周知,無人機通常需要尺寸小、重量輕的元器件。
新能源汽車和5G需要搭載大量電源管理IC,其中新能源汽車需要負(fù)荷瞬間大電流,因此需要更多的中高壓MOSFET。在疫情影響導(dǎo)致產(chǎn)能降低的情況下,IDM大廠為搶占新興市場,將部分中低壓MOSFET產(chǎn)能轉(zhuǎn)移至中高壓MOSFET,使中低壓MOSFET出現(xiàn)供給短缺。中低壓MOSFET供應(yīng)商的交期平均為十幾周,有的甚至超過30周。銳駿憑借自建封裝廠和合作國內(nèi)封裝大廠,月產(chǎn)能100KK~150KK,中低壓MOSFET交期只需要2~4周。
繼發(fā)布BTN89xx獲得成功之后,英飛凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)再次推出了全新的MOTIX? BTN99xx(NovalithIC?+)系列智能半橋驅(qū)動集成芯片。
近年來,因為新能源汽車、光伏及儲能、各種電源應(yīng)用等下游市場的驅(qū)動,碳化硅功率器件取得了長足發(fā)展。更快的開關(guān)速度,更好的溫度特性使得系統(tǒng)損耗大幅降低,效率提升,體積減小,從而實現(xiàn)變換器的高效高功率密度化。但是,像碳化硅這樣的寬帶隙(WBG)器件也給應(yīng)用研發(fā)帶來了設(shè)計挑戰(zhàn),因而業(yè)界對于碳化硅 MOSFET平面柵和溝槽柵的選擇和權(quán)衡以及其浪涌電流、短路能力、柵極可靠性等仍心存疑慮。
高功率密度、出色的性能和易用性是當(dāng)前電源系統(tǒng)設(shè)計的關(guān)鍵要求。
許多應(yīng)用使用低壓電池(2-10 節(jié)鋰離子)供電的電機驅(qū)動器,如電動工具、園林工具和真空吸塵器。這些工具使用有刷或無刷直流電機(BLDC)。BLDC 電機效率更高,維護(hù)更少,噪音更低,使用壽命更長。
世界是一個嘈雜的地方——電源也不例外。為了追求更高的效率,電源轉(zhuǎn)換器以越來越快的速度切換會產(chǎn)生意想不到的問題,包括增加系統(tǒng)對瞬態(tài)和噪聲的敏感性。在選擇如何設(shè)計電源以及使用哪些組件來設(shè)計電源時,考慮到這種敏感性很重要。
功率因數(shù)校正 (PFC) 強制輸入電流跟隨輸入電壓 (V IN ), 因此任何電氣負(fù)載看起來都像一個電阻器。此操作需要感測輸入電壓并基于該感測調(diào)制電流參考。電流環(huán)路將強制輸入電流跟隨參考。
固態(tài)繼電器 (SSR) 是一種基于半導(dǎo)體的設(shè)備,用于對負(fù)載進(jìn)行開/關(guān)控制。SSR中通常使用的半導(dǎo)體包括兩種類型的功率晶體管和兩種類型的晶閘管。功率晶體管包括雙極結(jié)型晶體管(BJT)和金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。晶閘管包括可控硅整流器 (SCR) 和三極交流開關(guān) (TRIAC)。
詳細(xì)介紹MOSFET結(jié)構(gòu)及其工作原理!