MOSFET

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金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

MOSFET和三極管的區(qū)別在哪？你知道嗎？

你知道MOSFET和三極管的區(qū)別嗎?MOSFET是一種在模擬電路和數(shù)字電路中都應(yīng)用的非常廣泛的一種場效晶體管。三極管也成為雙極型晶體管，他能夠控制電流的的流動，將較小的信號放大成為幅值較高的電信號。MOSFET和三極管都有ON狀態(tài)，那么在處于ON狀態(tài)時(shí)，這兩者有什么區(qū)別呢?

電源電路
2020-04-30

MOSFET 三極管晶體
四種最常用的電子元器件的參數(shù)解析

你知道最常用的電子元器件的參數(shù)嗎?本文主要從電阻、電感、電容、MOSFET這四種最常用的電子元器件的參數(shù)進(jìn)行詳細(xì)講解，大家學(xué)習(xí)一下吧!

電源電路
2020-04-29

電容電感 MOSFET
功率MOSFET應(yīng)用的一些小總結(jié)，你值得擁有

什么是功率MOSFET?他有什么作用?從事電源電子行業(yè)的工程師們對功率MOSFET肯定不陌生，今天小編為大家總結(jié)了一些MOSFET應(yīng)用心得，很經(jīng)典很實(shí)用，不要錯(cuò)過哦!

電源電路
2020-04-29

開關(guān)電源功率器件 MOSFET
“器件大師”的經(jīng)驗(yàn)！MOSFET器件選型的3大法則

俗話說“人無遠(yuǎn)慮必有近憂”，對于電子設(shè)計(jì)工程師，在項(xiàng)目開始之前，器件選型之初，就要做好充分考慮，選擇最適合自己需要的器件，才能保證項(xiàng)目的成功。功率MOSFET恐怕是工程師們最常用的器件之一了，但你知道嗎？關(guān)于MOSFET的器件選型要考慮方方面面的因素

電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)
2020-04-29

器件選型 DSO 功率MOSFET MOSFET
基于THB8128的步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動器設(shè)計(jì)

本設(shè)計(jì)介紹的是THB8128大功率、高細(xì)分兩相混合式步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動器設(shè)計(jì)。該THB8128步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動器支持雙全橋MOSFET驅(qū)動，低導(dǎo)通電阻Ron=0.4Ω（上橋+下橋）。高耐壓42V，大電流4

伺服與控制
2020-04-28

控制步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動器 THB8128 MOSFET
LED驅(qū)動設(shè)計(jì)的關(guān)鍵點(diǎn)是什么

要普及LED燈具，不但需要大幅度降低成本，更需要解決技術(shù)性的問題。如何解決能效和可靠性這些難題，PowerIntegrations市場營銷副總裁DougBailey分享了高效高可靠LED驅(qū)動設(shè)計(jì)

LEDs
2020-04-27

電解電容 LED驅(qū)動 LED燈具 MOSFET
看完這篇，請不要再說不懂MOSFET?。ㄎ哪┯畜@喜）

? 01 認(rèn)識功率器件 ? 1.1 功率半導(dǎo)體器件在工業(yè) 、消費(fèi) 、軍事等領(lǐng)域都有著廣泛應(yīng)用，具有很高的戰(zhàn)略地位，下面我們從一張圖看功率器件的全貌： ? ? 1.2 功率半導(dǎo)體器件又可根據(jù)對電路信號的控程度分為全型、半控型及不可；或按驅(qū)動電路信號性質(zhì)分為電壓驅(qū)

21ic電子網(wǎng)
2020-04-24

MOS管 BSP POWER MOSFET
英飛凌在線研討會：超低壓MOSFET你不可不知的那些事兒

【英飛凌在線研討會】將于4月22日震撼來襲 ? 作為電子工程師 MOSFET絕對是一門必修課 ? 英飛凌近日推出超低壓MOSFET (20-45V) 系列針對服務(wù)器電源、主板電源、車充/充電寶、充電器、無線充電、馬達(dá)驅(qū)動等應(yīng)用如此廣闊應(yīng)用之下這款產(chǎn)品的優(yōu)點(diǎn)也不容小覷喜

