MOSFET

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金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。

英飛凌推出采用PQFN 2x2封裝的OptiMOSTM 5 25 V 和 30 V功率MOSFET，樹立技術(shù)新標(biāo)準(zhǔn)

【2022年3月14日，德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封裝的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET產(chǎn)品系列，旨在為分立功率MOSFET技術(shù)樹立全新的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。這些新器件采用薄晶圓技術(shù)和創(chuàng)新的封裝，尺寸極小，卻具有顯著的性能優(yōu)勢(shì)。OptiMOS 5 25 V和30 V功率MOSFET產(chǎn)品系列已針對(duì)服務(wù)器、通訊、便攜式充電器和無(wú)線充電等SMPS應(yīng)用中的同步整流進(jìn)行了優(yōu)化。這些功率MOSFET還可在無(wú)人機(jī)中，應(yīng)用于小型無(wú)刷電機(jī)的ESC(電子速度控制)模塊。眾所周知，無(wú)人機(jī)通常需要尺寸小、重量輕的元器件。

英飛凌
2022-03-15

英飛凌 MOSFET 無(wú)人機(jī)
國(guó)內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)12寸晶圓中低壓MOSFET，月產(chǎn)能可達(dá)100KK~150KK

新能源汽車和5G需要搭載大量電源管理IC，其中新能源汽車需要負(fù)荷瞬間大電流，因此需要更多的中高壓MOSFET。在疫情影響導(dǎo)致產(chǎn)能降低的情況下，IDM大廠為搶占新興市場(chǎng)，將部分中低壓MOSFET產(chǎn)能轉(zhuǎn)移至中高壓MOSFET，使中低壓MOSFET出現(xiàn)供給短缺。中低壓MOSFET供應(yīng)商的交期平均為十幾周，有的甚至超過(guò)30周。銳駿憑借自建封裝廠和合作國(guó)內(nèi)封裝大廠，月產(chǎn)能100KK~150KK，中低壓MOSFET交期只需要2~4周。

世強(qiáng)元件電商
2022-03-04

世強(qiáng) 新能源汽車 MOSFET
英飛凌推出新一代MOTIX?半橋驅(qū)動(dòng)IC

繼發(fā)布BTN89xx獲得成功之后，英飛凌科技股份公司（FSE:IFX/OTCQX:IFNNY）再次推出了全新的MOTIX? BTN99xx（NovalithIC?+）系列智能半橋驅(qū)動(dòng)集成芯片。

英飛凌
2022-03-02

芯片英飛凌 MOSFET
從硅過(guò)渡到碳化硅，MOSFET的結(jié)構(gòu)及性能優(yōu)劣勢(shì)對(duì)比

近年來(lái)，因?yàn)樾履茉雌?、光伏及?chǔ)能、各種電源應(yīng)用等下游市場(chǎng)的驅(qū)動(dòng)，碳化硅功率器件取得了長(zhǎng)足發(fā)展。更快的開關(guān)速度，更好的溫度特性使得系統(tǒng)損耗大幅降低，效率提升，體積減小，從而實(shí)現(xiàn)變換器的高效高功率密度化。但是，像碳化硅這樣的寬帶隙（WBG）器件也給應(yīng)用研發(fā)帶來(lái)了設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，因而業(yè)界對(duì)于碳化硅 MOSFET平面柵和溝槽柵的選擇和權(quán)衡以及其浪涌電流、短路能力、柵極可靠性等仍心存疑慮。

派恩杰半導(dǎo)體
2022-02-23

新能源汽車派恩杰半導(dǎo)體 MOSFET
英飛凌推出全新的OptiMOS?源極底置功率MOSFET

高功率密度、出色的性能和易用性是當(dāng)前電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)的關(guān)鍵要求。

英飛凌
2022-02-15

電源英飛凌 MOSFET
如何最大限度地減少電池供電電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的 MOSFET 傳導(dǎo)損耗

許多應(yīng)用使用低壓電池（2-10 節(jié)鋰離子）供電的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，如電動(dòng)工具、園林工具和真空吸塵器。這些工具使用有刷或無(wú)刷直流電機(jī)(BLDC)。BLDC 電機(jī)效率更高，維護(hù)更少，噪音更低，使用壽命更長(zhǎng)。

功率器件
2022-02-15

傳導(dǎo)損耗 MOSFET
使用 30V 柵極驅(qū)動(dòng)器管理電源噪聲

世界是一個(gè)嘈雜的地方——電源也不例外。為了追求更高的效率，電源轉(zhuǎn)換器以越來(lái)越快的速度切換會(huì)產(chǎn)生意想不到的問(wèn)題，包括增加系統(tǒng)對(duì)瞬態(tài)和噪聲的敏感性。在選擇如何設(shè)計(jì)電源以及使用哪些組件來(lái)設(shè)計(jì)電源時(shí)，考慮到這種敏感性很重要。

