MOSFET
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東芝推出650V系統(tǒng)超級結(jié)MOSFET“DTMOS IV”系列
21ic訊 東芝公司(Toshiba Corporation)日前宣布推出第四代超級結(jié)MOSFET“DTMOS IV”系列650V設備。作為該系列的首款產(chǎn)品，“TK14A65W”已經(jīng)推出，并計劃于2013年8月全面投入量產(chǎn)。該系列采用最
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東芝推出650V系統(tǒng)超級結(jié)MOSFET“DTMOS IV”系列
實現(xiàn)頂級1低導通電阻性能東芝公司(Toshiba Corporation)今天宣布推出第四代超級結(jié)MOSFET“DTMOS IV”系列650V設備。作為該系列的首款產(chǎn)品，“TK14A65W&rdq
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UC3625無刷直流電動機開環(huán)速度控制
UC3625無刷直流電動機開環(huán)速度控制
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凌力爾特LT4320不再為散熱題而憂 LT3081寬SOA讓工業(yè)應用有更多選擇
6月下旬，凌力爾特向業(yè)界推出LT4320 、LT3081兩款新品。為此，凌力爾特召開了新品發(fā)布會，21ic記者也受邀參加。如今，幾乎所有產(chǎn)生的電能都是 AC型的，而電子系統(tǒng)所需要的則為DC型。即使是傳統(tǒng)上只接受交流電的設備也
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12V電源電路
系統(tǒng)5V或3.5V時，MOSFET驅(qū)動，同時需要相當數(shù)量的元件，產(chǎn)生額外的+12V電壓，但典型的雙MOSFET驅(qū)動器不可能采用第二個通道驅(qū)動12V電源，通過在獨立引腳上使用漏極驅(qū)動器，可
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Vishay利用PowerPAK封裝的新款-40V和-30V MOSFET
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用PowerPAK® 1212-8封裝的-40V---SiS443DN和PowerPAK® 1212-8S封裝的-30V---SiSS27DN器件，擴充其TrenchFET® Gen III P溝道功率MOSFET。Vishay
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東芝擴充低壓N通道MOSFET陣容
低導通電阻可減少移動設備的傳導損失21ic訊 東芝公司(Toshiba Corporation)今天宣布通過“TPN2R203NC”擴充移動設備鋰離子電池和功率管理開關專用保護電路中使用
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飛兆半導體推出新型 MOTION SPM 5系列產(chǎn)品
為小型家用電器提供熱感應和穩(wěn)定的電磁干擾性能，模塊經(jīng)過優(yōu)化，能夠在嚴苛的應用條件下確保效率及最高可靠性21ic訊 電機控制系統(tǒng)設計人員需要能夠在嚴苛的應用條件下，提
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一款汽車燈調(diào)光電路
一款汽車燈調(diào)光電路
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介紹在SMPS應用中選擇IGBT和MOSFET的比較
隨著電力電子技術的高速發(fā)展，電力電子設備與人們的工作、生活的關系日益密切，而電子設備都離不開可靠的電源，進入80年代計算機電源全面實現(xiàn)了開關電源化，率先完成計算機
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一種低電壓大電流的線性的設計和實現(xiàn)
隨著電源技術的發(fā)展，低電壓，大電流的開關電源因其技術含量高，應用廣，越來越受到人們重視。在開關電源中，正激和反激式有著電路拓撲簡單，輸入輸出電氣隔離等優(yōu)點，廣泛
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用多相DC-DC轉(zhuǎn)換器驅(qū)動高性能ASIC和微處理器
多相DC-DC轉(zhuǎn)換器引出當今的高性能ASIC和微處理器己廣泛應用工控、通信航天等各個領域。但由于它的功率消耗較高，有時高達150W甚至超過，對于1V至1.5V的電源電壓，這些器件所
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新LGA封裝MOSFET提升智能手機及平板電腦應用的能效
安森美半導體 (ON Semiconductor) 推出兩款新的MOSFET器件，用于智能手機及平板電腦應用，作為鋰離子電池充電/放電保護電路開關的關鍵組成部分。EFC6601R和EFC6602R幫助設計人員減小方案尺寸、提升能效及將電池使用
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東芝推出用于繼電器驅(qū)動器的新型MOSFET \"SSM3K337R\"
有源箝位結(jié)構(gòu)可以預防電感負載關閉時的過電壓東芝公司(Toshiba Corporation)今天宣布，該公司已經(jīng)推出了用于繼電器驅(qū)動器的MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)"SSM3K33
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東芝為射頻/模擬應用推出新的低功耗MOSFET設備結(jié)構(gòu)
21ic訊 東芝公司(Toshiba Corporation)日前宣布使用CMOS兼容工藝開發(fā)高功率增益晶體管。該晶體管可有效降低高頻射頻/模擬前端應用的功耗。詳細信息將于6月12日在2013年超大規(guī)模集成電路技術及電路研討會(Symposia o
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東芝為射頻/模擬應用推出新的低功耗MOSFET設備結(jié)構(gòu)
21ic訊 東芝公司今天宣布使用CMOS兼容工藝開發(fā)高功率增益晶體管。該晶體管可有效降低高頻射頻/模擬前端應用的功耗。詳細信息將于6月12日在2013年超大規(guī)模集成電路技術及電路
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模擬技術基礎知識四十四條
1.集成運算放大器是一種高增益直接耦合放大器，他作為基本的電子器件，可以實現(xiàn)多種功能電路，如電子電路中的比例，積分，微分，求和，求差等模擬運算電路。2.運算放大器工作在兩個區(qū)域：在線性區(qū)，他放大小信號;輸入
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閉環(huán)速度控制
閉環(huán)速度控制
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數(shù)字控制提高了直流-直流轉(zhuǎn)換器的效率
隨著能源價格的上漲和各項“環(huán)保”計劃的成功開展，私營公司和政府監(jiān)管部門對電源制造商的要求逐漸提高。歐盟委員會(歐盟(EU)的執(zhí)行機構(gòu))和美國環(huán)境保護署(EPA)對服務器電源的要求進一步升級，現(xiàn)已涵蓋各種
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安森美推出兩款新的LGA封裝MOSFET 助力提高移動設備能效及電池使用時間
單節(jié)及雙節(jié)鋰離子電池充電/放電保護電路因高性能倒裝芯片MOSFET而受益21ic訊 安森美半導體 (ON Semiconductor) 推出兩款新的MOSFET器件，用于智能手機及平板電腦應用，作為
