MOSFET

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金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。

雙低電壓理想二極管控制器

LTC 4353控制外部N溝道MOSFET來實(shí)現(xiàn)一個(gè)理想的二極管功能。它取代了兩個(gè)高功率肖特基二極管和其相關(guān)的散熱器，節(jié)省功耗和電路板面積。理想二極管的功能，允許低損失電源ORing和供應(yīng)滯留應(yīng)用的。LTC4353調(diào)節(jié)橫跨正向

功率器件
2012-06-18

二極管低電壓控制器 MOSFET
恩智浦推出采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤的MOSFET

21ic訊恩智浦半導(dǎo)體日前推出業(yè)內(nèi)首款2 mm x 2 mm、采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤的超薄DFN （分立式扁平無引腳）封裝MOSFET。這些獨(dú)特的側(cè)焊盤提供光學(xué)焊接檢測(cè)的優(yōu)勢(shì)，與傳統(tǒng)無引腳封裝相比，焊接連接質(zhì)量更好。即將面世的

功率器件
2012-06-17

恩智浦封裝導(dǎo)通電阻 MOSFET
恩智浦推出采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤的MOSFET

21ic訊恩智浦半導(dǎo)體日前推出業(yè)內(nèi)首款2 mm x 2 mm、采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤的超薄DFN （分立式扁平無引腳）封裝MOSFET。這些獨(dú)特的側(cè)焊盤提供光學(xué)焊接檢測(cè)的優(yōu)勢(shì)，與傳統(tǒng)無引腳封裝相比，焊接連接質(zhì)量更好。即將面世的

電源-LED驅(qū)動(dòng)
2012-06-17

恩智浦封裝導(dǎo)通電阻 MOSFET
D系列MOSFET采用高壓條帶技術(shù)

21ic訊日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其下一代D系列高壓功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600V n溝道器件具有低導(dǎo)通電阻、超低柵極電荷和3A～36A電流，采用多種封裝。今天發(fā)布的D系列MOSFET基

通信技術(shù)
2012-06-15

器件高壓導(dǎo)通電阻 MOSFET
羅姆實(shí)現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝

21ic訊意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST）宣布，GLOBALFOUNDRIES將采用意法半導(dǎo)體專有的 FD-SOI（Fully Depleted Silicon-on-Insulator，全耗盡絕緣體上硅）技術(shù)為意法半導(dǎo)體制造28納米和20納米芯片。當(dāng)今的

模擬
2012-06-14

封裝羅姆 SIC MOSFET
開關(guān)電源MOSFET驅(qū)動(dòng)電路介紹及分析

開關(guān)電源由于體積小、重量輕、效率高等優(yōu)點(diǎn)，應(yīng)用已越來越普及。MOSFET由于開關(guān)速度快、易并聯(lián)、所需驅(qū)動(dòng)功率低等優(yōu)點(diǎn)已成為開關(guān)電源最常用的功率開關(guān)器件之一。而驅(qū)動(dòng)電路的好壞直接影響開關(guān)電源工作的可靠性及性能

功率器件
2012-06-14

開關(guān)電源驅(qū)動(dòng)電路電路介紹 MOSFET
D系列MOSFET采用高壓條帶技術(shù)

21ic訊日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其下一代D系列高壓功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600V n溝道器件具有低導(dǎo)通電阻、超低柵極電荷和3A～36A電流，采用多種封裝。今天發(fā)布的D系列MOSFET基

功率器件
2012-06-13

器件高壓導(dǎo)通電阻 MOSFET
羅姆實(shí)現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝并開始量產(chǎn)

21IC訊日本半導(dǎo)體制造商羅姆面向工業(yè)設(shè)備和太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出耐壓高達(dá)1200V的第2代SiC（Silicon carbide：碳化硅）MOSFET“SCH2080KE”。此產(chǎn)品損耗低，可靠性高，在各種應(yīng)