電源電路
2022-02-14

電源噪聲 MOSFET
沒(méi)有輸入電壓檢測(cè)是否可以實(shí)現(xiàn)功率因數(shù)校正 (PFC) ？

功率因數(shù)校正 (PFC) 強(qiáng)制輸入電流跟隨輸入電壓 (V IN )，因此任何電氣負(fù)載看起來(lái)都像一個(gè)電阻器。此操作需要感測(cè)輸入電壓并基于該感測(cè)調(diào)制電流參考。電流環(huán)路將強(qiáng)制輸入電流跟隨參考。

電源電路
2022-02-12

功率因數(shù)校正 (PFC) MOSFET
固態(tài)繼電器設(shè)計(jì)的現(xiàn)代方法

固態(tài)繼電器 (SSR) 是一種基于半導(dǎo)體的設(shè)備，用于對(duì)負(fù)載進(jìn)行開/關(guān)控制。SSR中通常使用的半導(dǎo)體包括兩種類型的功率晶體管和兩種類型的晶閘管。功率晶體管包括雙極結(jié)型晶體管（BJT）和金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）。晶閘管包括可控硅整流器 (SCR) 和三極交流開關(guān) (TRIAC)。

電源電路
2022-02-12

固態(tài)繼電器 (SSR) MOSFET
MOSFET結(jié)構(gòu)及工作原理詳解

詳細(xì)介紹MOSFET結(jié)構(gòu)及其工作原理！

半導(dǎo)體基礎(chǔ)
2022-02-10

電子功率器件 MOSFET
使用 PowerStack 封裝堆疊電流以獲得更高功率的 POL

電壓調(diào)節(jié)器，尤其是帶有集成 MOSFET 的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器，已經(jīng)從簡(jiǎn)單的、由輸入電壓、輸出電壓和電流定義的低功率電源發(fā)展到現(xiàn)在能夠提供更高的功率、監(jiān)控它們運(yùn)行的環(huán)境和適應(yīng)因此。

功率器件
2022-01-12

PowerStack 封裝 MOSFET
高級(jí)控制器和 NexFET? 電源塊在高功率 POL 應(yīng)用中的靈活性

高性能電源設(shè)計(jì)繼續(xù)要求在日漸縮小的板上空間中提供更高的功率。更高的電源密度對(duì)電源設(shè)計(jì)師提出了新的挑戰(zhàn)。設(shè)計(jì)必須具有高于 90% 的轉(zhuǎn)換效率，以限制功耗和電源中的溫升。由于 DC/DC 電源轉(zhuǎn)換的損耗和有限的氣流，使得散熱空間非常狹小，因此熱性能的設(shè)計(jì)尤其重要。

功率器件
2022-01-12

高性能電源 MOSFET
如何使用TI提供的選擇工具選擇合適的 MOSFET器件

如何為開關(guān)模式電源 (SMPS) 應(yīng)用選擇最合適的場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) ，是非常困難的。根據(jù)數(shù)據(jù)表規(guī)格預(yù)測(cè)電路性能是一個(gè)乏味的過(guò)程?，F(xiàn)在，借助在線設(shè)計(jì)工具團(tuán)隊(duì)，TI 提供了一個(gè)基于網(wǎng)絡(luò)的選擇工具，可幫助我們權(quán)衡各種 MOSFET 的成本和性能權(quán)衡。該工具使用上述應(yīng)用筆記中的公式，因此僅專門涵蓋同步降壓轉(zhuǎn)換器拓?fù)?。然而，由于這種拓?fù)浣^對(duì)是用于實(shí)現(xiàn)分立 FET 的最流行的非隔離 DC/DC 拓?fù)?，因此它仍然支持大量的電源終端應(yīng)用。

功率器件
2021-12-14

器件 SD MOSFET
Microchip將為Mersen SiC電源協(xié)議棧參考設(shè)計(jì)提供碳化硅MOSFET和數(shù)字柵極驅(qū)動(dòng)器

電動(dòng)汽車、商業(yè)運(yùn)輸、可再生能源和存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員可從碳化硅協(xié)議棧解決方案中獲益，提高性能和成本效率，可使產(chǎn)品最多提前6個(gè)月上市

Microchip
2021-12-09

Microchip 電源碳化硅 MOSFET
安森美發(fā)布高性能、低損耗的SUPERFET V MOSFET系列，應(yīng)用于服務(wù)器和電信

新器件提供卓越的開關(guān)特性，使電源能符合80 PLUS Titanium能效標(biāo)準(zhǔn)

安森美(onsemi)
2021-12-08

電信安森美 SUPER MOSFET
新品發(fā)布?|?高性能、低損耗的SUPERFET?V?MOSFET系列，應(yīng)用于服務(wù)器和電信

點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)，發(fā)布新的600VSUPERFET??VMOSFET系列。這些高性能器件使電源能滿足嚴(yán)苛的能效規(guī)定，如80PLUSTitanium，尤其是在極具挑戰(zhàn)性的10%負(fù)載條件下。600VSU...

