MOSFET

英飛凌積極布局SiC應(yīng)用市場(chǎng)

因應(yīng)節(jié)能減碳風(fēng)潮，碳化硅(SiC)因具備更高的開(kāi)關(guān)速度、更低的切換損失等特性，可實(shí)現(xiàn)小體積、高功率目標(biāo)，因而躍居電源設(shè)計(jì)新星;其應(yīng)用市場(chǎng)也跟著加速起飛，未來(lái)幾年將擴(kuò)展進(jìn)入更多應(yīng)用領(lǐng)域，而電源芯片商也加快布局腳步，像是英飛凌(Infineon)便持續(xù)擴(kuò)增旗下CoolSiC MOSFET產(chǎn)品線，瞄準(zhǔn)太陽(yáng)能發(fā)電、電動(dòng)車充電系統(tǒng)和電源供應(yīng)三大領(lǐng)域。 英飛凌工業(yè)電源控制事業(yè)處大中華區(qū)應(yīng)用與系統(tǒng)總監(jiān)馬國(guó)偉指出，相較于Si功率半導(dǎo)體，SiC裝置更為節(jié)能;且由于被動(dòng)元件的體積縮小，因此提供更高的系統(tǒng)密度。除了電動(dòng)車之外，

微星和華碩主板散熱性能大比拼，MOSFET溫度相差12度

使用同樣是95W處理器的情況下，微星B360M-MORTAR的MOSFET溫度為62.62度，ROG STRIX B360-G GAMING的MOSFET溫度為74.89度，相差整整12度——這個(gè)相差的溫度就有點(diǎn)夸張了。

包含熱模型的新型MOSFET PSPICE模型

功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器提供了車載照明保護(hù)與控制

基于電感升壓開(kāi)關(guān)型變換器的LED驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

一、基本電路拓?fù)渑c工作原理 基于電感升壓開(kāi)關(guān)型變換器的LED驅(qū)動(dòng)電路廣泛應(yīng)用于電池供電的消費(fèi)類便攜電子設(shè)備的背光照明中。電感升壓變換器基本電路拓?fù)渲饕缮龎弘姼衅?/p>

MOSFET產(chǎn)能大缺 正醞釀下一波漲價(jià)

由于MOSFET受工控及車用電子需求提升，國(guó)際大廠紛紛轉(zhuǎn)向高階MOSFET及IGBT相關(guān)應(yīng)用，外商逐漸退出低功率MOSFET市場(chǎng)，包括：意法、英飛凌等國(guó)際IDM大廠下半年MOSFET產(chǎn)能早已被預(yù)訂一空，加上目前8吋晶圓代工產(chǎn)能極缺，形成MOSFET、指紋辨識(shí)、電源管理芯片等搶占產(chǎn)能情況。

DC/DC轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)表--計(jì)算系統(tǒng)損耗

傳導(dǎo)損耗是由設(shè)備寄生電阻阻礙直流電流在DC/DC轉(zhuǎn)換器中的傳導(dǎo)產(chǎn)生的。傳導(dǎo)損耗與占空比有直接關(guān)系。當(dāng)集成上橋臂MOSFET打開(kāi)后，負(fù)載電流就會(huì)從其中通過(guò)。漏-源通道電阻(RDS

安森美推出新的多芯片模塊PWM降壓穩(wěn)壓器系列 提供領(lǐng)先市場(chǎng)的電流密度和全集成的MOSFET

安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出3款新的高能效中壓脈寬調(diào)制(PWM)降壓轉(zhuǎn)換器。

英飛凌將在 PCIM Asia 2018 展示面向整個(gè)電能供應(yīng)鏈的前沿技術(shù)和解決方案

英飛凌科技(中國(guó))有限公司(以下簡(jiǎn)稱英飛凌)將于6月26 - 28日參加在上海世博展覽館舉辦的 PCIM Asia上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)。英飛凌將在2號(hào)館的F 01展臺(tái)，展示涵蓋整個(gè)電能供應(yīng)鏈的領(lǐng)先產(chǎn)品和全套系統(tǒng)及應(yīng)用解決方案。此外，英飛凌的技術(shù)專家還將就產(chǎn)品和應(yīng)用發(fā)表多篇論文，并在同期的國(guó)際研討會(huì)上進(jìn)行交流。

意法半導(dǎo)體推出離線轉(zhuǎn)換器 提高5-30V電源的雪崩耐量、能效和靈活性

意法半導(dǎo)體的VIPer11離線轉(zhuǎn)換器內(nèi)置800V耐雪崩MOSFET，可幫助設(shè)備制造商設(shè)計(jì)更耐用的輔助電源和電源適配器，其26Vdc漏極啟動(dòng)電壓允許超寬的線路輸入電壓，并提高諸多消費(fèi)和工業(yè)電源的靈活性。

