MOSFET
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Vishay SQJQ480E汽車(chē)級(jí)功率MOSFET榮獲“Top-10電源產(chǎn)品”獎(jiǎng)
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，其Vishay Siliconix SQJQ480E 80 V汽車(chē)級(jí)TrenchFET®N溝道功率MOSFET被《今日電子》雜志和21IC評(píng)為第15屆年度“Top-10電源產(chǎn)品”。這款A(yù)EC-Q101認(rèn)證器件以高效汽車(chē)應(yīng)用榮獲“綠色節(jié)能獎(jiǎng)”。這是威世產(chǎn)品連續(xù)第八年獲此殊榮。
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快速 60V 高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 提供 100% 占空比能力
亞德諾半導(dǎo)體 (Analog Devices, Inc.，簡(jiǎn)稱(chēng) ADI) 旗下凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 LTC7004，該器件用高達(dá) 60V 的電源電壓運(yùn)行。其內(nèi)部充電泵全面增強(qiáng)了外部 N 溝道 MOSFET 開(kāi)關(guān)，從而使該器件能夠保持接通時(shí)間無(wú)限長(zhǎng)。LTC7004 強(qiáng)大的 1Ω 柵極驅(qū)動(dòng)器能夠以非常短的轉(zhuǎn)換時(shí)間和 35ns 傳播延遲，容易地驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O電容很大的 MOSFET，非常適合高頻開(kāi)關(guān)和靜態(tài)開(kāi)關(guān)應(yīng)用
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高介電質(zhì)材料帶給芯片新體驗(yàn)
在芯片的大部分歷史中，硅一直是其主要組成部分。這在很大程度上是因?yàn)楣钃碛?.1電子伏特(eV)的“Goldilocks”帶隙，這使得硅可以在低電壓下運(yùn)轉(zhuǎn)集成電路，減少電流泄漏。
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功率半導(dǎo)體封測(cè)廠主攻MOSFET，有望新突破
時(shí)序進(jìn)入智能手機(jī)傳統(tǒng)旺季，快充話(huà)題持續(xù)發(fā)酵，大陸四大天王Oppo、Vivo、華為、小米將陸續(xù)導(dǎo)入更多快充功能，另一方面，超微(AMD)、英特爾(Intel)、NVIDIA新款服務(wù)器平臺(tái)、顯示卡等產(chǎn)品陸續(xù)進(jìn)入市場(chǎng)，金氧半場(chǎng)效電晶體(MOSFET)使用顆數(shù)大增，但國(guó)際龍頭業(yè)者功率分離式元件部分因轉(zhuǎn)攻車(chē)用、工業(yè)用之超接面(Super JuncTIon)、絕緣閘雙載子功率場(chǎng)效電晶體(IGBT)等高階領(lǐng)域，傳統(tǒng)PC用MOSFET供需持續(xù)緊張，IDM廠外包比例增加，后段封裝廠商看好MOSFET供需趨緊將持續(xù)到年底沒(méi)問(wèn)題，如捷敏、菱生等業(yè)者訂單能見(jiàn)度基本上看至第3季底無(wú)虞，其中，捷敏8月?tīng)I(yíng)收可望再挑戰(zhàn)單月新高水準(zhǔn)。
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汽車(chē)級(jí)N溝道MOSFET SQJQ480E
功率 MOSFET 是眾多汽車(chē)子系統(tǒng)的重要組成部分，其能夠幫助實(shí)現(xiàn)各種各樣的功能，包括負(fù)載切換、電機(jī)控制以及DC/DC轉(zhuǎn)換等。SQJQ480E 的意義在于它可以處理與更大功率的MOSFET相同的功能。實(shí)際上，其 PowerPAK 8x8L 封裝比其通常取代的 D2PAK MOSFET 小58%。然而，SQJQ480E 可以同樣高效地處理相同的功率轉(zhuǎn)換、開(kāi)關(guān)和電機(jī)控制任務(wù)，實(shí)測(cè)器件導(dǎo)通電阻(3毫歐): 也就是在 AEC-Q101車(chē)用 MOSFET 中取得迄今為止最低的導(dǎo)通損耗。
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第八代Core處理器,英特爾“養(yǎng)活了”這些廠商
英特爾正式推出第八代Core處理器Coffee Lake，預(yù)計(jì)全球有逾145款計(jì)算機(jī)裝置將自9月起上架銷(xiāo)售。 超威入門(mén)款處理器Ryzen 3及商用Ryzen Pro平臺(tái)也將在下半年陸續(xù)上市。 此外，虛擬貨幣挖礦、電競(jìng)及人工智能運(yùn)算等需求強(qiáng)勁，超威及輝達(dá)(NVIDIA)下半年將推出新一代繪圖芯片搶攻市場(chǎng)商機(jī)。
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厲害了！MOSFET 驅(qū)動(dòng)器，可提供100%的占空比
