MOSFET
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提高功率密度和效率的共漏極雙N溝道60 V MOSFET，你知道嗎？
你知道提高功率密度和效率的共漏極雙N溝道60 V MOSFET嗎?它有什么特點?2019年12月11日—日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出采用小型熱增強型PowerPAK? 1212-8SCD封裝新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET---SiSF20DN。Vishay Siliconix SiSF20DN是業(yè)內(nèi)最低RS-S(ON)的60 V共漏極器件，專門用于提高電池管理系統(tǒng)、直插式和無線充電器、DC/DC轉(zhuǎn)換器以及電源的功率密度和效率。
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采用PowerPAK? 1212?8S封裝的-30 V P溝道MOSFET，你了解嗎？
你知道采用PowerPAK? 1212?8S封裝的-30 V P溝道MOSFET嗎?它有什么作用?日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE股市代號：VSH)推出新型-30 V p溝道TrenchFET?第四代功率MOSFET---SiSS05DN，器件采用熱增強型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封裝，10 V條件下導(dǎo)通電阻達到業(yè)內(nèi)最低的3.5 mW。
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新一代工藝的80V N溝道功率MOSFET，你知道嗎？
你知道新一代工藝的80V N溝道功率MOSFET嗎?它有什么作用?東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布，其“U-MOS X-H系列”產(chǎn)品線新增采用其最新一代工藝制造而成的80V N溝道功率MOSFET--- TPH2R408QM和TPN19008QM。新款MOSFET適用于數(shù)據(jù)中心和通信基站所用的工業(yè)設(shè)備的開關(guān)電源。
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ROHM開發(fā)出業(yè)界先進的第4代低導(dǎo)通電阻SiC MOSFET
~可加快車載主機逆變器等的普及速度~
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尋根究底：PFC電路旁路二極管作用及MOSFET常見失效模式
劉松 劉瞻 盧森茂 艾結(jié)華 ? 中大功率的ACDC電源都會采用有源功率因數(shù)校正PFC電路來提高其功率因數(shù)，減少對電網(wǎng)的干擾。在PFC電路中，常用的結(jié)構(gòu)是BOOST電路，在實際的使用中，通常會加一個旁路二級管D2，如圖1所示。旁路二級管D2的作用，不同的資料，不同的工
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好在哪？用在哪？為您解讀我司全新SiC MOSFET方案！
點擊上方藍字關(guān)注我們請私信我們添加白名單如果您喜歡本篇文章，歡迎轉(zhuǎn)載！安森美半導(dǎo)體是領(lǐng)先的寬禁帶半導(dǎo)體制造商，是該技術(shù)的先鋒，并創(chuàng)建了最低RDSon的SiCMOSFET之一。我們提供同類最佳的封裝技術(shù)，全面的高能效電源方案，包括先進的基于碳化硅(SiC)的器件如SiCMOSFET...
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提高安全性和可靠性的ST電子熔斷器，你了解嗎？
什么是提高安全性和可靠性的ST電子熔斷器?它有什么作用?意法半導(dǎo)體STEF01可編程電子熔斷器集成低導(dǎo)通電阻RDS(ON) 的VIPower?MOSFET功率管，在8V到48V的寬輸入電壓范圍內(nèi)，能夠維持高達4A的連續(xù)電流，并且插入損耗低，將動作快速的過載保護的優(yōu)勢延續(xù)到額定功率更高的應(yīng)用產(chǎn)品。
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新型超結(jié)MOSFET器件，你聽說過嗎？
什么是新型超結(jié)MOSFET器件?它有什么作用?更高密度的低功率SMPS設(shè)計需要越來越多的高壓MOSFET器件。英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出CoolMOS? P7系列的新成員950 V CoolMOS P7超結(jié)MOSFET器件。該器件甚至能達到最嚴格的設(shè)計要求：用于照明、智能電表、移動充電器、筆記本適配器、AUX電源和工業(yè)SMPS應(yīng)用。這種全新半導(dǎo)體解決方案能實現(xiàn)出色的散熱性能及能源效率，減少用料并降低總生產(chǎn)成本。
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LinkSwitch-XT2開關(guān)電源IC，你了解嗎？
什么是LinkSwitch-XT2開關(guān)電源IC?你知道嗎?PI最近推出集成900V初級MOSFET的新版 LinkSwitch-XT2離線式開關(guān)電源IC。
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英飛凌科聯(lián)合Schweizer開發(fā)出面向輕度混合動力汽車新技術(shù)
2019年5月14日，德國慕尼黑/施蘭貝格訊——英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）聯(lián)合Schweizer電子股份公司成功開發(fā)出面向輕度混合動力汽車的新技術(shù)：
