MOSFET
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LED燈具驅(qū)動電源技術(shù)
繁華的城市離不開LED燈的裝飾，相信大家都見過LED，它的身影已經(jīng)出現(xiàn)在了我們的生活的各個地方，也照亮著我們的生活。要普及LED燈具，不但需要大幅度降低成本，更需要解決技術(shù)性的問題。
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LED驅(qū)動設(shè)計注意事項
隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，LED技術(shù)也在不斷發(fā)展，為我們的生活帶來各種便利，為我們提供各種各樣生活信息，造福著我們?nèi)祟?。對于新手來講LED驅(qū)動設(shè)計其實并不是一件容易的事兒，針對這方面問題小編特別總結(jié)了設(shè)計達(dá)人的一些在工作中需要注意的問題和親身的設(shè)計心得進(jìn)行分享。
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新的功率MOSFET-SQJQ402E
在科學(xué)技術(shù)飛速發(fā)展的今天，離不開我們科研人員的辛勤付出，制造出如此多的電子產(chǎn)品，然而大家只關(guān)注這些產(chǎn)品的使用，只有研究人員會關(guān)注內(nèi)部結(jié)構(gòu)，這其中就要數(shù)功率器件了。日前，Vishay Intertechnology，Inc.(NYSE股市代號：VSH)宣布，發(fā)布新的8mm x 8mm x 1.8mm Power PAK8x8L封裝40VTrenchFET 功率MOSFET-SQJQ402E，目的是為汽車應(yīng)用提供可替代常用D2PAK和DPAK封裝，實現(xiàn)大電流，并能節(jié)省空間和功耗的方案。
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國產(chǎn)芯片真金質(zhì)!基本半導(dǎo)體挑戰(zhàn)極限高溫測試“火”力全開
挑戰(zhàn)驕陽火焰山，何須芭蕉借又還。 國產(chǎn)芯片真金質(zhì)，不懼火煉過樓蘭。
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針對高耐用性和可靠性電源需求，意法半導(dǎo)體推出市場上擊穿電壓最高的1050V MOSFET VIPer轉(zhuǎn)換器
中國，2019年7月29日——意法半導(dǎo)體VIPer26K發(fā)布高壓功率轉(zhuǎn)換器，集成一個1050V耐雪崩N溝道功率MOSFET，使離線電源兼?zhèn)鋵拤狠斎肱c設(shè)計簡單的優(yōu)點。
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意法半導(dǎo)體推出600V三相智能關(guān)斷柵極驅(qū)動器，提高工業(yè)應(yīng)用性能和安全性
中國，2019年7月17日——意法半導(dǎo)體的STDRIVE601三相柵極驅(qū)動器用于驅(qū)動600V N溝道功率MOSFET和IGBT管，穩(wěn)健性居目前業(yè)內(nèi)最先進(jìn)水平，可耐受低至-100V的負(fù)尖峰電壓，邏輯輸入響應(yīng)速度在85ns以內(nèi)，處于同級產(chǎn)品一流水平。
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儒卓力提供具有最高功率密度和效率的英飛凌OptiMOS? 功率MOSFET
?英飛凌OptiMOS? 3和5同類最佳(BiC)功率MOSFET采用節(jié)省空間的SuperSO8封裝，與先前型號相比，具有更高的功率密度和穩(wěn)健性，從而降低系統(tǒng)成本和提升整體性能?？蛻艨梢栽L問儒卓力電子商務(wù)平臺www.rutronik24.com.cn了解有關(guān)OptiMOS? BiC功率MOSFET產(chǎn)品信息。
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儒卓力提供具有最高功率密度和效率的英飛凌OptiMOS?功率MOSFET
英飛凌OptiMOS?3和5同類最佳(BiC)功率MOSFET采用節(jié)省空間的SuperSO8封裝，與先前型號相比，具有更高的功率密度和穩(wěn)健性，從而降低系統(tǒng)成本和提升整體性能?？蛻艨梢栽L問儒卓力電子商務(wù)平臺www.rutronik24.com.cn了解有關(guān)OptiMOS? BiC功率MOSFET產(chǎn)品信息。
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ROHM開發(fā)出節(jié)能優(yōu)勢顯著的升降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器“BD83070GWL”
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都)，面向移動設(shè)備、可穿戴式設(shè)備及IoT設(shè)備，開發(fā)出一款內(nèi)置MOSFET的升降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器*1)“BD83070GWL”，該產(chǎn)品實現(xiàn)了超高效率和超低消耗電流。
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耗盡型模擬開關(guān)：無電源也能高性能連接
耗盡型MOSFET開關(guān)，一度不那么受歡迎，且常被視為典型的增強(qiáng)型FET的同屬，卻在最近幾年中越來越受歡迎。安森美半導(dǎo)體投入該技術(shù)，開發(fā)出越來越多的耗盡型模擬開關(guān)系列。這些開關(guān)越來越多地用于很好地解決工程問題。此博客將使讀者更好地了解這些實用的器件的能力，并介紹方案示例。
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安森美半導(dǎo)體和格芯合作轉(zhuǎn)讓紐約東菲什基爾300mm晶圓廠的所有權(quán)
安森美半導(dǎo)體公司(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ON和格芯(GLOBALFOUNDRIES)宣布就安森美半導(dǎo)體收購GLOBALFOUNDRIES位于紐約東菲什基爾(East Fishkill, New York)的300 mm晶圓廠達(dá)成最終協(xié)議。此次收購總代價為4.3億美元，其中1億美元已在簽署最終協(xié)議時支付，其余3.3億美元將在2022年年底支付，之后，安森美半導(dǎo)體將獲得該晶圓廠的全面運(yùn)營控制權(quán)，該廠的員工將轉(zhuǎn)為安森美半導(dǎo)體的員工。此交易的完成取決于監(jiān)管機(jī)構(gòu)的批準(zhǔn)及其它慣例成交
