MOSFET
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TI推出支持集成型MOSFET的100V同步降壓穩(wěn)壓器LM5017
21IC訊 德州儀器 (TI) 宣布推出業(yè)界首款支持集成型MOSFET的100V同步降壓穩(wěn)壓器，進(jìn)一步壯大其高電壓負(fù)載點(diǎn)產(chǎn)品陣營。該 600 mA LM5017 是最新系列降壓開關(guān)穩(wěn)壓器中的首款產(chǎn)品，可在提高電信、工業(yè)、智能電網(wǎng)以及汽車
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節(jié)能式電源拓?fù)浣榻B
世界各地有關(guān)降低電子系統(tǒng)能耗的各種倡議，正促使單相交流輸入電源設(shè)計人員采用更先進(jìn)的電源技術(shù)。為了獲得更高的功率級，這些倡議要求效率達(dá)到87% 及以上。由于標(biāo)準(zhǔn)反激式 (flyback) 和雙開關(guān)正激式等傳統(tǒng)電源拓?fù)涠?/p>
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適用于小功率電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)的MOSFET逆變模塊
摘要 本文介紹新型的MOSFET逆變模塊，用于驅(qū)動風(fēng)扇和水泵中的小型直流無刷電機(jī)。這種功率模塊集成了6個MOSFET和相應(yīng)的高壓柵極驅(qū)動電路 (HVIC)。通過使用專門設(shè)計的MOSFET和HVIC，該模塊能提供最小的功耗和最佳
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適用于小功率電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)的MOSFET逆變模塊
摘要 本文介紹新型的MOSFET逆變模塊，用于驅(qū)動風(fēng)扇和水泵中的小型直流無刷電機(jī)。這種功率模塊集成了6個MOSFET和相應(yīng)的高壓柵極驅(qū)動電路 (HVIC)。通過使用專門設(shè)計的MOSFET和HVIC，該模塊能提供最小的功耗和最佳
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日月光以3億買下洋鼎 擴(kuò)大國內(nèi)中低階封測產(chǎn)能
IC封測龍頭日月光(2311)繼以5006萬元參與元隆(6287)私募案之后，最新公布再以3億元買下為三洋電子（Sanyo）代工的洋鼎科技，擴(kuò)大國內(nèi)的中低階封測產(chǎn)能。 去年底市場即傳出日月光有意并購洋鼎，如今獲得證實(shí)。日月光
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計算大功率電源中MOSFET的功率耗散
中心議題： 計算大功率電源中MOSFET的功率耗散解決方案： 重新設(shè)定輸入電壓范圍 改變開關(guān)頻率 也許便攜式電源設(shè)計工程師所面臨的最大挑戰(zhàn)在于向現(xiàn)代高性能CPU供電。最近，CPU供電電流每兩年翻一倍。事實(shí)上
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Diodes：MOSFET控制器提升PSU效率
Diodes公司推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N8，其額定電壓為25V，適用于90W及以上的筆記本和便攜式電腦的電源設(shè)計。這款新品能取代返馳式轉(zhuǎn)換器內(nèi)效率較低的肖特基二極管，并通過減少多達(dá)70%的整流器損耗，有效提升最高
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MOSFET諧振式DC-DC電源電路
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DC-DC轉(zhuǎn)換器中PCB布線寄生電感對于效率的影響
中心議題： DC-DC轉(zhuǎn)換器的PCB寄生電感測試試驗(yàn) DC-DC轉(zhuǎn)換器中PCB布線寄生電感對于效率的影響解決方案： 柵極電感的影響 源極電感的影響 漏極電感的影響 柵-源極電感的影響 源極 HS - 源極LS電感
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DC-DC轉(zhuǎn)換器中PCB布線寄生電感對于效率的影響
中心議題： DC-DC轉(zhuǎn)換器的PCB寄生電感測試試驗(yàn) DC-DC轉(zhuǎn)換器中PCB布線寄生電感對于效率的影響解決方案： 柵極電感的影響 源極電感的影響 漏極電感的影響 柵-源極電感的影響 源極 HS - 源極LS電感
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Diodes推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N