LED驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)的5大關(guān)鍵

要普及LED燈具，不但需要大幅度降低成本，更需要解決技術(shù)性的問(wèn)題。如何解決能效和可靠性這些難題，PowerIntegrations市場(chǎng)營(yíng)銷副總裁DougBailey分享了高效高可靠LED驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)

基于單片機(jī)的脈沖快速充電系統(tǒng)設(shè)計(jì)

系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)電源電路為蓄電池的充電提供穩(wěn)定的電壓采用的是反激式的開(kāi)關(guān)電源電路。反激式開(kāi)關(guān)電源的電路比較簡(jiǎn)單，比正激式開(kāi)關(guān)電源少用了一個(gè)大的儲(chǔ)能濾波電感，以及一個(gè)續(xù)流二極管

MOSFET、IGBT下半年恐現(xiàn)缺貨潮 漲價(jià)不可避免！

茂矽近期已發(fā)函通知客戶漲價(jià)，預(yù)計(jì)7月起依產(chǎn)品別調(diào)漲晶圓代工價(jià)格15～20%，高單價(jià)客戶及高售價(jià)產(chǎn)品優(yōu)先投片，6月底未投產(chǎn)完畢的訂單退回并請(qǐng)客戶重新評(píng)估需求，重新來(lái)單則適用7月起已調(diào)漲后的晶圓代工價(jià)格。

關(guān)于MOSFET用于開(kāi)關(guān)電源的驅(qū)動(dòng)電路

MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源中。MOSFET的驅(qū)動(dòng)常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開(kāi)關(guān)電源的驅(qū)動(dòng)電路。在使

輸出電流的控制和感測(cè)基礎(chǔ)

對(duì)大部分負(fù)載管理電路來(lái)說(shuō)，MOSFET正在迅速取代繼電器成為首選的開(kāi)關(guān)技術(shù)，電力電子系統(tǒng)的維護(hù)成本也隨之降低。本文講述了輸出電流的控制和感測(cè)基礎(chǔ)，并分析了一種智能負(fù)載管理產(chǎn)品。

MOSFET報(bào)價(jià)調(diào)漲，供需緊俏或致8英寸晶圓漲價(jià)？

近期MOSFET報(bào)價(jià)調(diào)漲，由于中國(guó)大陸家電產(chǎn)品對(duì)變頻化趨勢(shì)持續(xù)推進(jìn)，對(duì)MOSFET等需求持續(xù)上升，另外，無(wú)線充電、物聯(lián)網(wǎng)、車用等新應(yīng)用，帶動(dòng)相關(guān)元件需求增加，導(dǎo)致全球8英寸晶圓代工廠的產(chǎn)能利用率維持在100%左右的水準(zhǔn)。

美高森美提供下一代1200 V SiC MOSFET樣品和700 V肖特基勢(shì)壘二極管器件

21ic訊 美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布在下季初擴(kuò)大其碳化硅(SiC) MOSFET 和SiC二極管產(chǎn)品組合，包括提供下一代1200 V、25 mOhm和80 mOhm SiC MOSFET器件的樣品，及下一代700 V、50 A 肖特基勢(shì)壘二極

在ON狀態(tài)下 Mosfet與三極管有何不同之處？

MOSFET是一種在模擬電路和數(shù)字電路中都應(yīng)用的非常廣泛的一種場(chǎng)效晶體管。三極管也成為雙極型晶體管，他能夠控制電流的的流動(dòng)，將較小的信號(hào)放大成為幅值較高的電信號(hào)。MOSFET和三極管都有ON狀態(tài)，那么在處于ON狀態(tài)時(shí)，這兩者有什么區(qū)別呢?

關(guān)于MOSFET用于開(kāi)關(guān)電源的驅(qū)動(dòng)電路

MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源中。MOSFET的驅(qū)動(dòng)常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開(kāi)關(guān)電源的驅(qū)動(dòng)電路。

關(guān)于反激式LED驅(qū)動(dòng)器的工作原理

作為一種固態(tài)光源，發(fā)光二級(jí)管(LED)具備使用壽命長(zhǎng)、功效出色以及環(huán)保特性，因此得到了廣泛應(yīng)用。目前，LED正在取代現(xiàn)有的照明光源，如白熾燈、熒光燈和HID燈等。若要點(diǎn)亮LED，需要用恒定電流進(jìn)行操作，而且必須具有高功率因數(shù)。除了適用于固態(tài)照明的最新EnergyStar®指令要求功率超過(guò)3 W的照明光源具有大于0.9的功率因數(shù)，鎮(zhèn)流器輸入線路電流諧波還需要滿足IEC61000-3-2 C類規(guī)范的要求。