功率器件
2012-06-12

封裝羅姆 SIC MOSFET
巧用示波器的計(jì)算功能分析熱插拔電路

盡管數(shù)字示波器是電路實(shí)驗(yàn)室中最常見的儀器，但有些功能可能并不為人所熟知，數(shù)字示波器的計(jì)算功能就是其中之一。其實(shí)利用數(shù)字示波器的計(jì)算功能可以簡(jiǎn)化對(duì)熱插拔和負(fù)載切換電路的分析。本篇應(yīng)用筆記將介紹如何利用示

功率器件
2012-06-11

示波器 MICRO 熱插拔電路 MOSFET
LED驅(qū)動(dòng)器基本拓?fù)涞脑O(shè)計(jì)挑戰(zhàn)

在考慮使用LED驅(qū)動(dòng)器將AC輸入電壓轉(zhuǎn)換為用于LED負(fù)載的恒定電流源的拓?fù)鋾r(shí)，將LED應(yīng)用分為三種功率水平是有幫助的：(1)低功率應(yīng)用。要求輸入低于20W，例如燈條、R燈和白熾燈的替換品;(2)中等功率應(yīng)用。輸入最高為50W，

模擬
2012-06-07

變壓器拓?fù)?/a> LED驅(qū)動(dòng)器 MOSFET
MOSFET雙芯片功率封裝簡(jiǎn)化電源設(shè)計(jì)

目前，電源工程師面臨的一個(gè)主要難題是，隨著功能的日益增多，商用電子產(chǎn)品的尺寸不斷縮小，留給電源電路的空間越來越少。解決這個(gè)難題的辦法之一是充分利用在MOSFET技術(shù)和封裝上的進(jìn)步。通過在更小尺寸的封裝內(nèi)采用

電源
2012-06-07

芯片封裝電源設(shè)計(jì) MOSFET
MOSFET雙芯片功率封裝簡(jiǎn)化電源設(shè)計(jì)

目前，電源工程師面臨的一個(gè)主要難題是，隨著功能的日益增多，商用電子產(chǎn)品的尺寸不斷縮小，留給電源電路的空間越來越少。解決這個(gè)難題的辦法之一是充分利用在MOSFET技術(shù)和封裝上的進(jìn)步。通過在更小尺寸的封裝內(nèi)采用

功率器件
2012-06-07

芯片封裝電源設(shè)計(jì) MOSFET
高效高可靠LED燈具設(shè)計(jì)的五個(gè)忠告

2011年，澳大利亞已經(jīng)率先禁止使用白熾燈，這為LED燈具的大規(guī)模普及揭開了序幕，另外，隨著歐盟各國、日本、加拿大等國家將在2012年禁止使用白熾燈，LED燈具的照明普及率會(huì)進(jìn)一步提升，這讓掘金綠色照明革命的中國數(shù)

顯示光電
2012-06-06

電解電容 LED燈具 MOSFET
LED驅(qū)動(dòng)器基本拓?fù)涞脑O(shè)計(jì)挑戰(zhàn)

在考慮使用LED驅(qū)動(dòng)器將AC輸入電壓轉(zhuǎn)換為用于LED負(fù)載的恒定電流源的拓?fù)鋾r(shí)，將LED應(yīng)用分為三種功率水平是有幫助的：(1)低功率應(yīng)用。要求輸入低于20W，例如燈條、R燈和白熾燈的替換品;(2)中等功率應(yīng)用。輸入最高為50W，

電源
2012-06-05

變壓器拓?fù)?/a> LED驅(qū)動(dòng)器 MOSFET
LED驅(qū)動(dòng)器基本拓?fù)涞脑O(shè)計(jì)挑戰(zhàn)

在考慮使用LED驅(qū)動(dòng)器將AC輸入電壓轉(zhuǎn)換為用于LED負(fù)載的恒定電流源的拓?fù)鋾r(shí)，將LED應(yīng)用分為三種功率水平是有幫助的：(1)低功率應(yīng)用。要求輸入低于20W，例如燈條、R燈和白熾燈的替換品;(2)中等功率應(yīng)用。輸入最高為50W，

數(shù)字電源
2012-06-05

變壓器拓?fù)?/a> LED驅(qū)動(dòng)器 MOSFET
LED驅(qū)動(dòng)器基本拓?fù)涞脑O(shè)計(jì)挑戰(zhàn)