亞德諾半導(dǎo)體 (Analog Devices， Inc.，簡(jiǎn)稱(chēng) ADI) 旗下凌力爾特公司 (Linear Technology CorporaTIon) 推出高速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 LTC7001，該器件以高達(dá) 150V 電源電壓運(yùn)行。其內(nèi)部充電泵全面增強(qiáng)了外部 N 溝道 MOSFET 開(kāi)關(guān)，使其能夠保持無(wú)限期接通。LTC7001 強(qiáng)大的 1Ω 柵極驅(qū)動(dòng)器可憑借非常短的轉(zhuǎn)換時(shí)間和 35ns 傳播延遲，非常方便地驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O電容很大的 MOSFET，因此很適合高頻開(kāi)關(guān)和靜態(tài)開(kāi)關(guān)應(yīng)用。
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安森美先進(jìn)的同步整流控制器FAN6248提高能效和可靠性并簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)
在電源設(shè)計(jì)中，為提高能效，通常采用同步整流，即用MOSFET取代二極管整流器，從而降低整流器兩端壓降和導(dǎo)通損耗，提供更高的電流能力，實(shí)現(xiàn)更高的系統(tǒng)能效。然而，傳統(tǒng)的同步整流在用于LLC諧振轉(zhuǎn)換器時(shí)，會(huì)有不少的技術(shù)挑戰(zhàn)，如：1) 由于不同工作頻率造成最小導(dǎo)通時(shí)間設(shè)置的困難;2) 由于雜散電感造成過(guò)早的同步整流關(guān)斷，導(dǎo)通損耗增加;3) 輕載條件下由于電容電流尖峰導(dǎo)致同步整流電流反向，最終對(duì)系統(tǒng)產(chǎn)生不良影響。安森美半導(dǎo)體最新推出的同步整流控制器FAN6248，優(yōu)化用于LLC諧振轉(zhuǎn)換器，完美地解決上述挑戰(zhàn)，適用于
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美高森美攜手Analog Devices公司 以加快客戶(hù)設(shè)計(jì)和上市速度
致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差異化半導(dǎo)體技術(shù)方案的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi CorporaTIon，紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)：MSCC) 和全球領(lǐng)先的高性能模擬技術(shù)提供商Analog Devices公司宣布推出可擴(kuò)展碳化硅(SiC)驅(qū)動(dòng)器參考設(shè)計(jì)解決方案，其基礎(chǔ)為美高森美的一系列碳化硅MOSFET產(chǎn)品和Analog Devices公司的ADuM4135 5KV隔離柵極驅(qū)動(dòng)器。這款雙碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)器參考設(shè)計(jì)提供用戶(hù)友好的設(shè)計(jì)指南，并通過(guò)使用美高森美的碳化硅MOSFET縮短客戶(hù)上市時(shí)間，也支持向美高森美的下一代碳化硅MOSFET過(guò)渡。
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Linear 推出高速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 LTC7000/-1
亞德諾半導(dǎo)體 (Analog Devices, Inc.，簡(jiǎn)稱(chēng) ADI) 旗下凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 LTC7000/-1，該器件采用高達(dá)
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EPC推出比等效MOSFET小型化12倍 的200 V氮化鎵功率晶體管
21IC訊 宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出面向多種應(yīng)用的EPC2046功率晶體管，包括無(wú)線(xiàn)充電、多級(jí)AC/DC電源供電、機(jī)械人應(yīng)用、太陽(yáng)能微型逆變器及具低電感的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器。EPC2046的額定電壓為200 V、最大導(dǎo)通電阻RDS(on)為25 mΩ、脈沖輸出電流為55 A。
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TI推出用于電機(jī)控制的業(yè)界最小柵極驅(qū)動(dòng)器和功率MOSFET解決方案
設(shè)計(jì)人員可以將空間有限的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的功率密度提高一倍近日，德州儀器 (TI) 推出兩款新型器件，有助于減小電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的尺寸和重量。當(dāng)兩者結(jié)合使用時(shí)，DRV832x無(wú)刷直流
