MOSFET

開關(guān)MOS寄生二極管的多種妙用

是由生產(chǎn)工藝造成的，大功率MOS管漏極從硅片底部引出，就會(huì)有這個(gè)寄生二極管。小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面結(jié)構(gòu)，漏極引出方向是從硅片的上面也就是與源極等同一方向，沒(méi)有這個(gè)二極管。模擬電路書里講得就是小功率MOS管的結(jié)構(gòu)，所以沒(méi)有這個(gè)二極管。但D極和襯底之間都存在寄生二極管，如果是單個(gè)晶體管，襯底當(dāng)然接S極，因此自然在DS之間有二極管。如果在IC里面，N—MOS襯底接最低的電壓，P—MOS襯底接最高電壓，不一定和S極相連，所以DS之間不一定有寄生二極管。

開關(guān)MOS寄生二極管的多種妙用

是由生產(chǎn)工藝造成的，大功率MOS管漏極從硅片底部引出，就會(huì)有這個(gè)寄生二極管。小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面結(jié)構(gòu)，漏極引出方向是從硅片的上面也就是與源極等同一方向，沒(méi)有這個(gè)二極管。模擬電路書里講得就是小功率MOS管的結(jié)構(gòu)，所以沒(méi)有這個(gè)二極管。但D極和襯底之間都存在寄生二極管，如果是單個(gè)晶體管，襯底當(dāng)然接S極，因此自然在DS之間有二極管。如果在IC里面，N—MOS襯底接最低的電壓，P—MOS襯底接最高電壓，不一定和S極相連，所以DS之間不一定有寄生二極管。

10步法則：實(shí)用的MOSFET選型方法

功率MOSFET有二種類型：N溝道和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過(guò)程中選擇N管還是P管，要針對(duì)實(shí)際的應(yīng)用具體來(lái)選擇，N溝道MOSFET選擇的型號(hào)多，成本低;P溝道MOSFET選擇的型號(hào)較少，成本高。如果功率MOSFET的S極連接端的電壓不是系統(tǒng)的參考地，N溝道就需要浮地供電電源驅(qū)動(dòng)、變壓器驅(qū)動(dòng)或自舉驅(qū)動(dòng)，驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜;P溝道可以直接驅(qū)動(dòng)，驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單。

功率MOSFET線性區(qū)、完全導(dǎo)通區(qū)的電場(chǎng)和電流分布

MOSFET的漏極導(dǎo)通特性如圖1所示，其工作特性有三個(gè)工作區(qū)：截止區(qū)、線性區(qū)和‍完全導(dǎo)通區(qū)。其中，線性區(qū)也稱恒流區(qū)、飽和區(qū)、放大區(qū)；完全導(dǎo)通區(qū)也稱可變電阻區(qū)。

不同輸入電壓，功率MOSFET關(guān)斷dV/dT為什么不同？

中、高功率的電源電路經(jīng)常使用有源功率因素校正PFC電路，提高電路的功率因素，減小諧波。PFC的高壓功率MOSFET的開通和關(guān)斷的狀態(tài)，不但影響系統(tǒng)和效率，而且影響系統(tǒng)的EMI，和EMI相關(guān)的一個(gè)最重要的參數(shù)就是MOSFET開通和關(guān)斷dV/dt。

典型開關(guān)mos電流波形的精細(xì)分析

反激開關(guān)MOSFET 源極流出的電流(Is)波形的轉(zhuǎn)折點(diǎn)的分析。

大聯(lián)大推出Infineon 1200V碳化硅MOSFET

大聯(lián)大控股宣布，其旗下品佳代理的英飛凌(Infineon)推出革命性的1200V SiC MOSFET，使產(chǎn)品設(shè)計(jì)可以在功率密度和性能上達(dá)到前所未有的水平。它們將有助于電源轉(zhuǎn)換方案的開發(fā)人員節(jié)省空間、減輕重量、降低散熱要求，并提高可靠性和降低系統(tǒng)成本。