21ic電子網(wǎng)
2020-04-24

英飛凌研討會低壓 MOSFET
請舉手回答，穩(wěn)壓器是怎么工作的？

穩(wěn)壓器會產(chǎn)生具有恒定預(yù)設(shè)幅度的固定輸出電壓，無論其輸入電壓或負(fù)載條件是否變化。穩(wěn)壓器分為兩類：線性和開關(guān)式。線性穩(wěn)壓器采用受高增益差分放大器控制的有源(BJT或MOSFET)通流器件(串聯(lián)或并聯(lián))。它將輸出電壓與精密基準(zhǔn)電壓源相比較，并對通流器件進(jìn)行調(diào)

21ic電子網(wǎng)
2020-04-24

穩(wěn)壓器輸出電壓開關(guān)穩(wěn)壓器 MOSFET
PI公司宣布旗下適用于SiC MOSFET的SCALE-iDriver現(xiàn)已通過AEC-Q100汽車級認(rèn)證

美國加利福尼亞州圣何塞，2020年3月17日 – 深耕于中高壓逆變器應(yīng)用門極驅(qū)動器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達(dá)克股票代號：POWI）今日宣布，其適合碳化硅(SiC) MOSFET的高效率單通道門極驅(qū)動器SIC118xKQ SCALE-iDriver?現(xiàn)已通過AEC-Q100汽車級

21ic電子網(wǎng)
2020-04-24

汽車 SIC DRIVER MOSFET
Nexperia推出的超微型MOSFET占位面積減小36%，且具備低導(dǎo)通電阻RDS(on)

采用易于使用的封裝，適用于可穿戴設(shè)備和大批量應(yīng)用

Nexperia
2020-04-23

可穿戴設(shè)備低導(dǎo)通電阻 MOSFET
宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)發(fā)布第十一階段可靠性測試報(bào)告 - 失效性測試顯示氮化鎵器件的穩(wěn)定性比硅功率MOSFET器件更具優(yōu)勢

繼第一至第十階段可靠性測試報(bào)告后，EPC公司的第十一階段可靠性測試報(bào)告進(jìn)一步豐富知識庫。此報(bào)告對受測器件進(jìn)行超過1230億元件-小時(shí)應(yīng)力測試，并且展示氮化鎵器件的穩(wěn)定性是硅功率器件所不能實(shí)現(xiàn)的。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司
2020-04-15

epc 氮化鎵 MOSFET
明緯電源“1+1”并機(jī)冗余設(shè)計(jì)

全彩LED小間距顯示屏能在更小的屏體上，顯示更真實(shí)的效果，應(yīng)用范圍越來越廣泛，特別在一些特殊應(yīng)用場合，例如劇場劇院、大型演出、國際賽事現(xiàn)場直播與重要視頻會議等。顯示屏的高可靠性、低故障、免維護(hù)的特性也是受到人們青睞的主因之一。傳統(tǒng)冗余電源接法是由2個(gè)或多個(gè)電源于正端分別串接二極管的方式并聯(lián)輸出至電源總線上?？梢宰?個(gè)電源單獨(dú)工作，也可以讓多個(gè)電源同時(shí)工作。當(dāng)其中1個(gè)電源出現(xiàn)故障時(shí)，由于二極管的單向?qū)ㄌ匦?，不會影響電源總線的輸出。

顯示光電
2020-04-01

二極管全彩led小間距顯示屏 MOSFET
東芝推出采用其最新一代工藝的80V N溝道功率MOSFET，助力提高電源效率

–進(jìn)一步擴(kuò)展U-MOS X-H功率MOSFET系列產(chǎn)品線–

TOSHIBA東芝半導(dǎo)體
2020-03-30

電源 n溝道 MOSFET
IGBT工作原理解析

什么是IGBT？它的工作原理是什么？IGBT是元器件家族的成員之一，有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。那么，IGBT是如何完成開關(guān)過程的?