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ST推出新款MDmesh MOSFET內(nèi)置快速恢復(fù)二極管 提升高能效轉(zhuǎn)換器的功率密度
意法半導(dǎo)體推出最新的MDmesh Dk5功率MOSFET管，內(nèi)部增加一個(gè)快速恢復(fù)二極管的甚高壓(VHV)超結(jié)晶體管，這樣結(jié)構(gòu)有助于設(shè)計(jì)人員最大限度提升各種功率轉(zhuǎn)換拓?fù)涞哪苄?，包括?/p>
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Diodes 推出閘極驅(qū)動(dòng)器 簡(jiǎn)化馬達(dá)和電源供應(yīng)器中 MOSFET 與 IGBT 的切換
Diodes 公司推出的 DGD2103M、DGD2104M、DGD2304 閘極驅(qū)動(dòng)器，皆為浮點(diǎn)高側(cè)驅(qū)動(dòng)器，簡(jiǎn)化了半橋組態(tài)下兩部 N 溝道 MOSFET 或兩部 IGBT 的切換。這些驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品適合工業(yè)自動(dòng)
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Diodes 推出 50V MOSFET 閘極驅(qū)動(dòng)ICs 可滿(mǎn)足電池供電 BLDC 馬達(dá)的驅(qū)動(dòng)需求
Diodes 公司推出的 DGD0506 和 DGD0507 高頻閘極驅(qū)動(dòng) ICs，專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)半橋組態(tài)下的兩部外接 N 溝道 MOSFET。50V 的額定值可滿(mǎn)足各種馬達(dá)驅(qū)動(dòng)需求，特別是無(wú)刷直流 (
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看懂MOSFET數(shù)據(jù)表，第1部分—UIS/雪崩額定值
在看到MOSFET數(shù)據(jù)表時(shí)，你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數(shù)很顯眼，也一目了然(BVDS、RDS(ON)、柵極電荷)，其它的一些參數(shù)會(huì)十分的含糊不清、模棱兩可(IDA、SOA曲線(xiàn))
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全新高壓MOSFET高效支持大小功率應(yīng)用
英飛凌科技股份公司壯大現(xiàn)有的CoolMOS 技術(shù)產(chǎn)品陣容，推出600 V CoolMOS P7和600 V CoolMOS C7 Gold (G7)系列。這兩個(gè)產(chǎn)品系列的擊穿電壓高達(dá)600 V，具備更出色的超結(jié)MOSFET性能。它們可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)非常出色的功率密度。
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意法半導(dǎo)體(ST)同級(jí)領(lǐng)先的900V MOSFET管 提升反激式轉(zhuǎn)換器的輸出功率和能效
意法半導(dǎo)體最新的900V MDmesh™ K5超結(jié)MOSFET管讓電源設(shè)計(jì)人員能夠滿(mǎn)足更高功率和更高能效的系統(tǒng)需求，具有同級(jí)最好的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))和動(dòng)態(tài)特性。900V擊穿電壓確
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面向高功率密度應(yīng)用的集成化MOSFET調(diào)壓器可減少外圍器件數(shù)量
英飛凌科技股份公司)今日推出 IR3883，它是一種簡(jiǎn)單易用的全集成型高效直流-直流調(diào)壓器，主要面向需要高能效、高可靠性和良好散熱管理的高密度負(fù)載點(diǎn)應(yīng)用。該器件非常適合用于網(wǎng)絡(luò)、電信、服務(wù)器和存儲(chǔ)解決方案。該調(diào)壓器搭載穩(wěn)定性增強(qiáng)引擎，在簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)的同時(shí)，只需要純陶瓷電容就可以確保穩(wěn)定性。比較而言，其他解決方案需要額外配備用于保證穩(wěn)定性和紋波注入的外圍器件。因此，IR3883可減少多達(dá)5個(gè)外圍器件，可簡(jiǎn)化尺寸小于100平方毫米的電路板布局設(shè)計(jì)。
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功率MOSFET關(guān)斷損耗計(jì)算攻略
本文介紹了MOSFET管關(guān)斷損耗的計(jì)算方式，供大家參考。
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