安森美
2021-12-08

電信 RF SUPER MOSFET
派恩杰SiC MOSFET批量“上車”，擬建車用SiC模塊封裝產(chǎn)線

自2018年特斯拉Model3率先搭載基于全SiC MOSFET模塊的逆變器后，全球車企紛紛加速SiC MOSFET在汽車上的應(yīng)用落地。但目前全球碳化硅市場(chǎng)基本被國(guó)外壟斷，據(jù)Yole數(shù)據(jù)，Cree，英飛凌，羅姆，意法半導(dǎo)體占據(jù)了90%的市場(chǎng)份額。國(guó)產(chǎn)廠商已有不少推出了碳化硅二極管，但具有SiC MOSFET研發(fā)和量產(chǎn)能力的企業(yè)鳳毛麟角。

派恩杰半導(dǎo)體
2021-12-07

封裝 SIC IC模塊 MOSFET
7種MOSFET柵極電路的常見作用，不看不知道！

概述：MOSFET是一種常見的電壓型控制器件，具有開關(guān)速度快、高頻性能、輸入阻抗高、噪聲小、驅(qū)動(dòng)功率小、動(dòng)態(tài)范圍大、安全工作區(qū)域（SOA）寬等一系列的優(yōu)點(diǎn)，因此被廣泛的應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)控制、電動(dòng)工具等各行各業(yè)。柵極做為MOSFET本身較薄弱的環(huán)節(jié)，如果電路設(shè)計(jì)不當(dāng)，容易造成器...

21ic電子網(wǎng)
2021-12-07

電路電流柵極 MOSFET
意法半導(dǎo)體新MDmesh? K6 800V STPOWER MOSFET提高能效，最大限度降低開關(guān)功率損耗

點(diǎn)擊“意法半導(dǎo)體PDSA"，關(guān)注我們！2021年10月26日,中國(guó)——STPOWERMDmeshK6新系列超級(jí)結(jié)晶體管改進(jìn)多個(gè)關(guān)鍵參數(shù)，最大限度減少系統(tǒng)功率損耗，特別適合基于反激式拓?fù)涞恼彰鲬?yīng)用，例如，LED驅(qū)動(dòng)器、HID燈，還是適用于電源適配器和平板顯示器的電源。意法半導(dǎo)體80...

意法半導(dǎo)體
2021-12-07

意法半導(dǎo)體 MESH POWER MOSFET
SiC?MOSFET結(jié)構(gòu)及特性

SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu)，主要有二種：平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiCMOSFET的結(jié)構(gòu)，如圖1所示。這種結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是工藝簡(jiǎn)單，單元的一致性較好，雪崩能量比較高。但是，這種結(jié)構(gòu)的中間，N區(qū)夾在兩個(gè)P區(qū)域之間，當(dāng)電流被限制在靠近P體區(qū)域的狹窄的N區(qū)中流過(guò)時(shí)，將產(chǎn)生JF...

松哥電源
2021-11-29

MOSFET

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MOSFET

英飛凌推出采用PQFN 2x2封裝的OptiMOSTM 5 25 V 和 30 V功率MOSFET，樹立技術(shù)新標(biāo)準(zhǔn)

國(guó)內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)12寸晶圓中低壓MOSFET，月產(chǎn)能可達(dá)100KK~150KK

英飛凌推出新一代MOTIX?半橋驅(qū)動(dòng)IC

從硅過(guò)渡到碳化硅，MOSFET的結(jié)構(gòu)及性能優(yōu)劣勢(shì)對(duì)比

英飛凌推出全新的OptiMOS?源極底置功率MOSFET

如何最大限度地減少電池供電電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的 MOSFET 傳導(dǎo)損耗

使用 30V 柵極驅(qū)動(dòng)器管理電源噪聲

沒(méi)有輸入電壓檢測(cè)是否可以實(shí)現(xiàn)功率因數(shù)校正 (PFC) ？

固態(tài)繼電器設(shè)計(jì)的現(xiàn)代方法

MOSFET結(jié)構(gòu)及工作原理詳解

使用 PowerStack 封裝堆疊電流以獲得更高功率的 POL

高級(jí)控制器和 NexFET? 電源塊在高功率 POL 應(yīng)用中的靈活性

如何使用TI提供的選擇工具選擇合適的 MOSFET器件

Microchip將為Mersen SiC電源協(xié)議棧參考設(shè)計(jì)提供碳化硅MOSFET和數(shù)字柵極驅(qū)動(dòng)器

安森美發(fā)布高性能、低損耗的SUPERFET V MOSFET系列，應(yīng)用于服務(wù)器和電信

新品發(fā)布?|?高性能、低損耗的SUPERFET?V?MOSFET系列，應(yīng)用于服務(wù)器和電信

派恩杰SiC MOSFET批量“上車”，擬建車用SiC模塊封裝產(chǎn)線

7種MOSFET柵極電路的常見作用，不看不知道！

意法半導(dǎo)體新MDmesh? K6 800V STPOWER MOSFET提高能效，最大限度降低開關(guān)功率損耗

SiC?MOSFET結(jié)構(gòu)及特性

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