MOSFET

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金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。

  • 新型OptiMOS 7 MOSFET改進(jìn)汽車應(yīng)用中的導(dǎo)通電阻、設(shè)計(jì)穩(wěn)健性和開關(guān)效率

    【2024年6月18日，德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)正在擴(kuò)大其用于汽車應(yīng)用的下一代OptiMOS? 7 MOSFET產(chǎn)品組合，在40 V 產(chǎn)品組合中新增了采用穩(wěn)健且無(wú)鉛封裝的器件，并且推出了80 V和100 V型號(hào)的OptiMOS? 7 MOSFET。這些MOSFET針對(duì)各項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)和未來(lái)的48 V汽車應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，包括電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向、制動(dòng)系統(tǒng)、新區(qū)域架構(gòu)中的功率開關(guān)、電池管理、電子保險(xiǎn)絲盒，以及各種12 V和48 V電氣系統(tǒng)應(yīng)用中的直流/直流和BLDC驅(qū)動(dòng)器等。這些產(chǎn)品還適用于輕型電動(dòng)汽車(LEV)、電動(dòng)二輪車、電動(dòng)踏板車、電動(dòng)摩托車，以及商用車和農(nóng)用車(CAV)等其他交通應(yīng)用。

  • 一文了解SiC MOS的應(yīng)用

    作為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料，碳化硅MOSFET具有更高的開關(guān)頻率和使用溫度，能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸，提高系統(tǒng)電力轉(zhuǎn)換效率，并且降低對(duì)熱循環(huán)的散熱要求。在電力電子系統(tǒng)中，應(yīng)用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件，可以實(shí)現(xiàn)更低的開關(guān)和導(dǎo)通損耗，同時(shí)具有更高的阻斷電壓和雪崩能力，顯著提升系統(tǒng)效率及功率密度，從而降低系統(tǒng)綜合成本。

  • MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)不過如此，不信看設(shè)計(jì)實(shí)例

    本文中，小編將對(duì)MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)予以介紹，如果你想對(duì)它的詳細(xì)情況有所認(rèn)識(shí)，或者想要增進(jìn)對(duì)它的了解程度，不妨請(qǐng)看以下內(nèi)容哦。

  • MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)，分立器件組成的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路分享！

    今天，小編將在這篇文章中為大家?guī)?lái)MOSFET驅(qū)動(dòng)電路的有關(guān)報(bào)道，通過閱讀這篇文章，大家可以對(duì)MOSFET驅(qū)動(dòng)電路具備清晰的認(rèn)識(shí)，主要內(nèi)容如下。

  • ROHM開發(fā)出新型二合一 SiC封裝模塊“TRCDRIVE pack?”

    小型封裝內(nèi)置第4代SiC MOSFET，實(shí)現(xiàn)業(yè)界超高功率密度，助力xEV逆變器實(shí)現(xiàn)小型化!

  • Nexperia出色的SiC MOSFET分立器件采用越來(lái)越受歡迎的D2PAK-7封裝

    1200 V器件采用SMD-7封裝，性能領(lǐng)先同類產(chǎn)品

  • 用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器

    新型驅(qū)動(dòng)器可提供量身定制的導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)序，將開關(guān)損耗降至最低，并增強(qiáng)dV/dt抗擾性能

  • 全橋驅(qū)動(dòng)芯片有哪些

    DrMOS，全稱Driver-MOSFET，是一種由Intel在2004年推出的高效節(jié)能技術(shù)。它通過將MOSFET和MOS驅(qū)動(dòng)器集成到同一封裝中，實(shí)現(xiàn)了尺寸和功效的優(yōu)化。

