MOSFET

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金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

Allegro發(fā)布第二代汽車級三相隔離器MOSFET驅(qū)動器IC

Allegro MicroSystems, LLC推出全新的N溝道功率MOSFET驅(qū)動器產(chǎn)品，可以通過控制相內(nèi)(in-phase)隔離MOSFET器件來隔離三相負載。Allegro的A6862電機驅(qū)動器IC適用于需要滿足

功率器件
2017-02-15

allegro MOSFET 電源新品驅(qū)動器ic
Nexperia成為分立器件、邏輯器件與MOSFETs市場新勢力

前身為恩智浦 (NXP) 標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品業(yè)務(wù)的Nexperia今天宣布，該公司已正式成為一家獨立公司。Nexperia總部位于荷蘭奈梅亨，在北京建廣資產(chǎn)管理有限公司以及Wise Road Capital LTD(簡稱：智路資本)聯(lián)合投資下，擁有前恩智浦部門所累積的專業(yè)知識、制造資源和主要員工，并致力于開拓產(chǎn)品新重點的承諾，成為獨立的世界級分立器件 (Discrete)、邏輯器件(Logic) 和MOSFETs 領(lǐng)導(dǎo)者。

消費電子
2017-02-08

分立器件邏輯器件電源資訊安世 MOSFET
MOSFET 安全工作區(qū)對實現(xiàn)穩(wěn)固熱插拔應(yīng)用的意義所在

引言即使是在插入和拔出電路板和卡進行維修或者調(diào)整容量時，任務(wù)關(guān)鍵的伺服器和通信設(shè)備也必須能夠不間斷工作。熱插拔控制器 IC 通過軟啟動電源，支持從正在工作的系統(tǒng)中

功率器件
2017-02-03

電源技術(shù)解析熱拔插 MOSFET
8中常見電源管理IC芯片介紹

在日常生活中，人們對電子設(shè)備的依賴越來越嚴(yán)重，電子技術(shù)的更新?lián)Q代，也同時意味著人們對電源的技術(shù)發(fā)展寄予厚望，下面就為大家介紹電源管理技術(shù)的主要分類。

電源
2017-01-06

ldo 電源技術(shù)解析電源管理ic MOSFET
淺談MOSFET驅(qū)動電路

MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開關(guān)速度快等優(yōu)點被廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源中。MOSFET的驅(qū)動常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開關(guān)電源的驅(qū)動電路。

通信技術(shù)
2016-12-23

電路 MOSFET
淺談MOSFET驅(qū)動電路

在使用MOSFET設(shè)計開關(guān)電源時，大部分人都會考慮MOSFET的導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時候也僅僅考慮了這些因素，這樣的電路也許可以正常工作，但并不是一個好的設(shè)計方案。

測試測量
2016-12-14

驅(qū)動電路 MOSFET
堆疊PowerStack封裝電流獲得更高功率POL

電壓穩(wěn)壓器，特別是集成MOSFET的直流/直流轉(zhuǎn)換器，已從由輸入電壓、輸出電壓和電流限定的簡易、低功耗電壓調(diào)節(jié)器，發(fā)展到現(xiàn)在能夠提供更高功率、監(jiān)控操作環(huán)境且能相應(yīng)地適應(yīng)

功率器件
2016-12-14

swift dcdc nexfet tps546c23 MOSFET 電源新品
意法半導(dǎo)體發(fā)布兩款40V汽車級MOSFET

意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)發(fā)布兩款40V汽車級MOSFET。新產(chǎn)品采用意法半導(dǎo)體最新的STripFET F7制造技術(shù)，開關(guān)性能優(yōu)異，能效出色，噪聲輻射極低，耐誤導(dǎo)通能力強。新產(chǎn)品最大輸出電流達到120A，主要目標(biāo)應(yīng)用包括高電流的動力總成、車身或底盤和安全系統(tǒng)，同時優(yōu)異的開關(guān)特性使其特別適用于電機驅(qū)動裝置，例如電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)(EPS)。

功率器件
2016-11-04

意法半導(dǎo)體 MOSFET 電源新品
ROHM開發(fā)出符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的超小型MOSFET