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高效超結(jié)MOSFET，你聽說過嗎？
什么是高效超結(jié)MOSFET?它有什么作用?2018年12月14日 - 意法半導(dǎo)體推出MDmesh?系列600V超結(jié)晶體管，該產(chǎn)品針對提高中等功率諧振軟開關(guān)和硬開關(guān)轉(zhuǎn)換器拓撲能效而設(shè)計。
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使用碳化硅MOSFET提升工業(yè)驅(qū)動器的能源效率
由于電動馬達佔工業(yè)大部分的耗電量，工業(yè)傳動的能源效率成為一大關(guān)鍵挑戰(zhàn)。因此，半導(dǎo)體製造商必須花費大量心神，來強化轉(zhuǎn)換器階段所使用功率元件之效能。
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第四代600V E系列MOSFET器件，你了解嗎？
什么是第四代600V E系列MOSFET器件?它有什么作用?2019年1月28日—日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n溝道SiHH068N60E導(dǎo)通電阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %，為通信、工業(yè)和企業(yè)級電源應(yīng)用提供高效解決方案，同時，柵極電荷下降60 %。
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60V TrenchFET? N溝道功率MOSFET，你知道嗎？
什么是60V TrenchFET? N溝道功率MOSFET?它有什么作用?2019年2月21日—日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK? SO-8單體封裝的60 V TrenchFET? 第四代 n溝道功率MOSFET---SiR626DP。Vishay Siliconix SiR626DP專門用于提高功率轉(zhuǎn)換拓撲結(jié)構(gòu)的效率，導(dǎo)通電阻比前代器件降低36%，同時柵極電荷和輸出電荷達到同類產(chǎn)品最低水平。
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STMicroelectronics MDmesh M6高效MOSFET，你聽說過嗎？
什么是STMicroelectronics MDmesh M6高效MOSFET?它有什么作用?2019年2月21日 – 專注于引入新品的全球半導(dǎo)體與電子元器件授權(quán)分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨STMicroelectronics (ST) 的MDmesh? M6系列 超結(jié)晶體管。MDmesh M6系列MOSFET針對提高中等功率諧振軟開關(guān)和硬開關(guān)轉(zhuǎn)換器拓撲能效而設(shè)計，可提高電池充電器、電源適配器、PC電源、LED照明驅(qū)動器、電信和服務(wù)器電源以及太陽能 微型逆變器等設(shè)備的功率密度。
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ROHM開發(fā)出1.6mm×1.6mm尺寸超小型車載用超小型MOSFET
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都）開發(fā)出1.6mm×1.6mm尺寸超小型MOSFET“RV4xxx系列”，該系列產(chǎn)品可確保部件安裝后的可靠性，且符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q
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碳化硅MOSFET特性以及相關(guān)基礎(chǔ)知識
你知道碳化硅MOSFET特性嗎?隨著半導(dǎo)體工藝不斷精進，半導(dǎo)體的材料也隨之改朝換代，碳化硅在眾多半導(dǎo)體材料中脫穎而出。碳化硅憑借具有不可比擬的優(yōu)良性能，同時碳化硅更是寬禁帶半導(dǎo)體材料之一，其最大特點是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，
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安森美半導(dǎo)體的領(lǐng)先的碳化硅(SiC) MOSFET方案的優(yōu)勢
安森美半導(dǎo)體是領(lǐng)先的寬禁帶半導(dǎo)體制造商，是該技術(shù)的先鋒，并創(chuàng)建了最低RDSon 的SiC MOSFET之一。我們提供同類最佳的封裝技術(shù)，全面的高能效電源方案，包括先進的基于碳化硅(SiC)的器件如SiC MOSFET、SiC二極管、SiC和氮化鎵(GaN)驅(qū)動器及集成模塊。
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MOS管開關(guān)原理以及深入解析，值得你收藏
什么是MOS管?它有什么作用?MOS管可以說是工程師最熟悉的器件之一，不過MOS管我們天天見，但是不乏一些剛?cè)胄械墓こ處?、甚至是少?shù)行業(yè)老手對于MOS的基礎(chǔ)理論的掌握不是很牢固，所以專門寫一篇文章為大家總結(jié)一下MOS的開關(guān)原理和基礎(chǔ)知識。
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一文看明白眾說紛紜的SiC（文末報名在線研討會）
一文看明白眾說紛紜的SiC（文末報名在線研討會） ? 第一代半導(dǎo)體材料一般是指硅（Si）元素和鍺（Ge）元素，其奠定了20 世紀電子工業(yè)的基礎(chǔ)。第二代半導(dǎo)體材料主要指化合物半導(dǎo)體材料，如砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）、磷化鎵（GaP）、砷化銦（InAs）、砷化