  • 英飛凌為汽車應(yīng)用推出業(yè)內(nèi)導(dǎo)通電阻最低的80 V MOSFET OptiMOS? 7

    【2024年4月15日，德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出其最新先進(jìn)功率MOSFET 技術(shù)—— OptiMOS? 7 80 V的首款產(chǎn)品IAUCN08S7N013。該產(chǎn)品的特點(diǎn)包括功率密度顯著提高，和采用通用且穩(wěn)健的高電流SSO8 5 x 6 mm2 SMD封裝。這款OptiMOS? 7 80 V產(chǎn)品非常適合即將推出的 48 V板網(wǎng)應(yīng)用。它專為滿足高要求汽車應(yīng)用所需的高性能、高質(zhì)量和穩(wěn)健性而打造，包括電動(dòng)汽車的汽車直流-直流轉(zhuǎn)換器、48 V電機(jī)控制（例如電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)（EPS））、48 V電池開關(guān)以及電動(dòng)兩輪車和三輪車等。

  • 英飛凌推出用于功率MOSFET的新型SSO10T TSC頂部冷卻封裝，為現(xiàn)代汽車應(yīng)用提供更高效率

    【2024年4月12日，德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼： IFNNY）推出采用 OptiMOS? MOSFET技術(shù)的SSO10T TSC 封裝。該封裝采用頂部直接冷卻技術(shù)，具有出色的熱性能，可避免熱量傳入或經(jīng)過汽車電子控制單元的印刷電路板（PCB）。該封裝能夠?qū)崿F(xiàn)簡(jiǎn)單、緊湊的雙面PCB設(shè)計(jì)，并更大程度地降低未來(lái)汽車電源設(shè)計(jì)的冷卻要求和系統(tǒng)成本。因此，SSO10T TSC適用于電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向（EPS）、電子機(jī)械制動(dòng)（EMB）、配電、無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器（BLDC）、安全開關(guān)、反向電池和DCDC轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用。

  • 門驅(qū)動(dòng)器是什么

    門驅(qū)動(dòng)器，作為電力電子技術(shù)中的關(guān)鍵組件，是連接控制系統(tǒng)與功率半導(dǎo)體器件之間的重要橋梁。它的主要功能是將微控制器或控制電路發(fā)出的低電平控制信號(hào)轉(zhuǎn)化為能夠驅(qū)動(dòng)大功率半導(dǎo)體器件(如絕緣柵雙極型晶體管IGBT、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFET、碳化硅MOSFET等)所需的大電流或高壓信號(hào)，確保這些功率器件按照預(yù)定的開關(guān)時(shí)序準(zhǔn)確無(wú)誤地工作。

  • 2n7002導(dǎo)通電壓是多少

    在電子科技日新月異的今天，各類電子元器件的性能和參數(shù)成為了研究和應(yīng)用的關(guān)鍵。其中，2N7002作為一種廣泛應(yīng)用的N溝道MOSFET，其導(dǎo)通電壓是眾多工程師和技術(shù)人員關(guān)注的焦點(diǎn)。那么，2N7002的導(dǎo)通電壓究竟是多少?它又是如何影響電路性能的呢?本文將深入探索2N7002導(dǎo)通電壓的科技奧秘，并解析其在實(shí)際應(yīng)用中的表現(xiàn)。

  • mosfet是什么電子元件

    MOSFET?zhǔn)且环N場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)，全稱為金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)。

  • 意法半導(dǎo)體車規(guī)MDmesh DM9超結(jié)MOSFET提升硅片能效

    2024 年 3 月 28 日，中國(guó)– STPOWER MDmesh DM9 AG系列的車規(guī)600V/650V超結(jié) MOSFET為車載充電機(jī)(OBC)和采用軟硬件開關(guān)拓?fù)涞腄C/DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用帶來(lái)卓越的能效和魯棒性。

  • 英飛凌推出OptiMOS? 6 200 V MOSFET，以更高的功率密度和效率樹立行業(yè)新標(biāo)準(zhǔn)

