MOSFET

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金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。

科銳實(shí)現(xiàn)50A碳化硅功率器件技術(shù)突破！

50A碳化硅功率器件為更多大功率應(yīng)用帶來更高效率和更低成本科銳實(shí)現(xiàn)50A碳化硅功率器件技術(shù)突破，為更多大功率應(yīng)用帶來更高效率和更低成本，包括1700V碳化硅MOSFET器件在內(nèi)的科銳大功率碳化硅MOSFET器件降低電力電子

功率器件
2012-05-08

功率器件碳化硅科銳 MOSFET
飛兆高功率逆變器設(shè)計(jì)方案

I 引言和摘要由于對(duì)可再生能源的需求，太陽能逆變器 (光電逆變器)的市場(chǎng)正在不斷增長。而這些逆變器需要極高的效率和可靠性。本文對(duì)這些逆變器中采用的功率電路進(jìn)行了考察，并推薦了針對(duì)開關(guān)和整流器件的最佳選擇

功率器件
2012-05-08

飛兆高功率功率逆變器 MOSFET
Vishay推出新一代TrenchFET® MOSFET器件

21ic訊日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其新一代TrenchFET® Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN。這四款器件皆采用了新型高密度設(shè)計(jì)，在4.5V下導(dǎo)通電阻

電源
2012-05-05

器件 Vishay TRENCHFET MOSFET
Vishay推出新一代TrenchFET® MOSFET器件

21ic訊日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其新一代TrenchFET® Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN。這四款器件皆采用了新型高密度設(shè)計(jì)，在4.5V下導(dǎo)通電阻

功率器件
2012-05-05

器件 Vishay TRENCHFET MOSFET
測(cè)量放大電路推動(dòng)的功放電路

放大器電路，特點(diǎn)是運(yùn)算精度高、輸入阻抗高，增益容易調(diào)節(jié)，具有優(yōu)良的共模抑制比以及低失調(diào)低溫漂等。電路中A1、A2組成第一級(jí)差分放大器，A3組成第二級(jí)差分　　放大電路　　(減法電路)。R3和R4、R5組成了深度的電壓

測(cè)試測(cè)量
2012-05-04

放大電路功放功放電路 MOSFET
測(cè)量放大電路推動(dòng)的功放電路

放大器電路，特點(diǎn)是運(yùn)算精度高、輸入阻抗高，增益容易調(diào)節(jié)，具有優(yōu)良的共模抑制比以及低失調(diào)低溫漂等。電路中A1、A2組成第一級(jí)差分放大器，A3組成第二級(jí)差分　　放大電路　　(減法電路)。R3和R4、R5組成了深度的電壓

功率器件
2012-05-02

放大電路功放功放電路 MOSFET
Diodes新型 MOSFET離板高度減半

Diodes Incorporated 推出一系列采用薄型DFN2020-6封裝的高效率N通道及P通道MOSFET。DFN2020H4封裝的DMP2039UFDE4，離板高度只有0.4毫米，占板面積只有四平方毫米，是一款額定電壓為 -25V的P通道器件，體積較同類器件

功率器件
2012-04-30

DM BSP DIODES MOSFET
Diodes推出采用薄型DFN2020-6封裝的MOSFET

21ic訊 Diodes Incorporated 推出一系列采用薄型DFN2020-6封裝的高效率N通道及P通道MOSFET。DFN2020H4封裝的DMP2039UFDE4，離板高度只有0.4毫米，占板面積只有四平方毫米，是一款額定電壓為 -25V的P通道器件，體積較

功率器件
2012-04-30

封裝 DM DIODES MOSFET
車用MOSFET：尋求性能與保護(hù)的最佳組合

工程師在為汽車電子設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)時(shí)可能會(huì)遇到在設(shè)計(jì)任何電源應(yīng)用時(shí)都會(huì)面臨的挑戰(zhàn)。因?yàn)楣β势骷﨧OSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過120℃會(huì)使器件的結(jié)點(diǎn)溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問題。在

汽車電子
2012-04-26

封裝 HP TRENCH MOSFET
ZXSC310的典型應(yīng)用電路圖

如圖所示電路提供了一種驅(qū)動(dòng)大功率白光LED的解決方案，即利用工作在“降壓”模式的標(biāo)準(zhǔn)升壓變換器驅(qū)動(dòng)白光LED。這種解決方案的效率高達(dá)96％，與效率只有85％的標(biāo)準(zhǔn)方案相比，它具有很多實(shí)際優(yōu)點(diǎn)。當(dāng)MOSFE

光電顯示電路
2012-04-24

電壓應(yīng)用電路圖白光LED MOSFET
IR 推出采用 TSOP-6 封裝的 HEXFET MOSFET 系列產(chǎn)品

國際整流器公司推出一系列采用TSOP-6封裝、搭載IR最新低壓HEXFET MOSFET硅技術(shù)的器件，適用于電池保護(hù)與逆變器開關(guān)中的負(fù)載開關(guān)、充電和放電開關(guān)等低功率應(yīng)用。全新的功率MOSFET具備極低的導(dǎo)通電阻(RDS(on))，能夠大

廠商動(dòng)態(tài)
2012-04-24

器件封裝功率MOSFET MOSFET
車用MOSFET：尋求性能與保護(hù)的最佳組合

工程師在為汽車電子設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)時(shí)可能會(huì)遇到在設(shè)計(jì)任何電源應(yīng)用時(shí)都會(huì)面臨的挑戰(zhàn)。因?yàn)楣β势骷﨧OSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過120℃會(huì)使器件的結(jié)點(diǎn)溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問題。在

