MOSFET
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常用MOSFET技術(shù)參數(shù)
PART NO.VDS(V)ID250C(A)1000CRDS(ON)(ohms)CISS(PF)IDM(A)PD(W)PACKAGEIRF120100850.36003240TO-3IRF12160850.36003240TO-3IRF122100740.46002840TO-3IRF12360740.4600284
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MOSFET醞釀下一波漲價 DRAM跌幅卻持續(xù)加大
MOSFET的缺貨從2016年下半年就已經(jīng)開始，一直持續(xù)到現(xiàn)在，正醞釀下一波價格調(diào)漲。與此形成鮮明對比的是，前一段時間不斷漲價的DRAM開始走下坡路了!據(jù)集邦咨詢的最新報告，第四季DRAM合約價二次下修，2019年第一季跌幅持續(xù)擴(kuò)大。
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MOSFET產(chǎn)能繼續(xù)大缺，正醞釀下一波價格調(diào)漲！
到了2018年，MOSFET產(chǎn)能繼續(xù)大缺，下半年出現(xiàn)缺貨潮，ODM/OEM廠及系統(tǒng)廠客戶搶產(chǎn)能，臺廠大中、富鼎、尼克森、杰力等也第3季訂單全滿，接單能見度直至年底，正醞釀下一波價格調(diào)漲。
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擁有線性穩(wěn)壓器特性的下一代移動DC-to-DC轉(zhuǎn)換器
今天的手機(jī)不斷向小型化和薄型化發(fā)展。這點毫不奇怪，技術(shù)尺寸方面的多數(shù)進(jìn)展是一個關(guān)鍵問題，可以決定產(chǎn)品開發(fā)的命運。由于移動器件的尺寸不斷變小，元件尺寸和元件數(shù)量
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如何計算高功率電源中MOSFET的功耗
功率MOSFET是用于便攜式設(shè)備的所有高功率開關(guān)電源中的重要部分。另外，在散熱功能最差的筆記本電腦中，功率MOSFET的選擇也不是一件容易的事情。本文就如何計算功率MOSFET的
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高功率便攜式DC-DC中MOSFET功耗的計算
也許，今天的便攜式電源設(shè)計者所面臨的最嚴(yán)峻挑戰(zhàn)就是為當(dāng)今的高性能CPU提供電源。它們的電源電流最近每兩年就翻一番。事實上，今天的便攜式核電源電流需求會高達(dá)40A或更多
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不單只是數(shù)據(jù)表 – 真實世界下的PC能效
計算機(jī)原設(shè)備制造商(OEM)正面對商業(yè)、環(huán)保和法規(guī)等多方面的壓力，需要體現(xiàn)他們產(chǎn)品的能效，提供更“綠色” 的臺式個人電腦(PC)和服務(wù)器。這使設(shè)計這些產(chǎn)品的工程
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Diodes自保護(hù)式MOSFET節(jié)省85%的占板空間
Diodes公司擴(kuò)展其IntelliFET產(chǎn)品系列，推出全球體積最小的完全自保護(hù)式低壓側(cè)MOSFET。該ZXMS6004FF元件采用2.3 mm x 2.8mm扁平SOT23F封裝，與正在使用的7.3 mm x 6.7mm SOT
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飛兆半導(dǎo)體的柵極驅(qū)動器提高汽車應(yīng)用的燃油效率
飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 為設(shè)計人員提供一系列能夠提升汽車應(yīng)用功耗、噪聲免疫能力和瞬態(tài)電壓性能的柵極驅(qū)動器FAN7080x系列，讓工程師開發(fā)出在所有操作條
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選擇正確的MOSFET：工程師所需要知道的
隨著制造技術(shù)的發(fā)展和進(jìn)步，系統(tǒng)設(shè)計人員必須跟上技術(shù)的發(fā)展步伐，才能為其設(shè)計挑選最合適的電子器件。MOSFET是電氣系統(tǒng)中的基本部件，工程師需要深入了解它的關(guān)鍵特性及指
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具有超快瞬態(tài)響應(yīng)和低功耗的有源整流控制器
ISO 16750 或 LV124 等汽車標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，汽車電子控制單元 (ECU) 可能面臨一個具有高達(dá) 6 V p-p(在高達(dá) 30 kHz 頻率下)AC 紋波之疊加的供電電源。用于控制外部MOSFET的諸如 LT8672 的門極驅(qū)動等器件足夠強(qiáng)大，能處理高達(dá) 100 kHz 的紋波頻率，從而最大限度減小了反向電流。圖 1 所示為這種 AC 紋波整流的一個例子。
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快速二極管MOSFET在三相逆變器拓?fù)渲械膽?yīng)用
高效率和節(jié)能是家電應(yīng)用中首要的問題。三相無刷直流電機(jī)因其效率高和尺寸小的優(yōu)勢而被廣泛應(yīng)用在家電設(shè)備中以及很多其他應(yīng)用中。此外，由于采用了電子換向器代替機(jī)械換向裝
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意法半導(dǎo)體宣布功率MOSFET芯片性能方面取得巨大突破
功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所代碼：STM）宣布，功率MOSFET芯片性能方面取得巨大突破，最新的MDmesh™ V技術(shù)達(dá)到業(yè)內(nèi)最低的單位芯片面積導(dǎo)通電阻。MDm
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LTC4366浪涌抑制器工作原理詳解
LTC4366浪涌抑制器可保護(hù)負(fù)載免遭高壓瞬變的損壞。通過控制一個外部N溝道MOSFET的柵極，LTC4366可在過壓瞬變過程中調(diào)節(jié)輸出。在MOSFET兩端承載過壓的情況下，負(fù)載可以保持運
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AnalogicTech推出低阻抗半橋MOSFET驅(qū)動器AAT4910
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解決SMPS難題
電源能效對環(huán)境的影響問題越來越受到世界范圍的關(guān)注，致力于自然資源保護(hù)的全球各國政府和標(biāo)準(zhǔn)化制定機(jī)構(gòu)已相繼推出各項措施，積極推廣高能效電源。美國加州能源委員會(CEC
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IR推出具有高封裝電流額定值的全新溝道型HEXFET功率MOSFET系列
功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出具有高封裝電流額定值的全新溝道型HEXFET功率MOSFET系列，適用于工業(yè)用電池
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Fairchild 新型有源橋解決方案為基于IoT的以太網(wǎng)供電 設(shè)備提供業(yè)界最佳的性能
GreenBridge 提供的熱性能、效率和尺寸優(yōu)勢都要優(yōu)于 POE PD 中使用的二極管高性能半導(dǎo)體解決方案全球領(lǐng)先供應(yīng)商 Fairchild (NASDAQ: FCS) 今天發(fā)布了FDMQ8205，這增強(qiáng)了其業(yè)
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LTC4366高壓浪涌抑制器應(yīng)用深入講解（獨家收錄）
LTC4366浪涌抑制器可保護(hù)負(fù)載免遭高壓瞬變的損壞。通過控制一個外部N溝道MOSFET的柵極，LTC4366可在過壓瞬變過程中調(diào)節(jié)輸出。在MOSFET兩端承載過壓的情況下，負(fù)載可以保持運
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Littelfuse推出其首款1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET
Littelfuse公司近日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，擴(kuò)充了其碳化硅MOSFET器件組合。 LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET產(chǎn)品的重要補充，也是Littelfuse公司已發(fā)布的1200V碳化硅MOSFET和肖特基二極管的強(qiáng)有力補充。
