單個(gè)封裝中的四個(gè)60V MOSFET可提高系統(tǒng)效率,替代二極管整流橋,實(shí)現(xiàn)緊湊的設(shè)計(jì)并節(jié)省電路板空間21ic訊 高分辨率、緊湊有源整流橋應(yīng)用(如網(wǎng)絡(luò)攝像機(jī))中的過熱可能導(dǎo)致圖像質(zhì)
現(xiàn)代的電子裝置設(shè)計(jì)須提供多個(gè)不同的直流(DC)電壓,導(dǎo)致內(nèi)部電路須透過升壓與降壓方式轉(zhuǎn)換電壓,為裝置中負(fù)責(zé)不同功能單元供電;其中,在高效率DC-DC電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)方面,以電
引言對(duì)電能轉(zhuǎn)換而言,可再生能源電子細(xì)分市場是一個(gè)復(fù)雜且多樣化的競技場。在一些負(fù)載點(diǎn)應(yīng)用中,開關(guān)型功率轉(zhuǎn)換器通常為非隔離式,功率水平相當(dāng)?shù)?<200 W),并且常常會(huì)把電
我們都懂得如何利用二極管來實(shí)現(xiàn)開關(guān),但是,我們只能對(duì)其進(jìn)行開關(guān)操作,而不能逐漸控制信號(hào)流。此外,二極管作為開關(guān)取決于信號(hào)流的方向;我們不能對(duì)其編程以通過或屏蔽一個(gè)
新日本無線株式會(huì)社開發(fā)出了一款600mA, 500kHz的小型封裝降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器 NJW1933,該穩(wěn)壓器最適于逆變器、程控器等產(chǎn)業(yè)設(shè)備電源及汽車電子配件。此產(chǎn)品已經(jīng)開始進(jìn)入生產(chǎn)階
東芝公司(Toshiba)(TOKYO:6502):電源設(shè)備為戰(zhàn)略性產(chǎn)品,是分立器件部門的主推業(yè)務(wù)。在電源電子領(lǐng)域,東芝的重點(diǎn)放在MOSFET和IGBT的開發(fā)上,它們是保證高效穩(wěn)定供電所不可或缺的設(shè)備,也是促進(jìn)智能社區(qū)繁榮的先決條件
21ic訊 東芝公司(Toshiba Corporation)推出了基于第四代600V系統(tǒng)超級(jí)結(jié)(super junction)MOSFET“DTMOSIV”系列的高速二極管。新系列采用最新的單外延工藝打造,其每單位面積導(dǎo)通電阻(RON•A)較現(xiàn)有產(chǎn)
溫室效應(yīng)和日漸枯竭的地球資源使得功率電路設(shè)計(jì)中的節(jié)能要求變得越來越重要。設(shè)計(jì)人員正在尋求效率更高、功耗更低的解決方案,以期減少不必要的能量損失。利用諧振電感和諧
本文中,我們把圖 1 所示模型的瞬態(tài)響應(yīng)與圖 3 所示公開刊發(fā)的安全工作區(qū)域(SOA 曲線)部分進(jìn)行了對(duì)比。 圖 1 將散熱容加到 DC 電氣模擬電路上根據(jù) CSD17312Q5 MOSFET、引線
本電路一定要使用的分隔,或1%的電阻,甚至0.1%的電阻。周圍的TL084控制電路是由整流電壓供電,所以一個(gè)輔助電源是不必要的。
簡易V-MOSFET調(diào)光燈電路
顯著降低電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)成本 新型器件可提供雙倍A/$ 碳化硅(SiC)功率器件領(lǐng)域的市場領(lǐng)先者科銳公司(Nasdaq: CREE)日前宣布推出第二代碳化硅MOSFET器件。相對(duì)于同等成本的基于硅器件的系統(tǒng),科銳新型碳化硅MOSFET器
東京, 2013年3月12日 - (亞太商訊) - 沖電氣(OKI)報(bào)導(dǎo),沖電氣集團(tuán)(OKI)旗下的提供可靠性評(píng)估和環(huán)保技術(shù)服務(wù)的沖工程技術(shù)株式會(huì)社(社長:淺井裕,總公司:日本東京都練馬區(qū),以下簡稱“OEG”)向半導(dǎo)體生產(chǎn)廠商
21ic訊 東芝公司(Toshiba Corporation)宣布,該公司為智能手機(jī)和平板電腦等移動(dòng)設(shè)備的大電流充電電路高速開關(guān)推出一款低電容雙N溝道MOSFET。隨著智能手機(jī)、蜂窩手機(jī)、平板電腦和筆記本電腦等移動(dòng)設(shè)備不斷增添新功能
TL5001另外一個(gè)降壓電路,10V降壓至5V,電流3A,功率不小,使用貼片的N溝道MOSFET.體積很小。驅(qū)動(dòng)具有自舉哦。要不能只能使用P溝道的MOSFET了,其實(shí)P溝道的MOSFET不常用,如
市場研究機(jī)構(gòu) Yole Developpement 推出超接面金氧半場效電晶體(Super Junction Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor,SJ MOSFET)的市場更新報(bào)告,深度剖析高壓(400伏特以上) SJ MOSFET 市場指標(biāo)與預(yù)測
金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管
21ic訊 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出車用AUIR3200S MOSFET 驅(qū)動(dòng)IC。新產(chǎn)品具有全面保護(hù)和診斷功能,為繼電器更換和電池開關(guān)應(yīng)用提供更高的可靠性
只要是電子設(shè)備,就離不開電源。相對(duì)于高速發(fā)展的MCU和射頻等技術(shù),電源IC盡管發(fā)展很慢,但也從早期的線性電源占主導(dǎo)地位,發(fā)展到模擬開關(guān)電源占統(tǒng)治地位,再到數(shù)字電源的出現(xiàn)改寫了電源市場的格局。 數(shù)字和模
本應(yīng)用筆記提供了一個(gè)低功耗投影儀RGB LED驅(qū)動(dòng)器的參考設(shè)計(jì)。基于單芯片MAX16821構(gòu)建大電流LED驅(qū)動(dòng)器,能夠?yàn)橐唤M降壓驅(qū)動(dòng)的RGB LED提供高達(dá)10A的電流,通/斷時(shí)間小于1us。