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM面向引擎ECU*1為首的電子化日益普及的各種車載應(yīng)用，開發(fā)出符合AEC-Q101*2標(biāo)準(zhǔn)的超小型MOSFET“AG009DGQ3”。“AG009DGQ3”是實現(xiàn)高可靠性安裝、且安裝面積可比以往產(chǎn)品減少達64%的產(chǎn)品。

功率器件
2016-11-01

rohm MOSFET 電源新品
借助新型60V FemtoFET MOSFET縮小工業(yè)元件占位面積

近日在中國深圳，我遇到了一位在一家信息娛樂系統(tǒng)制造商任職的設(shè)計師。“您碰巧在設(shè)計中用過60V的負載開關(guān)嗎?”我問。他說用過，并告訴我他的電路板包含了大約10個30V-60V的小外形晶體管(SOT)-23，漏源導(dǎo)通

工業(yè)控制
2016-10-14

負載開關(guān) 工業(yè)元件 MOSFET
借助新型60V FemtoFET MOSFET縮小工業(yè)元件占位面積

近日在中國深圳，我遇到了一位在一家信息娛樂系統(tǒng)制造商任職的設(shè)計師?！澳銮稍谠O(shè)計中用過60V的負載開關(guān)嗎?”我問。他說用過，并告訴我他的電路板包含了大約10個30V-60V的小外形晶體管(SOT)-23，漏源導(dǎo)通電阻RDS(ON)通常100mΩ左右?！霸谶@些電路板上，您有遇到過空間受限的問題嗎?”我問。他確實碰到過，于是我向他展示TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET的技術(shù)信息，RDS(ON)不到60mΩ，占位面積僅為1.5mm × 0.8mm (1.2mm2) (參見圖1)

功率器件
2016-10-13

電源技術(shù)解析 MOSFET
TI推出業(yè)內(nèi)電阻最低的1.2-mm2 FemtoFET 60-V N通道功率MOSFET

德州儀器(TI)近日推出新型60-V N通道功率FemtoFET功率晶體管，電阻實現(xiàn)業(yè)內(nèi)最低，比傳統(tǒng)60-V負載開關(guān)低90%，同時，使終端系統(tǒng)功耗得以降低。CSD18541F5內(nèi)置于微型1.53-mm x 0.77-mm硅基封裝，其負載開關(guān)的封裝體積

工業(yè)控制
2016-07-18

lga封裝 MOSFET
Vishay推出用于同步降壓的業(yè)內(nèi)首批通過AEC-Q101認(rèn)證的雙片不對稱封裝12V和20V MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出業(yè)內(nèi)首批通過AEC-Q101認(rèn)證的采用雙片不對稱功率封裝的12V MOSFET---SQJ202EP和20V MOSFET---SQJ200EP，

功率器件
2016-07-11

雙片不對稱封裝 MOSFET 電源新品
步進電機的MOSFET管驅(qū)動設(shè)計

H橋功率驅(qū)動電路可應(yīng)用于步進電機、交流電機及直流電機等的驅(qū)動。永磁步進電機或混合式步進電機的勵磁繞組都必須用雙極性電源供電，也就是說繞組有時需正向電流，有時需反向

嵌入式硬件
2016-07-05

步進電機驅(qū)動設(shè)計驅(qū)動開發(fā) MOSFET
東芝推出適用于LED驅(qū)動器應(yīng)用中負載開關(guān)的業(yè)界領(lǐng)先小尺寸、低導(dǎo)通電阻N溝道MOSFET

東芝公司(TOKYO：6502)旗下存儲與電子元器件解決方案公司今日宣布推出小封裝尺寸的N溝道MOSFET，該MOSFET適用于LED驅(qū)動器應(yīng)用中的負載開關(guān)，包括汽車儀表盤儀表和前照燈以及LED電視背光燈，它們是業(yè)界領(lǐng)先的[1]低導(dǎo)通

