MOSFET

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金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

CISSOID推出用于電動汽車的三相碳化硅MOSFET智能模塊

比利時·蒙-圣吉貝爾，2020年3月5日 – 各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID今日宣布，將繼續(xù)致力于應(yīng)對汽車和工業(yè)市場的挑戰(zhàn)，并推出用于電動汽車的三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模塊(IPM)平臺。

CISSOID
2020-03-05

MOSFET 智能功率模塊碳化硅
性價比一流：英飛凌推出面向低頻率應(yīng)用的600 V CoolMOS? S7超結(jié)MOSFET

【2020年3月3日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司成功開發(fā)出滿足最高效率和質(zhì)量要求的解決方案。對于MOSFET低頻率開關(guān)應(yīng)用而言，新推出的600 V CoolMOS? S7系列產(chǎn)品可帶來領(lǐng)先的功率密度和能效。

英飛凌
2020-03-03

coolmos rds MOSFET
英飛凌650 V CoolSiC? MOSFET系列為更多應(yīng)用帶來最佳可靠性和性能水平

【2020年2月25日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司進一步擴展其碳化硅(SiC)產(chǎn)品組合，推出650V器件。

英飛凌
2020-02-26

硅基 MOSFET 碳化硅
英飛凌推出基于PQFN 3.3x3.3 mm封裝的OptiMOS?源極底置25 V功率MOSFET

【2020年2月18日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司通過專注于解決當前電源管理設(shè)計面臨的挑戰(zhàn)，來實現(xiàn)系統(tǒng)創(chuàng)新和組件水平的改進。

英飛凌
2020-02-24

英飛凌 optimos MOSFET
儒卓力提供具有高功率密度的威世N-Channel MOSFET

威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是為提高功率轉(zhuǎn)換拓撲中的功率密度和效率而設(shè)計。它們采用3.3x3.3mm緊湊型PowerPAK 1212-8S封裝，可提供低于2mΩ級別中的最低輸出電容(Coss)。儒卓力在電子商務(wù)網(wǎng)站上供應(yīng)這款MOSFET器件。

儒卓力
2020-02-22

PCB rds MOSFET
安世半導(dǎo)體推出采用LFPAK56封裝的0.57 m?產(chǎn)品，籍此擴展市場領(lǐng)先的低RDS(on) MOSFET性能

同時優(yōu)化了安全工作區(qū)、漏極電流和柵極電荷

Nexperia
2020-02-21

rds lfpak56 MOSFET
Vishay高效80 V MOSFET，優(yōu)值系數(shù)達到最佳

日前，Vishay Intertechnology, Inc. （NYSE股市代號：VSH）宣布，推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK® SO-8單體封裝的---SiR680ADP，它是80 V TrenchFET® 第四代n溝道功率MOSFET。

消費電子
2020-02-15

Vishay 電源資訊 MOSFET
Vishay推出采用PowerPAK? 1212 8S封裝的-30 V P溝道MOSFET，RDS(ON)達到業(yè)內(nèi)最低水平，提高功率密度，降低便攜式電子設(shè)備功耗

器件占位面積10.89 mm2，RDS（ON）降至3.5 m?，F(xiàn)OM降至172 m?*nC，均為業(yè)內(nèi)最佳水平

VISHAY
2020-02-11

rds powerpak MOSFET
Vishay推出高效80V MOSFET，導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積即優(yōu)值系數(shù)達到同類產(chǎn)品最佳水平

器件采用PowerPAK?SO-8單體封裝，導(dǎo)通電阻降至2.35mW，柵極電荷為55nC，COSS為614pF

VISHAY
2020-02-10

rohs uis測試 MOSFET
Vishay推出高效80 V MOSFET，導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積即優(yōu)值系數(shù)達到同類產(chǎn)品最佳水平

