MOSFET

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金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。

Fairchild 今日推出 800V SuperFET® II MOSFET 系列

全新的 SuperFET MOSET 系列將最低的導(dǎo)通電阻 (Rdson)、最低的輸出電容 (Coss) 和廣泛的可選封裝相結(jié)合，為設(shè)計(jì)師提高靈活性Fairchild 今日推出 800V SuperFET® II M

功率器件
2015-03-10

fairchild MOSFET 電源新品
e絡(luò)盟進(jìn)一步擴(kuò)充英飛凌CoolMOS™與OptiMOS™系列功率MOSFET，支持亞太區(qū)電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)

英飛凌功率MOSFET是電信、太陽(yáng)能、照明及汽車電子等工業(yè)應(yīng)用的理想選擇e絡(luò)盟日前宣布新增來自全球半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案領(lǐng)先提供商英飛凌的CoolMOS™與OptiMOS™系

電源
2015-02-26

英飛凌電源資訊 MOSFET
Diodes MOSFET H橋節(jié)省50%占位面積

Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出一對(duì)MOSFET H橋，DMHC4035LSD和DMHC3025LSD。產(chǎn)品通過減少元件數(shù)量及縮減50%的印刷電路板占位面積，簡(jiǎn)化電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電感無線充電電路

功率器件
2015-02-26

diodes MOSFET 電源新品
意法半導(dǎo)體(ST)擴(kuò)大碳化硅MOSFET產(chǎn)品系列

意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST;紐約證券交易所代碼：STM) 推出新款SCT20N120碳化硅功率MOSFET晶體管，其先進(jìn)的能效與卓越的可靠性將為更多節(jié)能應(yīng)用帶來技術(shù)優(yōu)勢(shì)

功率器件
2015-02-10

意法半導(dǎo)體 MOSFET 電源新品
Diodes芯片級(jí)雙向MOSFET節(jié)省空間有效提高鋰電池容量

21ic電源網(wǎng) Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出雙向MOSFET DMN2023UCB4，提供超卓的單電芯及雙電芯鋰電池充電保護(hù)。DMN2023UCB4的低導(dǎo)通電阻可降低功耗，纖薄的芯片級(jí)

功率器件
2015-02-02

diodes MOSFET 電源新品
哪一個(gè)更簡(jiǎn)單，選擇熱插拔控制器，還是功率MOSFET？

我曾經(jīng)遇到過節(jié)假日有客人上門，必須跑到商店，在關(guān)門前挑選幾件物品的情況。我當(dāng)時(shí)就意識(shí)到“跑”這個(gè)單詞會(huì)有多少種意思呢。我聽說單單作為動(dòng)詞，他就有645個(gè)意

功率器件
2015-01-26

電源技術(shù)解析熱拔插 MOSFET
Vishay發(fā)布11顆采用Gen II超級(jí)結(jié)技術(shù)的新款500V高壓MOSFET

其具有與E系列600V和650V MOSFET相同的優(yōu)點(diǎn)：高效率和高功率密度21ic電源網(wǎng)訊日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其500V系列高壓MOSFET新增11顆新器件，這些器件適

功率器件
2015-01-23

Vishay 開關(guān)損耗導(dǎo)通電阻 MOSFET 電源新品
德州儀器推出NexFET N溝道功率MOSFET 可實(shí)現(xiàn)業(yè)界最低電阻

采用5 mm x 6 mm QFN封裝并集成超低導(dǎo)通電阻的25 V和30 V器件21ic電源網(wǎng)訊日前，德州儀器 (TI) 推出其NexFET™ 產(chǎn)品線11款新型N溝道功率MOSFET，其中包括具有業(yè)界最低

功率器件
2015-01-22

電阻 MOSFET 電源新品
讓愛車如虎添翼：被動(dòng)無鑰門禁系統(tǒng)