顯示光電
2016-06-23

負載開關(guān) led驅(qū)動器 MOSFET
MOSFET 安全工作區(qū)對實現(xiàn)穩(wěn)固熱插拔應(yīng)用的意義所在

即使是在插入和拔出電路板和卡進行維修或者調(diào)整容量時，任務(wù)關(guān)鍵的伺服器和通信設(shè)備也必須能夠不間斷工作。熱插拔控制器 IC 通過軟啟動電源，支持從正在工作的系統(tǒng)中插入或移除電路板，從而避免了出現(xiàn)連接火花、背板供電干擾和電路板卡復(fù)位等問題?？刂破?IC 驅(qū)動與插入電路板之電源相串聯(lián)的功率 MOSFET 開關(guān) (圖 1)。電路板插入后，MOSFET 開關(guān)緩慢接通，這樣，流入的浪涌電流對負載電容充電時能夠保持在安全水平。

功率器件
2016-06-21

電源技術(shù)解析安全工作區(qū) 穩(wěn)固熱插拔 MOSFET
MOSFET和三極管ON狀態(tài)有什么區(qū)別？

MOSFET和三極管，在ON 狀態(tài)時，MOSFET通常用Rds，三極管通常用飽和Vce。那么是否存在能夠反過來的情況，三極管用飽和Rce，而MOSFET用飽和Vds呢?三極管ON狀態(tài)時工作于飽和區(qū)

功率器件
2016-05-13

電源技術(shù)解析三極管開關(guān)狀態(tài) MOSFET
Vishay 推出 650V快速體二極管MOSFET 可提高軟開關(guān)電壓余量

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新的650V EF系列器件---SiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF，擴大其快速體二極管N溝道功率MOSFET產(chǎn)品組合。Siliconix SiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF擴大了該公司的600V產(chǎn)品，為工業(yè)、通信和可再生能源應(yīng)用提供了迫切需要的電壓余量。

工業(yè)控制
2016-05-12

Vishay 電壓余量 MOSFET
基于大功率開關(guān)電源中功率MOSFET的驅(qū)動技術(shù)

1.MOSFET柵極驅(qū)動電平的上升時間和下降時間功率MOSFET具有導(dǎo)通電阻低、負載電流大的優(yōu)點，因而非常適合用作開關(guān)電源(switch-mode power supplies，SMPS)的整流組件，不過

電源AC/DC
2016-05-03

電源技術(shù)解析筆記本電源降壓變換器 MOSFET
功率MOSFET在正激式驅(qū)動電路中的應(yīng)用簡析

功率MOSFET在目前一些大功率電源的產(chǎn)品設(shè)計中得到了廣泛的應(yīng)用，此前本文曾經(jīng)就幾種常見的MOSFET電路設(shè)計類型進行了簡單總結(jié)和介紹。在今天的文章中，本文將會就這一功率器

線性電源
2016-03-31

驅(qū)動電源技術(shù)解析正激電路 MOSFET

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Allegro發(fā)布第二代汽車級三相隔離器MOSFET驅(qū)動器IC

Nexperia成為分立器件、邏輯器件與MOSFETs市場新勢力

MOSFET 安全工作區(qū)對實現(xiàn)穩(wěn)固熱插拔應(yīng)用的意義所在

8中常見電源管理IC芯片介紹

淺談MOSFET驅(qū)動電路

淺談MOSFET驅(qū)動電路

堆疊PowerStack封裝電流獲得更高功率POL

意法半導(dǎo)體發(fā)布兩款40V汽車級MOSFET

ROHM開發(fā)出符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的超小型MOSFET

借助新型60V FemtoFET MOSFET縮小工業(yè)元件占位面積

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TI推出業(yè)內(nèi)電阻最低的1.2-mm2 FemtoFET 60-V N通道功率MOSFET

Vishay推出用于同步降壓的業(yè)內(nèi)首批通過AEC-Q101認(rèn)證的雙片不對稱封裝12V和20V MOSFET

步進電機的MOSFET管驅(qū)動設(shè)計

東芝推出適用于LED驅(qū)動器應(yīng)用中負載開關(guān)的業(yè)界領(lǐng)先小尺寸、低導(dǎo)通電阻N溝道MOSFET

MOSFET 安全工作區(qū)對實現(xiàn)穩(wěn)固熱插拔應(yīng)用的意義所在

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Vishay 推出 650V快速體二極管MOSFET 可提高軟開關(guān)電壓余量

基于大功率開關(guān)電源中功率MOSFET的驅(qū)動技術(shù)

功率MOSFET在正激式驅(qū)動電路中的應(yīng)用簡析

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