如何正確測(cè)量MOSFET尖峰電壓：探頭及帶寬設(shè)置

測(cè)量開關(guān)電源輸出紋波和功率MOSFET的VDS、VGS電壓的時(shí)候，通常要去除示波器探頭的帽子，直接將探頭的信號(hào)尖端和地線接觸被測(cè)量位置的兩端，減小地線的環(huán)路，從而減小空間耦合的干擾信號(hào)。

隔離式電源設(shè)計(jì)需要開發(fā)最好的拓?fù)?/a>

電子元器件持續(xù)缺貨漲價(jià)，MOSFET驅(qū)動(dòng)IC首季漲價(jià)

去年引爆的電子零組件缺貨、漲價(jià)風(fēng)潮至今不停歇， MOSFET因國(guó)際大廠退出，自去年下半年起供給漸趨吃緊，加上受到晶圓代工及EPI硅晶圓產(chǎn)能不足限制，市場(chǎng)供不應(yīng)求壓力持續(xù)上揚(yáng)，報(bào)價(jià)也自今年首季起真正開始起漲。進(jìn)入第二季后，在超威、英特爾與NVIDIA推出新平臺(tái)的推波助瀾下，MOSFET供應(yīng)缺口將更趨嚴(yán)重，MOSFET業(yè)者訂單可見(jiàn)度達(dá)到今年第三季，產(chǎn)品報(bào)價(jià)也將順利在第二季調(diào)漲，漲幅約在5～10%。

Littelfuse在2018年APEC大會(huì)上推出超低導(dǎo)通電阻1200V碳化硅MOSFET

全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)Littelfuse, Inc.與從事碳化硅技術(shù)開發(fā)的德州公司Monolith Semiconductor Inc.日前新推出兩款1200V碳化硅(SiC) n通道增強(qiáng)型MOSFET，為其日益擴(kuò)展的第一代電源半導(dǎo)體器件組合注入新鮮血液。 Littelfuse與Monolith在2015年結(jié)成戰(zhàn)略合作關(guān)系，旨在為工業(yè)和汽車市場(chǎng)開發(fā)電源半導(dǎo)體。這種新型碳化硅MOSFET即為雙方聯(lián)手打造的最新產(chǎn)品。 這些產(chǎn)品在應(yīng)用電力電子會(huì)議(APEC 2018)的Littelfuse展位亮相。

東芝推出新一代600V平面MOSFET系列

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社近日宣布推出一個(gè)新的600V平面MOSFET系列——“π-MOS IX”。批量生產(chǎn)即日啟動(dòng)。

EPC推出比等效MOSFET小型化8倍的 40 V氮化鎵功率晶體管

宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出EPC2049功率晶體管，應(yīng)用于負(fù)載點(diǎn)(POL)轉(zhuǎn)換器、激光雷達(dá)(LiDAR)、包絡(luò)跟蹤電源、D類音頻放大器及具低電感的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器。 EPC2049晶體管的額定電壓為40 V、最大導(dǎo)通電阻為5 mΩ及脈沖輸出電流為175 A。

Vishay新款25V N溝道功率MOSFET有效提升電源效率和功率密度

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新的25V N溝道TrenchFET® Gen IV功率MOSFET---SiRA20DP，這顆器件在10V的最大導(dǎo)通電阻為業(yè)內(nèi)最低，僅有0.58mΩ。V

ST完整全橋系統(tǒng)封裝內(nèi)置MOSFET、柵驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)技術(shù)

意法半導(dǎo)體的 PWD13F60系統(tǒng)封裝(SiP)產(chǎn)品在一個(gè)13mm x 11mm的封裝內(nèi)集成一個(gè)完整的600V/8A單相MOSFET全橋電路，能夠?yàn)楣I(yè)電機(jī)驅(qū)控制器、燈具鎮(zhèn)流器、電源、功率轉(zhuǎn)換器和逆變器廠家節(jié)省物料成本和電路板空間。