被動(dòng)無鑰門禁概述：被動(dòng)無鑰門禁，可能好多業(yè)界的朋友多對(duì)此相對(duì)陌生，它的出現(xiàn)讓車輛最大限度降低功耗，實(shí)現(xiàn)最高安全性，同時(shí)賦予高LF靈敏度和最大讀取距離。最小化的鑰匙FOB設(shè)計(jì)可通過高集成度實(shí)現(xiàn)，包括3D主動(dòng)LF

汽車電子
2014-12-31

門禁系統(tǒng) 電源電壓 IP MOSFET
封裝寄生電感是否會(huì)影響MOSFET性能？

　　I.引言　　高效率已成為開關(guān)電源(SMPS)設(shè)計(jì)的必需要求。為了達(dá)成這一要求，越來越多許多功率半導(dǎo)體研究人員開發(fā)了快速開關(guān)器件，舉例來說，降低器件的寄生電容，并實(shí)現(xiàn)

電源
2014-12-23

封裝電感引腳 MOSFET
高壓電機(jī)控制系統(tǒng)的主要設(shè)計(jì)考慮因素

在現(xiàn)代機(jī)器人設(shè)計(jì)中，頭部、頸部、四肢的任何活動(dòng)都需要各種各樣電機(jī)的支持，如傳統(tǒng)的旋轉(zhuǎn)電機(jī)、步進(jìn)電機(jī)、直線電機(jī)和其它特殊電機(jī)，但這些電機(jī)的驅(qū)動(dòng)和控制要求各有不同，如何實(shí)現(xiàn)各種電機(jī)的精確控制解決方案?如何以

工業(yè)控制
2014-12-23

電機(jī)控制系統(tǒng) 高壓電機(jī) MOSFET
Vishay發(fā)布首顆用于軟開關(guān)拓?fù)涞碾p片600V快速體二極管N溝道MOSFET

21ic電源網(wǎng)訊日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布600V EF系列快速體二極管N溝道功率MOSFET的兩款器件---SiHx28N60EF和SiHx33N60EF。Vishay Siliconix SiHx28N

功率器件
2014-12-10

Vishay 二極管拓?fù)?/a> MOSFET
IR的電池保護(hù)MOSFET系列為移動(dòng)應(yīng)用提供具有成本效益的靈活解決方案

21ic電源網(wǎng)訊國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 近日針對(duì)鋰離子電池保護(hù)應(yīng)用推出配備IR最新低壓MOSFET硅技術(shù)的一系列器件，包括IRL6297SD雙N通道DirectF

功率器件
2014-12-02

移動(dòng)應(yīng)用封裝電池保護(hù) MOSFET
意法半導(dǎo)體(ST)的新650V超結(jié)MOSFET提升能效和安全系數(shù)

21ic電源網(wǎng)訊意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST)的最新超結(jié) (super-junction) 功率MOSFET滿足家電、低能源照明系統(tǒng)以及太陽(yáng)能微逆變器廠商對(duì)電源能效的要求，同時(shí)提

功率器件
2014-12-02

意法半導(dǎo)體 ST DM MOSFET
MOSFET(MOS場(chǎng)效應(yīng)管)工作原理

場(chǎng)效應(yīng)管是該裝置的核心，在介紹該部分工作原理之前，先簡(jiǎn)單解釋一下MOS場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理。MOS場(chǎng)效應(yīng)管也被稱為MOS FET，即Metal Oxide SEMIconductor Field Effect Transistor(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管)的縮寫。

模擬
2014-11-24

半導(dǎo)體電壓 MOS場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET
增強(qiáng)型N溝道場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET）的電池反接保護(hù)電路

功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)典型應(yīng)用電路1.電池反接保護(hù)電路電池反接保護(hù)電路如圖9所示。一般防止電池接反損壞電路采用串接二極管的方法，在電池接反時(shí)，PN結(jié)反接無電壓降，但在正常工作時(shí)有0.6～0.7V的管壓降。采用導(dǎo)通電

模擬
2014-11-24

電池場(chǎng)效應(yīng)管保護(hù)電路 MOSFET
IR針對(duì)工業(yè)應(yīng)用新推出具有超低導(dǎo)通電阻的表面貼裝75V MOSFET