器件采用PowerPAK? SO-8單體封裝，導(dǎo)通電阻降至2.35 mΩ，柵極電荷為55 nC，COSS為614 pF。

VISHAY
2020-02-10

Vishay powerpak MOSFET
智能電源方案用于數(shù)據(jù)中心，減小尺寸、增強可靠性并降低運營成本

身處社會，我們每天都在創(chuàng)建、使用和分享前所未有的數(shù)據(jù)，無論是在我們的個人生活中還是在我們工作的時候。

安森美(onsemi)
2020-01-16

物聯(lián)網(wǎng) 數(shù)據(jù)中心 MOSFET
CISSOID強勁可靠的柵極驅(qū)動器為Wolfspeed的快速開關(guān)碳化硅(SiC)功率模塊提供支持

比利時·蒙-圣吉貝爾，2020年1月14日–各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID日前宣布，為Wolfspeed提供強勁可靠的柵極驅(qū)動器，以支持其XM3碳化硅(SiC)MOSFET功率模塊。

CISSOID
2020-01-14

功率模塊 MOSFET 碳化硅
東芝面向車載應(yīng)用推出采用緊湊型封裝的100V N溝道功率MOSFET

東芝今日宣布，推出兩款面向車載48V電氣系統(tǒng)應(yīng)用的新型100V N溝道功率MOSFET。

TOSHIBA東芝半導(dǎo)體
2019-12-25

低導(dǎo)通電阻東芝電子 MOSFET
除了業(yè)界最小RDSon之外，與硅器件相同的驅(qū)動特性才是United SiC FET的殺手锏

采用Si基MOSFET和SiC基的JFET，采用共源共柵的方式將其燒結(jié)在一起，是United SiC的最大設(shè)計特色。這種結(jié)構(gòu)確保其產(chǎn)品可以保持與Si類功率器件保持一致的驅(qū)動電壓，從而可以幫助可以直接在原有的Si基礎(chǔ)的電路中進行直接的升級和替換。而此次最新推出的UF3SC系列SiC器件，更是以小于10mΩ的業(yè)界最低Rds(on)將SiC器件的性能提升到了新的高度，面對電動汽車和5G等全新應(yīng)用需求，United SiC可以給客戶提供集成度更高、更加高效、更為穩(wěn)定可靠的解決方案。

劉巖軒
2019-12-17

功率器件技術(shù)專訪 sic MOSFET 碳化硅
Vishay新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET

為節(jié)省PCB空間，減少元件數(shù)量并簡化設(shè)計，該器件采用優(yōu)化封裝結(jié)構(gòu)，兩個單片集成TrenchFET® 第四代n溝道MOSFET采用共漏極配置。SiSF20DN源極觸點并排排列，加大連接提高PCB接觸面積，與傳統(tǒng)雙封裝型器件相比進一步減小電阻率。這種設(shè)計使MOSFET適合用于24 V系統(tǒng)和工業(yè)應(yīng)用雙向開關(guān)

消費電子
2019-12-11

Vishay 電源資訊 MOSFET
Vishay推出采用小型5x5 PowerPAK封裝的新款同步降壓穩(wěn)壓器具有高效率、高功率密度和優(yōu)異的熱設(shè)計等優(yōu)點

通用器件輸入電壓范圍寬達4.5V至60V，內(nèi)部補償功能減少外部元器件

VISHAY
2019-12-11

Vishay DC/DC powerpak MOSFET
Vishay推出新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET，提高功率密度和效率

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用小型熱增強型PowerPAK? 1212-8SCD封裝新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET---SiSF20DN。

VISHAY
2019-12-11

Vishay powerpak MOSFET
Vishay推出采用小型5x5 PowerPAK封裝的新款同步降壓穩(wěn)壓器具有高效率、高功率密度和優(yōu)異的熱設(shè)計等優(yōu)點

