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[導讀]ST的高壓驅(qū)動器旨在優(yōu)化矢量電機驅(qū)動系統(tǒng),在高開關頻率和智能關機時具有優(yōu)異的性能,以保護最終應用。 STDRIVE MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器集成了一個比較器保護,一個運放電流傳感和一個集成的引導二極管,從而減少了系統(tǒng)級別所需的外部組件的數(shù)量。

ST的高壓驅(qū)動器旨在優(yōu)化矢量電機驅(qū)動系統(tǒng),在高開關頻率和智能關機時具有優(yōu)異的性能,以保護最終應用。

STDRIVE MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器集成了一個比較器保護,一個運放電流傳感和一個集成的引導二極管,從而減少了系統(tǒng)級別所需的外部組件的數(shù)量。


1.A6387是一種高壓器件

A6387是一種高壓器件,使用BCD?“離線”技術制造。它是一種用于n通道功率mosfet或igbt的單芯片半橋門驅(qū)動器。高側(cè)(浮動)部分的設計,以站立電壓軌高達550 V。邏輯輸入是CMOS/TTL兼容,便于微控制器或DSP接口。


特性

高壓導軌可達550v

在全溫度范圍內(nèi),dV/dt免疫力±50 V/nsec

驅(qū)動電流的能力

400毫安源

650毫安水槽

切換時間50/30 nsec上升/下降與1 nF負載

帶有遲滯和下拉的施密特觸發(fā)器輸入

內(nèi)部自舉二極管

輸出與輸入同步

聯(lián)鎖功能

AECQ100汽車合格


2.L6384E是一種高壓柵極驅(qū)動器

L6384E是一種高壓柵極驅(qū)動器,采用BCD?“離線”技術制造,能夠驅(qū)動功率MOSFET或IGBT器件的半橋。高側(cè)(浮動)部分能夠工作與電壓軌道高達600伏。這兩個設備輸出可以分別接收和源650 mA和400 mA,由于單輸入配置,不能同時驅(qū)動高。進一步防止輸出交叉導通由死區(qū)功能保證,用戶可通過連接到DT/SD引腳的外部電阻進行調(diào)節(jié)。L6384E器件有一個輸入引腳、一個使能引腳(DT/SD)和兩個輸出引腳,保證了低邊和高邊之間的匹配延遲,從而簡化了器件的高頻工作。邏輯輸入是CMOS/TTL兼容,以方便與控制設備的接口。引導二極管集成在設備內(nèi)部,允許更緊湊和可靠的解決方案。

L6384E具有UVLO保護和vcc供電電壓上的電壓鉗位。電壓鉗通常在15.6 V左右,在VCCsupply電壓升高過慢或電壓下降的情況下,可以確保設備正常工作。

該設備可在DIP-8管和SO-8管和磁帶和卷軸包裝選項。

特性

高壓鋼軌可達600伏

在全溫度范圍內(nèi),dV/dt免疫力±50 V/nsec

驅(qū)動電流的能力

400毫安源

650毫安水槽

切換時間50/30 nsec上升/下降與1 nF負載

CMOS/TTL施密特觸發(fā)器輸入滯后和下拉

關閉輸入

空載時間設置

欠壓鎖定

綜合自舉二極管

夾緊在VCC

可提供DIP-8/SO-8包裝

3.L6386AD是一種高壓柵極驅(qū)動器

L6386AD是一種高壓柵極驅(qū)動器,使用BCD?“離線”技術制造,能夠同時驅(qū)動一個高側(cè)和一個低側(cè)功率MOSFET或IGBT器件。高側(cè)(浮動)部分能夠工作與電壓軌道高達600伏。這兩個器件輸出可以分別獨立地接收和源650 mA和400 mA,并可以同時驅(qū)動高電平,以驅(qū)動非對稱半橋配置。L6386AD器件提供兩個輸入引腳、兩個輸出引腳和一個使能引腳(SD),并保證輸出與輸入的相位切換。邏輯輸入是CMOS/TTL兼容,以方便與控制設備的接口。

L6386AD集成了一個比較器(內(nèi)部反向輸入引用到0.5 V),可以用來保護設備防止故障事件,如過流。DIAG輸出是一個診斷引腳,由比較器驅(qū)動,用來向控制設備發(fā)出故障事件的信號。

引導二極管集成在驅(qū)動器中,從而實現(xiàn)更緊湊和可靠的解決方案。

L6386AD器件在供電電壓(VCC和VBOOT)上都具有UVLO保護,確保對供電線路上的電壓下降提供更大的保護。

該設備可采用SO-14包裝,管,磁帶和卷軸包裝。

特性

高壓鋼軌可達600伏

在全溫度范圍內(nèi),dV/dt免疫力±50 V/nsec

驅(qū)動電流的能力

400毫安源

650毫安水槽

切換時間50/30 nsec上升/下降與1 nF負載

CMOS/TTL施密特觸發(fā)器輸入滯后和下拉

上、下驅(qū)動段欠壓鎖定

綜合自舉二極管

輸出與輸入同步

4.L6391是采用BCD?“OFF-LINE”技術制造的高壓器件

L6391是采用BCD?“OFF-LINE”技術制造的高壓器件。它是一種用于n通道功率MOSFET或IGBT的單片半橋門驅(qū)動器。高側(cè)(浮動)部分的設計,以站立電壓軌高達600伏。邏輯輸入是CMOS/TTL兼容到3.3 V,便于微控制器/DSP接口。

集成比較器可用于保護過流,過溫等。


特性

高壓鋼軌可達600伏

在全溫度范圍內(nèi),dV/dt免疫力±50 V/nsec

司機目前能力:

290毫安源

430毫安水槽

1 nF負載下,切換時間75/35 nsec上升/下降

3.3 V, 5v TTL/CMOS滯后輸入

綜合自舉二極管

故障保護比較器

智能關機功能

可調(diào)停歇時間

聯(lián)鎖功能

布局緊湊簡化

材料減量清單

有效的故障保護

靈活、簡單、快捷的設計


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