MOSFET

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金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

Vishay發(fā)布用于電機(jī)控制等高壓應(yīng)用的寬體IGBT和MOSFET驅(qū)動器

新器件的最短外爬電距離為10mm21ic訊日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出用于電機(jī)驅(qū)動、太陽能逆變器、新能源和焊接設(shè)備，以及其他高工作電壓應(yīng)用的新款I(lǐng)GBT和

功率器件
2014-03-25

MOSFET Vishay IGBT 驅(qū)動器
士蘭微為什么要自己做芯片制造?

【導(dǎo)讀】多年來，集成電路行業(yè)一直呈現(xiàn)高速增長態(tài)勢，集成電路的規(guī)模、速度不斷提高。然而隨著世界范圍內(nèi)集成電路生產(chǎn)線的大量建立，集成電路的發(fā)展也呈現(xiàn)周期性趨勢。一旦大量集成電路生產(chǎn)線建立起來以后，集成電路

半導(dǎo)體
2014-03-24

芯片制造微電子 SD MOSFET
TRINAMIC推出適用于步進(jìn)電機(jī)的全新MOSFET產(chǎn)品線

TRINAMIC宣布，推出一系列分立MOSFET集成電路芯片，這個系列是特別為TRINAMIC的熱門電機(jī)驅(qū)動和預(yù)驅(qū)動芯片而設(shè)計的互補型產(chǎn)品。該全橋/半橋MOSFET封裝是驅(qū)動線圈電流峰值在2.5A至5.5A，電壓30V至60V之間的步進(jìn)電機(jī)的理

模擬
2014-03-17

步進(jìn)電機(jī) 驅(qū)動芯片 TRINAMIC MOSFET
Vishay：開發(fā)中國重點市場

??? 近日，Vishay中國高級銷售總監(jiān)盧志強在接受《中國電子報》記者采訪時表示，因為中國市場相較其他國家增長速度更快，所以競爭非常激烈，并將繼續(xù)帶來許多挑戰(zhàn)。由于4G的興起、電動車細(xì)分市場對新能源解決方案的需

模擬
2014-03-10

通信汽車 MOSFET Vishay
Linear 推出汽車 (H 級) 和高可靠性軍用 (MP 級) 版本 LT4320

21ic訊凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出汽車 (H 級) 和高可靠性軍用 (MP 級) 版本 LT4320，該器件是一款理想二極管橋控制器，適用于 9V 至 72V 系統(tǒng)。

功率器件
2014-03-06

汽車 Linear MIDDOT MOSFET
Vishay發(fā)布采用ThunderFET技術(shù)的通過AEC-Q101認(rèn)證的最新MOSFET

采用PowerPAK® SO-8L和DPAK封裝的100V N溝道器件具有8.9mΩ的RDS(ON)，占位面積為5mm x 6mm21ic訊日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布首顆通過AEC-Q1

功率器件
2014-03-04

導(dǎo)通電阻 RF MOSFET Vishay
常用IGBT及MOSFET器件隔離驅(qū)動技術(shù)匯總

MOSFET以及IGBT絕緣柵雙極性大功率管等器件的源極和柵極之間是絕緣的二氧化硅結(jié)構(gòu)，直流電不能通過，因而低頻的表態(tài)驅(qū)動功率接近于零。但是柵極和源極之間構(gòu)成了一個柵極

功率器件
2014-02-25

器件隔離 MOSFET IGBT
用于車載USB供電的NCV8852

一前言在目前的車載娛樂系統(tǒng)中，USB接口已經(jīng)成為系統(tǒng)的標(biāo)配。隨著大電池容量的便攜設(shè)備的流行，做為車載充電接口的USB電源，需要提高更大的電流以滿足設(shè)備的需要。目前主流

電源-能源動力
2014-02-17

電感 VI USB供電 MOSFET
飛兆的中壓MOSFET采用空間節(jié)省型封裝可優(yōu)化電能應(yīng)用

2014年2月13日 –許多終端應(yīng)用 – 比如IP電話、電機(jī)控制電路、有源鉗位開關(guān)和負(fù)載開關(guān) – 需要以更小的尺寸提供更高的能效，以便滿足制造商的要求。飛兆半導(dǎo)體開發(fā)了FDMC86xxxP系列P溝道PowerTrench® MOSFET，在