電源電路
2020-03-29

電子元器件 igbt MOSFET
SiC MOSFET在汽車和電源中的應(yīng)用

科學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展推動者電子元器件的不斷革新，傳統(tǒng)硅基MOSFET技術(shù)日趨成熟，正在接近性能的理論極限。寬帶隙半導(dǎo)體的電、熱和機(jī)械特性更好，能夠提高M(jìn)OSFET的性能，是一項(xiàng)關(guān)注度很高的替代技術(shù)。商用硅基功率MOSFET已有近40年的歷史，自問世以來，MOSFET和IGBT一直是開關(guān)電源的主要功率處理控制組件，被廣泛用于電源、電機(jī)驅(qū)動等電路設(shè)計(jì)。

電源電路
2020-03-24

碳化硅 sic MOSFET
安森美推出寬禁帶器件：900V和1200V SiC MOSFET

新的SiC MOSFET器件實(shí)現(xiàn)更好的性能、更高的能效和能在嚴(yán)苛條件下工作

安森美(onsemi)
2020-03-11

電源 sic MOSFET
東芝面向中大電流IGBT/MOSFET，推出內(nèi)置保護(hù)功能的光耦

中國上海，2020年3月10日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布，推出“TLP5231”，這是一款面向中大電流絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)和MOSFET的預(yù)驅(qū)動光耦，適用于工業(yè)逆變器和光伏(PV)的功率調(diào)節(jié)系統(tǒng)。

TOSHIBA東芝半導(dǎo)體
2020-03-10

igbt 光耦 MOSFET
英飛凌推出600 V CoolMOSTM S7

對于MOSFET低頻率開關(guān)應(yīng)用而言，新推出的600 V CoolMOS? S7系列產(chǎn)品可帶來領(lǐng)先的功率密度和能效。

通信技術(shù)
2020-03-06

英飛凌 MOSFET
CISSOID三相SiC MOSFET智能功率模塊問市

這個(gè)全新的可擴(kuò)展平臺同時(shí)優(yōu)化了功率開關(guān)的電氣、機(jī)械和散熱設(shè)計(jì)及其臨界控制，對于電動汽車（EV）整車廠和愿意快速采用基于碳化硅的逆變器以實(shí)現(xiàn)更高效、更簡潔電機(jī)驅(qū)動的電動機(jī)制造商而言，該平臺可以幫助他們加快產(chǎn)品上市時(shí)間。

通信技術(shù)
2020-03-05

sic cissoid MOSFET

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MOSFET

MOSFET和三極管的區(qū)別在哪？你知道嗎？

四種最常用的電子元器件的參數(shù)解析

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基于THB8128的步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動器設(shè)計(jì)

LED驅(qū)動設(shè)計(jì)的關(guān)鍵點(diǎn)是什么

看完這篇，請不要再說不懂MOSFET?。ㄎ哪┯畜@喜）

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宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)發(fā)布第十一階段可靠性測試報(bào)告 - 失效性測試顯示氮化鎵器件的穩(wěn)定性比硅功率MOSFET器件更具優(yōu)勢

明緯電源“1+1”并機(jī)冗余設(shè)計(jì)

東芝推出采用其最新一代工藝的80V N溝道功率MOSFET，助力提高電源效率

IGBT工作原理解析

SiC MOSFET在汽車和電源中的應(yīng)用

安森美推出寬禁帶器件：900V和1200V SiC MOSFET

東芝面向中大電流IGBT/MOSFET，推出內(nèi)置保護(hù)功能的光耦

英飛凌推出600 V CoolMOSTM S7

CISSOID三相SiC MOSFET智能功率模塊問市

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