非常適合工業(yè)、能源、電信和LED照明市場(chǎng)的電源應(yīng)用
深圳2023年9月21日 /美通社/ -- 近日,國(guó)際公認(rèn)的測(cè)試、檢驗(yàn)和認(rèn)證機(jī)構(gòu)SGS為深圳市美浦森半導(dǎo)體有限公司(以下簡(jiǎn)稱:美浦森半導(dǎo)體)SLH60R041GTDA型號(hào)MOSFET產(chǎn)品頒發(fā)AEC-Q101認(rèn)證證書。美浦森半導(dǎo)體應(yīng)用總監(jiān)龐方杰、品質(zhì)工程經(jīng)理胡烺、SGS中國(guó)半導(dǎo)體及...
這款理想二極管控制器驅(qū)動(dòng)一個(gè)外部 MOSFET開關(guān)管,替代過去在輸入反向保護(hù)和輸出電壓保持電路中常用的肖特基二極管。MOSFET上的電壓降比肖特基二極管的正向電壓降低,因此,正常工作期間的耗散功率也低于二極管。當(dāng)電源失效、掉電或輸入短路等故障導(dǎo)致反向電壓事件時(shí),關(guān)斷 MOSFET功率管可以阻止相關(guān)的反向電流瞬變事件。
非常適用于通信基站和工業(yè)設(shè)備等的風(fēng)扇電機(jī),有助于設(shè)備進(jìn)一步降低功耗和節(jié)省空間
【2023年7月27日,德國(guó)慕尼黑訊】在靜態(tài)開關(guān)應(yīng)用中,電源設(shè)計(jì)側(cè)重于最大程度地降低導(dǎo)通損耗、優(yōu)化熱性能、實(shí)現(xiàn)緊湊輕便的系統(tǒng)設(shè)計(jì),同時(shí)以低成本實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量。為滿足新一代解決方案的需求,英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)正在擴(kuò)大其CoolMOS? S7 系列高壓超結(jié)(SJ)MOSFET 的產(chǎn)品陣容。該系列器件主要適用于開關(guān)電源(SMPS)、太陽(yáng)能系統(tǒng)、電池保護(hù)、固態(tài)繼電器(SSR)、電機(jī)啟動(dòng)器和固態(tài)斷路器以及可編程邏輯控制器(PLC)、照明控制、高壓電子保險(xiǎn)絲/電子斷路器和(混動(dòng))電動(dòng)汽車車載充電器等應(yīng)用。
全球領(lǐng)先的電子元器件分銷商儒卓力(Rutronik Elektronische Bauelemente GmbH)再次與威世科技攜手參加于2023年7月11-13日在上海虹橋國(guó)家會(huì)展中心舉辦的慕尼黑上海電子展(electronica China),展出多款最新汽車解決方案。
【2023 年 7 月 3 日,德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌推出采用TO263-7封裝的新一代車規(guī)級(jí)1200 V CoolSiC? MOSFET。這款新一代車規(guī)級(jí)碳化硅(SiC)MOSFET具有高功率密度和效率,能夠?qū)崿F(xiàn)雙向充電功能,并顯著降低了車載充電(OBC)和DC-DC應(yīng)用的系統(tǒng)成本。
2023 年 5 月 24 日,中國(guó)—— 意法半導(dǎo)體的STL120N10F8 N溝道100V功率MOSFET擁有極低的柵極-漏極電荷(QGD)和導(dǎo)通電阻RDS(on),優(yōu)值系數(shù) (FoM) 比上一代同類產(chǎn)品提高40%。
近年來,為了更好地實(shí)現(xiàn)自然資源可持續(xù)利用,需要更多節(jié)能產(chǎn)品,因此,關(guān)于焊機(jī)能效的強(qiáng)制性規(guī)定應(yīng)運(yùn)而生。經(jīng)改進(jìn)的碳化硅CoolSiC? MOSFET 1200 V采用基于.XT擴(kuò)散焊技術(shù)的TO-247封裝,其非常規(guī)封裝和熱設(shè)計(jì)方法通過改良設(shè)計(jì)提高了能效和功率密度。
新推出40V~150V耐壓的共13款產(chǎn)品,非常適用于工業(yè)設(shè)備電源和各種電機(jī)驅(qū)動(dòng)
電子電路中的電流通常必須受到限制。例如,在USB端口中,必須防止電流過大,以便為電路提供可靠的保護(hù)。同樣,在充電寶中,必須防止電池放電。放電電流過高會(huì)導(dǎo)致電池的壓降太大和下游設(shè)備的供電電壓不足。