21ic訊國(guó)際整流器公司(International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 近日推出75V器件以擴(kuò)充StrongIRFET MOSFET系列，適合多種工業(yè)應(yīng)用，包括電動(dòng)工具、輕型電動(dòng)車逆變器、直流電機(jī)

功率器件
2014-11-13

器件工業(yè)應(yīng)用導(dǎo)通電阻 MOSFET
IR針對(duì)工業(yè)應(yīng)用推出具有超低導(dǎo)通電阻的75V MOSFET

21ic訊國(guó)際整流器公司(International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 近日推出75V器件以擴(kuò)充StrongIRFET MOSFET系列，適合多種工業(yè)應(yīng)用，包括電動(dòng)工具、輕型電動(dòng)車逆變器 (LEV) 、直

功率器件
2014-10-28

工業(yè)應(yīng)用導(dǎo)通電阻 RF MOSFET
高效高可靠性LED驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)心得技巧分享

　　近日，小編采訪了LED驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方面的資深達(dá)人DougBailey，他總結(jié)了設(shè)計(jì)工作中需要注意的問題和親身設(shè)計(jì)心得，為大家分享總結(jié)如下：　　一、不要使用雙極型功率器件　

電源-LED驅(qū)動(dòng)
2014-10-27

電解電容 LED驅(qū)動(dòng) LED燈具 MOSFET
Vishay的SiZ340DT再度獲獎(jiǎng)

21ic訊日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，其3mm x 3mm封裝的SiZ340DT雙片MOSFET在《今日電子》雜志的第十二屆年度Top-10電源產(chǎn)品評(píng)獎(jiǎng)中一舉獲得十佳電源產(chǎn)品獎(jiǎng)和最佳應(yīng)用獎(jiǎng)等兩項(xiàng)獎(jiǎng)項(xiàng)。

廠商動(dòng)態(tài)
2014-10-24

Vishay 電源導(dǎo)通電阻 MOSFET

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MOSFET

Fairchild 今日推出 800V SuperFET® II MOSFET 系列

e絡(luò)盟進(jìn)一步擴(kuò)充英飛凌CoolMOS™與OptiMOS™系列功率MOSFET，支持亞太區(qū)電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)

Diodes MOSFET H橋節(jié)省50%占位面積

意法半導(dǎo)體(ST)擴(kuò)大碳化硅MOSFET產(chǎn)品系列

Diodes芯片級(jí)雙向MOSFET節(jié)省空間有效提高鋰電池容量

哪一個(gè)更簡(jiǎn)單，選擇熱插拔控制器，還是功率MOSFET？

Vishay發(fā)布11顆采用Gen II超級(jí)結(jié)技術(shù)的新款500V高壓MOSFET

德州儀器推出NexFET N溝道功率MOSFET 可實(shí)現(xiàn)業(yè)界最低電阻

讓愛車如虎添翼：被動(dòng)無鑰門禁系統(tǒng)

封裝寄生電感是否會(huì)影響MOSFET性能？

高壓電機(jī)控制系統(tǒng)的主要設(shè)計(jì)考慮因素

Vishay發(fā)布首顆用于軟開關(guān)拓?fù)涞碾p片600V快速體二極管N溝道MOSFET

IR的電池保護(hù)MOSFET系列為移動(dòng)應(yīng)用提供具有成本效益的靈活解決方案

意法半導(dǎo)體(ST)的新650V超結(jié)MOSFET提升能效和安全系數(shù)

MOSFET(MOS場(chǎng)效應(yīng)管)工作原理

增強(qiáng)型N溝道場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET）的電池反接保護(hù)電路

IR針對(duì)工業(yè)應(yīng)用新推出具有超低導(dǎo)通電阻的表面貼裝75V MOSFET

IR針對(duì)工業(yè)應(yīng)用推出具有超低導(dǎo)通電阻的75V MOSFET

高效高可靠性LED驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)心得技巧分享

Vishay的SiZ340DT再度獲獎(jiǎng)

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