電源
2012-04-24

封裝 HP TRENCH MOSFET
車用MOSFET：尋求性能與保護(hù)的最佳組合

工程師在為汽車電子設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)時(shí)可能會(huì)遇到在設(shè)計(jì)任何電源應(yīng)用時(shí)都會(huì)面臨的挑戰(zhàn)。因?yàn)楣β势骷﨧OSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過120℃會(huì)使器件的結(jié)點(diǎn)溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問題。在

功率器件
2012-04-24

封裝 HP TRENCH MOSFET
飛兆半導(dǎo)體推出30V PowerTrench® MOSFET

21ic訊在能源效率標(biāo)準(zhǔn)和最終系統(tǒng)要求的推動(dòng)之下，電源設(shè)計(jì)人員需要有助于縮減其應(yīng)用電源的外形尺寸且不影響功率密度的高能效解決方案。飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET以3.

電源
2012-04-24

飛兆半導(dǎo)體 POWER TRENCH MOSFET
飛兆半導(dǎo)體推出30V PowerTrench® MOSFET

21ic訊在能源效率標(biāo)準(zhǔn)和最終系統(tǒng)要求的推動(dòng)之下，電源設(shè)計(jì)人員需要有助于縮減其應(yīng)用電源的外形尺寸且不影響功率密度的高能效解決方案。飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET以3.

功率器件
2012-04-24

飛兆半導(dǎo)體 POWER TRENCH MOSFET
汽車電子保護(hù)電路設(shè)計(jì)

汽車環(huán)境對(duì)電子產(chǎn)品而言是非常苛刻的：任何連接到12V電源上的電路都必須工作在9V至16V的標(biāo)稱電壓范圍內(nèi)，其它需要迫切應(yīng)對(duì)的問題包括負(fù)載突降、冷車發(fā)動(dòng)、電池反向、雙電池助推、尖峰信號(hào)、噪聲和極寬的溫度范圍。在

汽車電子
2012-04-23

汽車電子電路設(shè)計(jì) 保護(hù)電路 MOSFET
Vishay Siliconix 30 V P溝道芯片級(jí)MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，引入兩款在尺寸和導(dǎo)通電阻上設(shè)立了新的行業(yè)基準(zhǔn)的p溝道30V器件，擴(kuò)充其MICRO FOOT® TrenchFET® Gen III功率MOSFET家族。新的Si8497DB是業(yè)內(nèi)首款采用小巧的1mm x 1.

功率器件
2012-04-21

Vishay 芯片級(jí) SILICONIX MOSFET
汽車電子保護(hù)電路設(shè)計(jì)

汽車環(huán)境對(duì)電子產(chǎn)品而言是非?？量痰模喝魏芜B接到12V電源上的電路都必須工作在9V至16V的標(biāo)稱電壓范圍內(nèi)，其它需要迫切應(yīng)對(duì)的問題包括負(fù)載突降、冷車發(fā)動(dòng)、電池反向、雙電池助推、尖峰信號(hào)、噪聲和極寬的溫度范圍。在

線性電源
2012-04-21

汽車電子電路設(shè)計(jì) 保護(hù)電路 MOSFET
汽車電子保護(hù)電路設(shè)計(jì)

汽車環(huán)境對(duì)電子產(chǎn)品而言是非?？量痰模喝魏芜B接到12V電源上的電路都必須工作在9V至16V的標(biāo)稱電壓范圍內(nèi)，其它需要迫切應(yīng)對(duì)的問題包括負(fù)載突降、冷車發(fā)動(dòng)、電池反向、雙電池助推、尖峰信號(hào)、噪聲和極寬的溫度范圍。在

功率器件
2012-04-21

汽車電子電路設(shè)計(jì) 保護(hù)電路 MOSFET
鋰電池過充電、過放電、短路保護(hù)電路詳解

該電路主要由鋰電池保護(hù)專用集成電路DW01，充、放電控制MOSFET1(內(nèi)含兩只N溝道MOSFET)等部分組成，單體鋰電池接在B+和B-之間，電池組從P+和P-輸出電壓。充電時(shí)，充電器輸出電壓接在P+和P-之間，電流從P+到單體電池的

功率器件
2012-04-21

鋰電池鎳鎘電池短路保護(hù)電路 MOSFET

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MOSFET

科銳實(shí)現(xiàn)50A碳化硅功率器件技術(shù)突破！

飛兆高功率逆變器設(shè)計(jì)方案

Vishay推出新一代TrenchFET® MOSFET器件

Vishay推出新一代TrenchFET® MOSFET器件

測(cè)量放大電路推動(dòng)的功放電路

測(cè)量放大電路推動(dòng)的功放電路

Diodes新型 MOSFET離板高度減半

Diodes推出采用薄型DFN2020-6封裝的MOSFET

車用MOSFET：尋求性能與保護(hù)的最佳組合

ZXSC310的典型應(yīng)用電路圖

IR 推出采用 TSOP-6 封裝的 HEXFET MOSFET 系列產(chǎn)品

車用MOSFET：尋求性能與保護(hù)的最佳組合

車用MOSFET：尋求性能與保護(hù)的最佳組合

飛兆半導(dǎo)體推出30V PowerTrench® MOSFET

飛兆半導(dǎo)體推出30V PowerTrench® MOSFET

汽車電子保護(hù)電路設(shè)計(jì)

Vishay Siliconix 30 V P溝道芯片級(jí)MOSFET

汽車電子保護(hù)電路設(shè)計(jì)

汽車電子保護(hù)電路設(shè)計(jì)

鋰電池過充電、過放電、短路保護(hù)電路詳解

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