Vishay新款25V N溝道功率MOSFET有效提升電源效率和功率密度

日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出新的25V N溝道TrenchFET® Gen IV功率MOSFET---SiRA20DP，這顆器件在10V的最大導(dǎo)通電阻為業(yè)內(nèi)最低，僅有0.58mΩ。Vishay SiliconixSiRA20DP具有最低的柵極電荷，導(dǎo)通電阻還不到0.6mΩ，使柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積優(yōu)值系數(shù)(FOM)也達(dá)到最低，可使各種應(yīng)用提高效率和功率密度。

缺貨緩解待看12寸產(chǎn)能 國(guó)產(chǎn)MOSFET持續(xù)主導(dǎo)消費(fèi)類市場(chǎng)

MOSFET漲價(jià)何時(shí)能得到緩解?深圳市拓鋒半導(dǎo)體科技有限公司總經(jīng)理陳金松表示可能要到2018年第四個(gè)季度，等國(guó)內(nèi)的12寸晶圓量產(chǎn)之后，將8寸的產(chǎn)能騰出來(lái)，才有可能緩解。同時(shí)要看封測(cè)廠的“吞吐力”是否足以化解8寸產(chǎn)能的釋放，如果封測(cè)廠商難以消化這么大的產(chǎn)能，漲價(jià)仍會(huì)持續(xù)，只是幅度不會(huì)像今年這么大了?！懊髂晡覀冏约旱姆庋b廠將擴(kuò)產(chǎn)，預(yù)計(jì)2018年6月可正式投產(chǎn)，擴(kuò)產(chǎn)后的產(chǎn)能可多出一倍，每月達(dá)2億只左右?！标惤鹚烧f(shuō)。

Littelfuse首款碳化硅MOSFET可在電力電子應(yīng)用中超高速切換

Littelfuse, Inc.，作為全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)，今日宣布推出了首個(gè)碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品系列，成為該公司不斷擴(kuò)充的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合中的最新系列。 Littelfuse在3月份投資享有盛譽(yù)的碳化硅技術(shù)開發(fā)公司Monolith Semiconductor Inc.，向成為功率半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)再邁出堅(jiān)定一步。LSIC1MO120E0080系列具有1200V額定功率和超低導(dǎo)通電阻(80mΩ)，是雙方聯(lián)手推出的首款由內(nèi)部設(shè)計(jì)、開發(fā)和生產(chǎn)的碳化硅MOSFET。 該裝置針對(duì)

在高頻直流—直流轉(zhuǎn)換器內(nèi)使用650V碳化硅MOSFET的好處

本文評(píng)測(cè)了主開關(guān)采用意法半導(dǎo)體新產(chǎn)品650V SiC MOSFET的直流-直流升壓轉(zhuǎn)換器的電熱特性，并將SiC碳化硅器件與新一代硅器件做了全面的比較。測(cè)試結(jié)果證明，新SiC碳化硅開關(guān)管提升了開關(guān)性能標(biāo)桿，讓系統(tǒng)具更高的能效，對(duì)市場(chǎng)上現(xiàn)有系統(tǒng)設(shè)計(jì)影響較大。

高頻直流—直流轉(zhuǎn)換器用650V碳化硅MOSFET的好處

本文評(píng)測(cè)了主開關(guān)采用意法半導(dǎo)體新產(chǎn)品650V SiC MOSFET的直流-直流升壓轉(zhuǎn)換器的電熱特性，并將SiC碳化硅器件與新一代硅器件做了全面的比較。測(cè)試結(jié)果證明，新SiC碳化硅開關(guān)管提升了開關(guān)性能標(biāo)桿，讓系統(tǒng)具更高的能效，對(duì)市場(chǎng)上現(xiàn)有系統(tǒng)設(shè)計(jì)影響較大。