故事開始年輕的應(yīng)用工程師Neubean想通過實驗證明,為了獲得穩(wěn)定性,是不是真的必須把一個100Ω的電阻放在MOSFET柵極前。擁有30年經(jīng)驗的應(yīng)用工程師Gureux對他的實驗進行了監(jiān)督,并全程提供專家指導(dǎo)。高端電流檢測簡介圖1中的電路所示為一個典型的高端電流檢測示例。圖1高端電...
功率因素校正為將電源的輸入電流塑形為正弦波并與電源電壓同步,最大化地從電源汲取實際功率。 在完美的 PFC 電路中,輸入電壓與電流之間為純電阻關(guān)系,無任何輸入電流諧波。 目前,升壓拓撲是 PFC 最常見的拓撲。在效率和功率密度的表現(xiàn)上,必須要走向無橋型,才能進一步減少器件使用,減少功率器件數(shù)量與導(dǎo)通路徑上的損耗。 在其中,圖騰柱功率因素校正電路(totem-pole PFC)已證明為成功的拓撲結(jié)構(gòu),其控制法亦趨于成熟。
DC/DC開關(guān)控制器的MOSFET選擇是一個復(fù)雜的過程。僅僅考慮MOSFET的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的MOSFET。要想讓MOSFET維持在規(guī)定范圍以內(nèi),必須在低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻之間取得平衡。在多負載電源系統(tǒng)中,這種情況會變得更加復(fù)雜。圖1—降壓同步開關(guān)穩(wěn)壓器原理圖...
根據(jù)TrendForce研究顯示,MOSFET、IGBT與Bipolar屬于功率半導(dǎo)體元件(電晶體領(lǐng)域),用來做為半導(dǎo)體開關(guān),其中MOSFET長年占比超過五成,2020年占52.9%,2021年由于市場需求旺盛,占比有望小幅提升至54.2%。
自特斯拉第一次采用ST 650V SiC MOSFET后,目前市場上CREE、UnitedSiC、羅姆、Infineon都有650V?SiC MOSFET產(chǎn)品。國內(nèi)廠商派恩杰半導(dǎo)體也推出了650V 60mΩSiC MOSFET。相較于國外廠商,國內(nèi)廠商的SiC MOSFET產(chǎn)品性能到底如何?派恩杰半導(dǎo)體采用自主設(shè)計的Buck-Boost效率測試平臺針對650V 60mΩSiC MOSFET高溫性能進行了對比測試。本文分享測試結(jié)果。
P3M173K0K3是派恩杰半導(dǎo)體有限公司針對高壓輔助電源應(yīng)用而開發(fā),具有較高的耐壓,極低的柵極電荷,較小的導(dǎo)通電阻Rds(on), 使其廣泛適用于工業(yè)電機驅(qū)動,光伏,直流充電樁,儲能變換器器以及UPS等三相功率變換系統(tǒng)中輔助電源設(shè)計,可以提高輔助電源系統(tǒng)效率、簡化驅(qū)動電路設(shè)計,降低散熱成本,大幅度減少輔助開關(guān)電源成本。
在過去的 10-30 年里,氣候變化一直是一個備受爭議的話題,引發(fā)了關(guān)于哪些類型的法規(guī)是必要的政治討論。從短期來看,開發(fā)更環(huán)保的基礎(chǔ)設(shè)施,擺脫化石燃料等相對廉價的能源,成本要高得多。
穩(wěn)壓器采用5 mm x 7 mm封裝,輸出電流達40 A,提高了功率密度和瞬變響應(yīng)能力
MOSFET和IGBT的對比
新技術(shù)使電動公共汽車等電動交通動力系統(tǒng)能夠滿足并超出嚴格的環(huán)境條件要求,同時 最大限度地提高效率
在開始新設(shè)計時,工程師常常被功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (?MOSFET?) 和功率塊的封裝選項數(shù)量所淹沒。
【2021年9月17日,德國慕尼黑和瑞典斯德哥爾摩訊】近日,F(xiàn)lex Power Modules推出BMR310——一款非隔離式開關(guān)電容中間總線轉(zhuǎn)換器(IBC),可為數(shù)據(jù)中心提供高功率密度供電,從而提高電路板空間利用率,為其他組件釋放空間。
點擊藍字?關(guān)注我們請私信我們添加白名單如果您喜歡本篇文章,歡迎轉(zhuǎn)載!國際能源署的數(shù)據(jù)顯示,到2030年,太陽能光伏?(PV)裝置的裝機容量有望達到3,300TWh,與2019年的水平相比,年增率為15%[1],這意味著能源供應(yīng)的比例在不斷上升。光伏裝置的安裝是將微型、迷你和電力公...
業(yè)界認可該套件的創(chuàng)新加快更高能效的電機控制方案的開發(fā)
作為一家開發(fā)SiC技術(shù)的領(lǐng)先廠商,英飛凌認識到需要更新基于硅器件模型而制定的現(xiàn)有可靠性測試標準,以保證碳化硅器件達到足夠高可靠性水平。英飛凌的方法側(cè)重于碳化硅可靠性的三個特定領(lǐng)域。
新增的9款器件可實現(xiàn)更高水平的設(shè)計靈活性
MOS管數(shù)據(jù)手冊上的相關(guān)參數(shù)有很多,以MOS管VBZM7N60為例,下面一起來看一看,MOS管的數(shù)據(jù)手冊一般會包含哪些參數(shù)吧。極限參數(shù)也叫絕對最大額定參數(shù),MOS管在使用過程當(dāng)中,任何情況下都不能超過下圖的這些極限參數(shù),否則MOS管有可能損壞。VDS表示漏極與源極之間所能施加的最...
我們在一些開關(guān)電源中會使用MOSFET去做控制。
本文將重點討論與電壓相關(guān)的漏電流——漏源漏電流 (I DSS ) 和柵源漏電流(I GSS )。
2021年9月7日 – 專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 與推動節(jié)能創(chuàng)新的半導(dǎo)體解決方案知名供應(yīng)商安森美(onsemi)合作,創(chuàng)建了一個全新內(nèi)容平臺,用于介紹無刷直流 (BLDC) 電機控制資源、產(chǎn)品和技術(shù)見解。