消費電子
2014-02-14

器件飛兆封裝 MOSFET
Vishay發(fā)布采用PowerPAIR® 封裝的高性能非對稱雙片TrenchFET® MOSFET

下一代器件的最大RDS(ON)降低57%，提高了轉(zhuǎn)換效率21ic訊日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布采用PowerPAIR® 3mm x 3mm封裝，使用TrenchFET® Gen IV技術(shù)

功率器件
2014-02-10

封裝 POWER MOSFET Vishay
Vishay發(fā)布高性能非對稱雙片TrenchFET MOSFET SiZ340DT

采用PowerPAIR封裝，最大RDS(ON)降低57%，提高了轉(zhuǎn)換效率日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，發(fā)布采用PowerPAIR® 3mm x 3mm封裝，使用TrenchFET® Gen IV技術(shù)

功率器件
2014-02-07

導(dǎo)通電阻 TRENCHFET MOSFET Vishay
基于0.18μmH柵P-Well SOI MOSFET器件的設(shè)計及仿真研究

絕緣體上硅（Silicon On Insulator,簡稱SOI）以其獨特的材料結(jié)構(gòu)有效克服了體硅材料的不足，使其在能夠成功應(yīng)用于輻照惡劣環(huán)境中。本文使用Sentaurus TCAD軟件中的SDE（Sentaurus Structure Editor）工具設(shè)計一個0.18μmH柵P-Well SOI MOSFET器件結(jié)構(gòu)，并且運用Sentaurus TCAD軟件中的Sentaurus Device工具進(jìn)行器件特性仿真，使用INSPECT和TECPLOT_SV工具查看仿真結(jié)果并得到設(shè)計的器件的閾值電壓（Vt

消費電子
2014-02-03

器件仿真研究 BSP MOSFET
熱插拔控制器在直流升壓電路中的設(shè)計應(yīng)用

設(shè)計了一種利用熱插拔保護(hù)控制芯片，實現(xiàn)直流升壓電路的輸出過流、短路保護(hù)。本文分析了直流升壓電路以及熱插拔保護(hù)電路的工作原理及實現(xiàn)方式，詳細(xì)介紹了電路及參數(shù)設(shè)計、選擇過程，以及實際工作開關(guān)波形，并給出了設(shè)計實例。實驗證明，利用熱插拔保護(hù)控制芯片，有效地避免了常規(guī)直流升壓電路在輸出過流短路時的固有缺陷，提高了電源使用的可靠性。

電源
2014-01-22

控制器熱插拔直流升壓電路 MOSFET
Vishay推出具有業(yè)內(nèi)最低RDS(on)的P溝道MOSFET

21ic訊日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴(kuò)充其TrenchFET® P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix Si7157DP在-10V

模擬
2014-01-22

導(dǎo)通電阻壓降 MOSFET Vishay
Vishay推出具有業(yè)內(nèi)最低RDS(on)的P溝道MOSFET

采用PowerPAK® SO-8封裝的P溝道Gen III MOSFET在10V下的RDS(ON)低至0.0016Ω，可用于移動計算21ic訊日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出具有業(yè)內(nèi)最低

功率器件
2014-01-22

導(dǎo)通電阻 GEN MOSFET Vishay
政策扶持重點功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)黃金發(fā)展期

據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會的相關(guān)人士透露，有關(guān)促進(jìn)集成電路發(fā)展的綱要性文件已草擬完畢，目前正在進(jìn)行部際協(xié)調(diào)。上證報資訊獲悉，政策扶持的重點將主要集中于集成電路的設(shè)計和制造方面，尤其是本土自主核心產(chǎn)業(yè)龍頭企業(yè)

模擬
2014-01-20

功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 節(jié)能減排 MOSFET
答疑解惑盤點在開關(guān)電源設(shè)計中的經(jīng)典問答題