通用器件輸入電壓范圍寬達4.5V至60V，內(nèi)部補償功能減少外部元器件。

電源
2019-12-09

Vishay DC/DC powerpak 電源新品 MOSFET
恒流源電路基礎(chǔ)介紹

恒流源由信號源和電壓控制電流源(VCCS)兩部分組成。正弦信號源采用直接數(shù)字頻率合成(DDS)技術(shù)，即以一定頻率連續(xù)從EPROM中讀取正弦采樣數(shù)據(jù)，經(jīng)D/A轉(zhuǎn)換并濾波后產(chǎn)生EIT所需的正弦信號。本系統(tǒng)采用DDS集成芯片AD9830，其內(nèi)部有兩個12位相位寄存器和兩個32位頻率寄存器。在單片機的控制下對相應(yīng)的寄存器置數(shù)就可以方便得到2MHz以下的任意頻率和相位的輸出，其中頻率精度為1/ 2 32，相位分辨率為2π/2 12，輸出幅度也可以在一定的范圍內(nèi)調(diào)節(jié)，因此能滿足系統(tǒng)多頻激勵(10kHz～1MHz)的要求。

工業(yè)控制
2019-12-03

晶體管恒流源電路 MOSFET
SiC MOSFET在汽車和電源應(yīng)用中優(yōu)勢顯著

摘要：傳統(tǒng)硅基MOSFET技術(shù)日趨成熟，正在接近性能的理論極限。寬帶隙半導(dǎo)體的電、熱和機械特性更好，能夠提高MOSFET的性能，是一項關(guān)注度很高的替代技術(shù)。

意法半導(dǎo)體
2019-10-18

sic ev/hev MOSFET

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MOSFET

CISSOID推出用于電動汽車的三相碳化硅MOSFET智能模塊

性價比一流：英飛凌推出面向低頻率應(yīng)用的600 V CoolMOS? S7超結(jié)MOSFET

英飛凌650 V CoolSiC? MOSFET系列為更多應(yīng)用帶來最佳可靠性和性能水平

英飛凌推出基于PQFN 3.3x3.3 mm封裝的OptiMOS?源極底置25 V功率MOSFET

儒卓力提供具有高功率密度的威世N-Channel MOSFET

安世半導(dǎo)體推出采用LFPAK56封裝的0.57 m?產(chǎn)品，籍此擴展市場領(lǐng)先的低RDS(on) MOSFET性能

Vishay高效80 V MOSFET，優(yōu)值系數(shù)達到最佳

Vishay推出采用PowerPAK? 1212 8S封裝的-30 V P溝道MOSFET，RDS(ON)達到業(yè)內(nèi)最低水平，提高功率密度，降低便攜式電子設(shè)備功耗

Vishay推出高效80V MOSFET，導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積即優(yōu)值系數(shù)達到同類產(chǎn)品最佳水平

Vishay推出高效80 V MOSFET，導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積即優(yōu)值系數(shù)達到同類產(chǎn)品最佳水平

智能電源方案用于數(shù)據(jù)中心，減小尺寸、增強可靠性并降低運營成本

CISSOID強勁可靠的柵極驅(qū)動器為Wolfspeed的快速開關(guān)碳化硅(SiC)功率模塊提供支持

東芝面向車載應(yīng)用推出采用緊湊型封裝的100V N溝道功率MOSFET

除了業(yè)界最小RDSon之外，與硅器件相同的驅(qū)動特性才是United SiC FET的殺手锏

Vishay新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET

Vishay推出采用小型5x5 PowerPAK封裝的新款同步降壓穩(wěn)壓器具有高效率、高功率密度和優(yōu)異的熱設(shè)計等優(yōu)點

Vishay推出新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET，提高功率密度和效率

Vishay推出采用小型5x5 PowerPAK封裝的新款同步降壓穩(wěn)壓器具有高效率、高功率密度和優(yōu)異的熱設(shè)計等優(yōu)點

恒流源電路基礎(chǔ)介紹

SiC MOSFET在汽車和電源應(yīng)用中優(yōu)勢顯著

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