【2023年4月13日,德國(guó)慕尼黑訊】追求高效率的高功率應(yīng)用持續(xù)向更高功率密度及成本最佳化發(fā)展,也為電動(dòng)汽車等產(chǎn)業(yè)創(chuàng)造了永續(xù)價(jià)值。為了應(yīng)對(duì)相應(yīng)的挑戰(zhàn),英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼: IFNNY)宣布其高壓MOSFET 適用的 QDPAK 和 DDPAK 頂部冷卻 (TSC) 封裝已成功注冊(cè)為 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)。這項(xiàng)舉措不僅進(jìn)一步鞏固了英飛凌將此標(biāo)準(zhǔn)封裝設(shè)計(jì)和外型的TSC 封裝推廣至廣泛新型設(shè)計(jì)的目標(biāo),也給OEM 廠商提供了更多的彈性與優(yōu)勢(shì),幫助他們?cè)谑袌?chǎng)中創(chuàng)造差異化的產(chǎn)品,并將功率密度提升至更高水準(zhǔn),以支持各種應(yīng)用。
【2023 年 4 月 13 日美國(guó)德州普拉諾訊】Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq:DIOD) 推出碳化硅 (SiC) 系列最新產(chǎn)品:DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。這款裝置可以滿足工業(yè)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、太陽(yáng)能逆變器、數(shù)據(jù)中心及電信電源供應(yīng)、直流對(duì)直流 (DC-DC) 轉(zhuǎn)換器和電動(dòng)車 (EV) 電池充電器等應(yīng)用,對(duì)更高效率與更高功率密度的需求。
RDS(on)額外降低40%,功率密度提高58倍,適合電信和熱插拔計(jì)算應(yīng)用
EPAD MOSFET 在以適當(dāng)?shù)臇艠O電壓開啟時(shí)充當(dāng)開關(guān),其中在漏極和源極端子之間形成導(dǎo)電通道。源極端子作為輸入,漏極端子作為輸出。開關(guān)的導(dǎo)通電阻取決于由柵極電壓控制的溝道導(dǎo)通電流。在這種情況下,如果使用增強(qiáng)型器件,則可以通過柵極端子上的正偏置電壓打開開關(guān),信號(hào)從源極傳播到漏極端子。信號(hào)本質(zhì)上可以是數(shù)字的或模擬的,只要用戶考慮相對(duì)于開關(guān)通道導(dǎo)通電阻的輸入和輸出阻抗水平。
許多電路需要將其輸入和輸入阻抗與輸出阻抗隔離,以便輸出負(fù)載不會(huì)干擾輸入信號(hào)。這有時(shí)可以通過使用晶體管緩沖器或運(yùn)算放大器緩沖器來實(shí)現(xiàn),每種緩沖器都存在許多設(shè)計(jì)權(quán)衡。例如,使用 ALD110800 零閾值 MOSFET,可以提供這種隔離,同時(shí)提供偏置到與輸入電平范圍相同的電壓電平的電路輸出。這是零閾值 MOSFET 的基本能力。輸入和輸出電平也可以偏置在固定電壓附近,例如 0.0V。
在 5V、3.3V 或更低電壓下運(yùn)行的低壓系統(tǒng)通常需要具有 1V 或更低閾值或開啟電壓的有源 MOSFET 器件。對(duì)于模擬設(shè)計(jì),該閾值電壓直接影響工作信號(hào)電壓范圍。
EPAD MOSFET 專為實(shí)現(xiàn)器件電氣特性的出色匹配而設(shè)計(jì)。這些器件專為實(shí)現(xiàn)最小失調(diào)電壓和差分熱響應(yīng)而構(gòu)建。由于集成在同一塊單片芯片上,它們還具有出色的溫度系數(shù)跟蹤特性。
在電路設(shè)計(jì)中追求更低的工作電壓和更低的功耗水平是一種趨勢(shì),這給電氣工程師帶來了艱巨的挑戰(zhàn),因?yàn)樗麄冇龅搅嘶景雽?dǎo)體器件特性對(duì)他們施加的限制。長(zhǎng)期以來,工程師們一直將這些特性視為基本特性,并且可能阻礙了他們將可用電壓范圍最大化,否則會(huì)使新電路獲得成功。
一種新的精密 MOSFET 陣列——旨在平衡和調(diào)節(jié)額定電壓更高的超級(jí)電容器——適用于廣泛的應(yīng)用,如執(zhí)行器、遠(yuǎn)程信息處理、太陽(yáng)能電池板、應(yīng)急照明、安全設(shè)備、條形碼掃描儀、高級(jí)計(jì)量箱和備用電池系統(tǒng)。