如何為開關(guān)電源電路選擇合適的元器件和參數(shù)?很多未使用過開關(guān)電源設(shè)計的工程師會對它產(chǎn)生一定的畏懼心理，比如擔(dān)心開關(guān)電源的干擾問題，PCB layout問題，元器件的參數(shù)和類型

電源AC/DC
2014-01-07

單板噪聲開關(guān)電源設(shè)計 MOSFET
Vishay的Si7655DN -20V P溝道MOSFET榮獲EDN China 2013創(chuàng)新獎之最佳產(chǎn)品獎

【導(dǎo)讀】賓夕法尼亞、MALVERN — 2013 年 12 月20 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，其Si7655DN -20V P溝道Gen III功率MOSFET榮獲EDN China 2013創(chuàng)新獎之電源器件和模塊類最佳產(chǎn)品

半導(dǎo)體
2013-12-25

創(chuàng)新獎 CHINA MOSFET Vishay
Vishay的Si7655DN -20V P溝道MOSFET榮獲最佳產(chǎn)品獎

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其Si7655DN -20V P溝道Gen III功率MOSFET榮獲EDN China 2013創(chuàng)新獎之電源器件和模塊類最佳產(chǎn)品獎。EDN China創(chuàng)新獎于2005年引入國內(nèi)，以表彰在中國市場上的IC和相關(guān)產(chǎn)品在設(shè)

消費電子
2013-12-23

封裝 CHINA MOSFET Vishay
瑞薩轉(zhuǎn)單效應(yīng)，尼克森收復(fù)季線

MOSFET廠尼克森(3317)11月營收創(chuàng)下今年次高數(shù)字，市場看好來自瑞薩轉(zhuǎn)單效應(yīng)發(fā)酵，可望挹注出貨量大幅成長，不過尼克森表示，轉(zhuǎn)單效應(yīng)并沒有那么強烈，而公司除了力守PC市場MOSFET市占外，長期規(guī)劃也將著眼于非PC市場

半導(dǎo)體
2013-12-22

顯示器低壓 PC市場 MOSFET

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MOSFET

Vishay發(fā)布用于電機(jī)控制等高壓應(yīng)用的寬體IGBT和MOSFET驅(qū)動器

士蘭微為什么要自己做芯片制造?

TRINAMIC推出適用于步進(jìn)電機(jī)的全新MOSFET產(chǎn)品線

Vishay：開發(fā)中國重點市場

Linear 推出汽車 (H 級) 和高可靠性軍用 (MP 級) 版本 LT4320

Vishay發(fā)布采用ThunderFET技術(shù)的通過AEC-Q101認(rèn)證的最新MOSFET

常用IGBT及MOSFET器件隔離驅(qū)動技術(shù)匯總

用于車載USB供電的NCV8852

飛兆的中壓MOSFET采用空間節(jié)省型封裝可優(yōu)化電能應(yīng)用

Vishay發(fā)布采用PowerPAIR® 封裝的高性能非對稱雙片TrenchFET® MOSFET

Vishay發(fā)布高性能非對稱雙片TrenchFET MOSFET SiZ340DT

基于0.18μmH柵P-Well SOI MOSFET器件的設(shè)計及仿真研究

熱插拔控制器在直流升壓電路中的設(shè)計應(yīng)用

Vishay推出具有業(yè)內(nèi)最低RDS(on)的P溝道MOSFET

Vishay推出具有業(yè)內(nèi)最低RDS(on)的P溝道MOSFET

政策扶持重點功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)黃金發(fā)展期

答疑解惑盤點在開關(guān)電源設(shè)計中的經(jīng)典問答題

Vishay的Si7655DN -20V P溝道MOSFET榮獲EDN China 2013創(chuàng)新獎之最佳產(chǎn)品獎

Vishay的Si7655DN -20V P溝道MOSFET榮獲最佳產(chǎn)品獎

瑞薩轉(zhuǎn)單效應(yīng)，尼克森收復(fù)季線

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