21ic 訊 Diodes公司推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N8，其額定電壓為25V，適用于90W及以上的筆記本和便攜式電腦的電源設(shè)計。這款新品能取代返馳式轉(zhuǎn)換器內(nèi)效率較低的肖特基二極管，并通過減少多達(dá)70%的整流器損耗，有效
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二極管泄漏電流及MOSFET亞閾區(qū)電流的測量
中心議題： 二極管的泄漏電流的測量 MOSFET的亞閾區(qū)電流的測量解決方案： 采用源-測量單元測量二極管的泄漏電流 采用兩臺SMU來測量MOSFET的亞閥區(qū)電流 測試半導(dǎo)體器件和晶圓片（Wafer）常常要涉及到測量
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Diodes封裝MOSFET有助于實(shí)現(xiàn)低溫操作
Diodes公司推出首款采用微型DFN1212-3封裝MOSFET。該器件的結(jié)點(diǎn)至環(huán)境熱阻(Rthj-a)為130ºC/W，能在持續(xù)狀態(tài)下支持高達(dá)1W的功率耗散，相比于占位面積相同、Rthi-a性能為280ºC/W的SOT723封裝，能實(shí)現(xiàn)更低溫度
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Diodes 封裝MOSFET有助實(shí)現(xiàn)低溫操作
DFN1212-3封裝零件可輕易替換同類SOT723封裝MOSFET Diodes公司推出首款采用微型DFN1212-3封裝的MOSFET。該器件的結(jié)點(diǎn)至環(huán)境熱阻 (Rthj-a) 為130oC/W，能于持續(xù)狀態(tài)下支援高達(dá)1W的功率耗散，相比于占位面積相同、R
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BUCK電路拓?fù)浼捌涔ぷ髟?/a>
BUCK電路拓?fù)銽是全控元件(GTR,GTO,MOSFET,IGBT)，當(dāng)時，T導(dǎo)通。 D：續(xù)流二極管。 L和C組成LPF。二、工作原理四、假設(shè)及參數(shù)計算 1.T，D均為理想器件 2.L較大，使得在一個周期內(nèi)電流連續(xù)且無內(nèi)阻 3.直流輸出電壓
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雙管正激小功率電源的設(shè)計與實(shí)現(xiàn)
正激變換由于拓?fù)浜唵危?升/ 降壓范圍寬， 廣泛應(yīng)用于中小功率電源變換場合。正激變換器的輸出功率不象反激變換器那樣受變壓器儲能的限制， 因此輸出功率較反激變換器大， 但是正激變換器的開關(guān)管電壓應(yīng)力高， 為兩倍
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雙管正激小功率電源的設(shè)計與實(shí)現(xiàn)
正激變換由于拓?fù)浜唵危?升/ 降壓范圍寬， 廣泛應(yīng)用于中小功率電源變換場合。正激變換器的輸出功率不象反激變換器那樣受變壓器儲能的限制， 因此輸出功率較反激變換器大， 但是正激變換器的開關(guān)管電壓應(yīng)力高， 為兩倍
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熱插拔控制器應(yīng)用介紹
“熱插拔”是指將板卡從加有電源的主機(jī)（背板、服務(wù)器等）上插入或拔出,主要應(yīng)用在基站、磁盤冗余陣列（RAID）、遠(yuǎn)程接入服務(wù)器、網(wǎng)絡(luò)路由路、網(wǎng)絡(luò)交換器以及ISDN等系統(tǒng)。當(dāng)板卡插入主機(jī)時,主機(jī)已處于穩(wěn)態(tài)
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先進(jìn)嵌入式DC-DC轉(zhuǎn)換器的要求
本文主要探討了DC-DC應(yīng)用中轉(zhuǎn)換器功率級選擇的影響?！ ∠冗M(jìn)嵌入式DC-DC轉(zhuǎn)換器的要求 許多工業(yè)系統(tǒng),如測試測量設(shè)備,都需要嵌入式DC-DC轉(zhuǎn)換器,是因?yàn)檫@些應(yīng)用所需的計算能力日益增加。這種計算能力由DSP 、FPGA 、
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先進(jìn)嵌入式DC-DC轉(zhuǎn)換器的要求
本文主要探討了DC-DC應(yīng)用中轉(zhuǎn)換器功率級選擇的影響。 先進(jìn)嵌入式DC-DC轉(zhuǎn)換器的要求 許多工業(yè)系統(tǒng),如測試測量設(shè)備,都需要嵌入式DC-DC轉(zhuǎn)換器,是因?yàn)檫@些應(yīng)用所需的計算能力日益增加。這種計算能力由DSP 、FPGA 、