    【2024年3月20日，德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出OptiMOS? 6 200 V MOSFET產(chǎn)品系列，使電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用取得了飛躍性的進(jìn)展。這一全新產(chǎn)品組合將為電動(dòng)摩托車、微型電動(dòng)汽車和電動(dòng)叉車等應(yīng)用提供出色的性能。新 MOSFET產(chǎn)品的導(dǎo)通損耗和開關(guān)性能均有所改善，降低了電磁干擾（EMI）和開關(guān)損耗，有益于用于服務(wù)器、電信、儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）、音頻、太陽(yáng)能等用途的各種開關(guān)應(yīng)用。此外，憑借寬安全工作區(qū)（SOA）和業(yè)界領(lǐng)先的RDS(on)，該產(chǎn)品系列非常適合電池管理系統(tǒng)等靜態(tài)開關(guān)應(yīng)用。全新推出的英飛凌OptiMOS? 6 200 V產(chǎn)品系列為客戶提供更高的功率密度、效率和系統(tǒng)可靠性，樹立了新的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。

  • 英飛凌全新CoolSiC? MOSFET 750 V G1產(chǎn)品系列推動(dòng)汽車和工業(yè)解決方案的發(fā)展

    【2024年3月14日，德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出750V G1分立式CoolSiC? MOSFET，以滿足工業(yè)和汽車功率應(yīng)用對(duì)更高能效和功率密度日益增長(zhǎng)的需求。該產(chǎn)品系列包含工業(yè)級(jí)和車規(guī)級(jí)SiC MOSFET，針對(duì)圖騰柱 PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源橋（DAB）、HERIC、降壓/升壓和移相全橋（PSFB）拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行了優(yōu)化。這些MOSFET適用于典型的工業(yè)應(yīng)用（包括電動(dòng)汽車充電、工業(yè)驅(qū)動(dòng)器、太陽(yáng)能和儲(chǔ)能系統(tǒng)、固態(tài)斷路器、UPS系統(tǒng)、服務(wù)器/數(shù)據(jù)中心、電信等）和汽車領(lǐng)域（包括車載充電器（OBC）、直流-直流轉(zhuǎn)換器等）。

  • 英飛凌推出全新CoolSiC? MOSFET 2000 V，在不影響系統(tǒng)可靠性的情況下提供更高功率密度

    【2024年3月13日，德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiC? MOSFET 2000 V。這款產(chǎn)品不僅能夠滿足設(shè)計(jì)人員對(duì)更高功率密度的需求，而且即使面對(duì)嚴(yán)格的高電壓和開關(guān)頻率要求，也不會(huì)降低系統(tǒng)可靠性。CoolSiC? MOSFET具有更高的直流母線電壓，可在不增加電流的情況下提高功率。作為市面上第一款擊穿電壓達(dá)到2000 V的碳化硅分立器件，CoolSiC? MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，爬電距離為14 mm，電氣間隙為5.4 mm。該半導(dǎo)體器件得益于其較低的開關(guān)損耗，適用于太陽(yáng)能（如組串逆變器）以及儲(chǔ)能系統(tǒng)和電動(dòng)汽車充電應(yīng)用。

  • 開關(guān)電源維修方法步驟

    開關(guān)電源是利用現(xiàn)代電力電子技術(shù)，控制開關(guān)管開通和關(guān)斷的時(shí)間比率，維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源，開關(guān)電源一般由脈沖寬度調(diào)制(PWM)控制IC和MOSFET構(gòu)成。

  • 英飛凌推出新一代碳化硅技術(shù)CoolSiC? MOSFET G2，推動(dòng)低碳化的高性能系統(tǒng)

    【2024年3月12日，德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù)，開啟功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章。與上一代產(chǎn)品相比， 英飛凌全新的CoolSiC? MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技術(shù)在確保質(zhì)量和可靠性的前提下，將MOSFET的主要性能指標(biāo)(如能量和電荷儲(chǔ)量)提高了20%，不僅提升了整體能效，更進(jìn)一步推動(dòng)了低碳化進(jìn)程。

  • Nexperia在APEC 2024上發(fā)布拓寬分立式FET解決方案系列

    專業(yè)研發(fā)提供節(jié)省空間的PoE ASFET和EMC優(yōu)化型NextPowerS3 MOSFET。