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在LLC拓?fù)渲?，為什么選用體二極管恢復(fù)快的MOSFET
在當(dāng)前全球能源危機(jī)的形式下，提高電子設(shè)備的能效，取得高性能同時降低能耗，成為業(yè)內(nèi)新的關(guān)注點。為順應(yīng)這一趨勢，世界上許多電子廠商希望在產(chǎn)品規(guī)格中提高能效標(biāo)準(zhǔn)。在電源管理方面，用傳統(tǒng)的硬開關(guān)轉(zhuǎn)換器是很難達(dá)到新能效標(biāo)準(zhǔn)。因此，電源設(shè)計者已將開發(fā)方向轉(zhuǎn)向軟開關(guān)拓?fù)?，以提高電源的能效，實現(xiàn)更高的工作頻率。 LLC諧振轉(zhuǎn)換
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半導(dǎo)體成就電動汽車“芯”
上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司于2018年度中美貿(mào)易關(guān)系混亂的市場環(huán)境中仍獲取了優(yōu)異成績，達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先地位，其產(chǎn)能利用率更是高達(dá)99.2%。
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Diodes 公司的單級高功率因子 LED 驅(qū)動控制器配備混合模式調(diào)光
【2019年5月29日美國德州普拉諾訊】Diodes公司(Nasdaq：DIOD)今日宣布推出AL1665單級返馳式及降壓升壓控制器，可用于商業(yè)、聯(lián)機(jī)、可調(diào)光的LED照明安裝，最高可以100W運(yùn)作。
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對更高功率密度的需求推動電動工具創(chuàng)新解決方案
德州儀器（英語：Texas Instruments，簡稱：TI），是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體跨國公司，以開發(fā)、制造、銷售半導(dǎo)體和計算機(jī)技術(shù)聞名于世，主要從事創(chuàng)新型數(shù)字信號處理與模擬電路方面的研究、制造和銷售。除半導(dǎo)體業(yè)務(wù)外，還提供包括傳感與控制、教育產(chǎn)品和數(shù)字光源處理解決方案。
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提高功效，快速選擇最佳的開關(guān)式DC-DC轉(zhuǎn)換器
在電路中，通過可控開關(guān)(MOSFET)等進(jìn)行快速高頻的開關(guān)動作，利用電感與電容自身帶的儲能特性，能夠?qū)⑤斎氲碾娔軆Υ娴诫娙堇铮?dāng)把開關(guān)斷開時，儲存的電能能夠再次釋放給負(fù)載，此時，提供能量就是開關(guān)電源，整個的輸出功率和電路的電壓能力是與開關(guān)電路的導(dǎo)通時間和整個周期的開關(guān)是有關(guān)系的，因此，我們可以得到以下結(jié)論，開關(guān)電源能夠用于生涯和降壓，DC/DC轉(zhuǎn)換器是利用MOSFET開關(guān)閉合電路導(dǎo)通時在電感器中儲存能量，當(dāng)電路斷開時，電感器中存儲的能量又會通過二極管傳輸給負(fù)載。
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新產(chǎn)能開出 昇陽半3月營收創(chuàng)高
全球最大半導(dǎo)體薄化代工廠昇陽半 3 月營收創(chuàng)高，達(dá) 2.16 億元，月成長 20.95% ，年成長 39.09% ，累計第一季營收年成長為 28.57% ;昇陽半自去年下半年以來，隨著產(chǎn)能開出，營收持續(xù)墊高，而在新項目陸續(xù)加入后，第二季營收可望再向上。
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安森美半導(dǎo)體推出新的工業(yè)級和符合車規(guī)的SiC MOSFET，補(bǔ)足成長的生態(tài)系統(tǒng)，并為迅速增長的應(yīng)用帶來寬禁帶性能的優(yōu)勢
推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ON)，推出了兩款新的碳化硅(SiC) MOSFET。工業(yè)級NTHL080N120SC1和符合AEC-Q101的汽車級NVHL080N120SC1把寬禁帶技術(shù)的使能、廣泛性能優(yōu)勢帶到重要的高增長終端應(yīng)用領(lǐng)域如汽車DC-DC、電動汽車車載充電機(jī)、太陽能、不間斷電源及服務(wù)器電源。
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讓變頻空調(diào)更節(jié)能，ROHM推出600V 超級結(jié)MOSFET “PrestoMOS”系列產(chǎn)品
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都)推出600V耐壓超級結(jié) MOSFET“PrestoMOS”系列產(chǎn)品，在保持極快反向恢復(fù)時間(trr※1))的同時，提高設(shè)計靈活度，非常適用于空調(diào)、冰箱等白色家電的電機(jī)驅(qū)動以及EV充電樁。近日，該系列產(chǎn)品群又新增了“R60xxJNx系列”共30種機(jī)型。
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安森美推出新的工業(yè)級和符合車規(guī)的SiC MOSFET，為迅速增長的應(yīng)用帶來寬禁帶性能的優(yōu)勢
安森美半導(dǎo)體新的SiC MOSFET另一獨特的優(yōu)勢是具有專利的終端結(jié)構(gòu)，增加了可靠性和強(qiáng)固性，并增強(qiáng)了工作穩(wěn)定性。NVHL080N120SC1設(shè)計用于承受高浪涌電流，并提供高的雪崩能力和強(qiáng)固的短路保護(hù)。