在考慮使用LED驅(qū)動(dòng)器將AC輸入電壓轉(zhuǎn)換為用于LED負(fù)載的恒定電流源的拓?fù)鋾r(shí)，將LED應(yīng)用分為三種功率水平是有幫助的：(1)低功率應(yīng)用。要求輸入低于20W，例如燈條、R燈和白熾燈的替換品;(2)中等功率應(yīng)用。輸入最高為50W，

功率器件
2012-06-05

變壓器拓?fù)?/a> LED驅(qū)動(dòng)器 MOSFET
車用MOSFET如何提高能量利用效率與質(zhì)量可靠性

工程師在為汽車電子設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)時(shí)可能會(huì)遇到在設(shè)計(jì)任何電源應(yīng)用時(shí)都會(huì)面臨的挑戰(zhàn)。因?yàn)楣β势骷﨧OSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過120℃會(huì)使器件的結(jié)點(diǎn)溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問題。在

汽車電子
2012-06-04

封裝 HP TRENCH MOSFET
高效高可靠LED燈具設(shè)計(jì)的五個(gè)忠告

2011年，澳大利亞已經(jīng)率先禁止使用白熾燈，這為LED燈具的大規(guī)模普及揭開了序幕，另外，隨著歐盟各國、日本、加拿大等國家將在2012年禁止使用白熾燈，LED燈具的照明普及率會(huì)進(jìn)一步提升，這讓掘金綠色照明革命的中國數(shù)

電源
2012-06-04

電解電容 LED燈具 MOSFET
高效高可靠LED燈具設(shè)計(jì)的五個(gè)忠告

2011年，澳大利亞已經(jīng)率先禁止使用白熾燈，這為LED燈具的大規(guī)模普及揭開了序幕，另外，隨著歐盟各國、日本、加拿大等國家將在2012年禁止使用白熾燈，LED燈具的照明普及率會(huì)進(jìn)一步提升，這讓掘金綠色照明革命的中國數(shù)

數(shù)字電源
2012-06-04

電解電容 LED燈具 MOSFET
高效高可靠LED燈具設(shè)計(jì)的五個(gè)忠告

2011年，澳大利亞已經(jīng)率先禁止使用白熾燈，這為LED燈具的大規(guī)模普及揭開了序幕，另外，隨著歐盟各國、日本、加拿大等國家將在2012年禁止使用白熾燈，LED燈具的照明普及率會(huì)進(jìn)一步提升，這讓掘金綠色照明革命的中國數(shù)

功率器件
2012-06-04

電解電容 LED燈具 MOSFET

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MOSFET

雙低電壓理想二極管控制器

恩智浦推出采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤的MOSFET

恩智浦推出采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤的MOSFET

D系列MOSFET采用高壓條帶技術(shù)

羅姆實(shí)現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝

開關(guān)電源MOSFET驅(qū)動(dòng)電路介紹及分析

D系列MOSFET采用高壓條帶技術(shù)

羅姆實(shí)現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝并開始量產(chǎn)

巧用示波器的計(jì)算功能分析熱插拔電路

LED驅(qū)動(dòng)器基本拓?fù)涞脑O(shè)計(jì)挑戰(zhàn)

MOSFET雙芯片功率封裝簡(jiǎn)化電源設(shè)計(jì)

MOSFET雙芯片功率封裝簡(jiǎn)化電源設(shè)計(jì)

高效高可靠LED燈具設(shè)計(jì)的五個(gè)忠告

LED驅(qū)動(dòng)器基本拓?fù)涞脑O(shè)計(jì)挑戰(zhàn)

LED驅(qū)動(dòng)器基本拓?fù)涞脑O(shè)計(jì)挑戰(zhàn)

LED驅(qū)動(dòng)器基本拓?fù)涞脑O(shè)計(jì)挑戰(zhàn)

車用MOSFET如何提高能量利用效率與質(zhì)量可靠性

高效高可靠LED燈具設(shè)計(jì)的五個(gè)忠告

高效高可靠LED燈具設(shè)計(jì)的五個(gè)忠告

高效高可靠LED燈具設(shè)計(jì)的五個(gè)忠告

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